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臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)7大重點(diǎn):關(guān)稅沖擊、AI市場(chǎng)需求
- 晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）今（17）日召開線上法說(shuō)會(huì)，整理以下七大重點(diǎn)，董事長(zhǎng)暨總裁魏哲家回應(yīng)第二季及全年財(cái)測(cè)、客戶需求、關(guān)稅沖擊、AI市場(chǎng)需求、DeepSeek議題、中長(zhǎng)期營(yíng)運(yùn)目標(biāo)及合資公司等議題。董事長(zhǎng)暨總裁魏哲家表示，目前客戶下單未出現(xiàn)變化，將持續(xù)關(guān)注關(guān)稅政策造成的潛在影響，仍預(yù)期2025年美元營(yíng)收成長(zhǎng)24~26%，其中AI相關(guān)營(yíng)收將倍增，未來(lái)5年的年復(fù)合成長(zhǎng)率（CAGR）達(dá)44~46%不變。魏哲家表示，第二季營(yíng)收成長(zhǎng)受惠高速運(yùn)算（HPC）應(yīng)用持續(xù)擴(kuò)展，帶動(dòng)對(duì)3納米及5納米制程需求強(qiáng)勁，目前未觀
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魏哲家打臉「臺(tái)積電合資英特爾」傳聞！ 霸氣回應(yīng)關(guān)稅議題
- 臺(tái)積電17日召開法說(shuō)會(huì)，董事長(zhǎng)暨總裁魏哲家在會(huì)上澄清臺(tái)積電目前沒有合資公司的討論，也沒有討論技術(shù)轉(zhuǎn)移或共享資源等議題，正面回應(yīng)市場(chǎng)傳聞臺(tái)積電將與英特爾合資在美國(guó)設(shè)廠的消息，另外針對(duì)關(guān)稅威脅，魏哲家表示，目前客戶訂單沒有減少，確切影響還要再觀察。 臺(tái)積電第一季財(cái)報(bào)亮眼，加上法說(shuō)會(huì)釋出好消息，臺(tái)積電ADR夜盤一度上漲超過5%。臺(tái)積電2025年首季營(yíng)收為8392.5億元，稅后純益3615.6億元，每股盈余13.94元，年增41.6%、稅后純益年增60.3%，針對(duì)第2季展望，臺(tái)積電給出284億至292億美元的展望
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 英特爾 關(guān)稅
手機(jī)漲價(jià)潮又來(lái)了！高通聯(lián)發(fā)科明年擁抱臺(tái)積電2nm：芯片成本大漲
- 4月17日消息，博主數(shù)碼閑聊站表示，明年蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科確定上臺(tái)積電2nm，預(yù)計(jì)成本大幅增長(zhǎng)，新機(jī)或許還會(huì)有一輪漲價(jià)。去年10月份，因高通驍龍8 Elite、聯(lián)發(fā)科天璣9400芯片切入臺(tái)積電3nm工藝，國(guó)產(chǎn)品牌集體漲價(jià)。當(dāng)時(shí)REDMI總經(jīng)理王騰解釋，旗艦機(jī)漲價(jià)有兩個(gè)原因，一是旗艦處理器升級(jí)最新3nm制程，工藝成本大幅增加；二是內(nèi)存、存儲(chǔ)經(jīng)過持續(xù)一年的漲價(jià)，已經(jīng)來(lái)到了最高點(diǎn)，所以大內(nèi)存的版本漲幅更大。展望明年，高通驍龍8 Elite 3、天璣9600等芯片都將升級(jí)為全新的臺(tái)積電2nm制程，成本將會(huì)再度上漲
- 關(guān)鍵字： 手機(jī) 漲價(jià) 高通 聯(lián)發(fā)科 臺(tái)積電 2nm 芯片成本大漲
消息稱蘋果/高通/聯(lián)發(fā)科確定明年上臺(tái)積電 2nm，預(yù)計(jì)成本大幅增長(zhǎng)
- 4 月 17 日消息，據(jù)博主@數(shù)碼閑聊站 今日爆料，明年蘋果 / 高通 / 聯(lián)發(fā)科確定上臺(tái)積電 2nm，預(yù)計(jì)成本大幅增長(zhǎng)，新機(jī)或許還會(huì)有一輪漲價(jià)。爆料還稱，今年的旗艦處理器 A19 Pro、驍龍 8 Elite 2、天璣 9500 都還會(huì)采用臺(tái)積電 N3P 工藝。對(duì)于今年的手機(jī)是否會(huì)漲價(jià)，該博主稱“今年還好，子系甚至有準(zhǔn)備降價(jià)的”。臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年下半年將開始量產(chǎn) 2nm 芯片。有消息稱臺(tái)積電 2 納米下半年量產(chǎn)的首批產(chǎn)能已被蘋果包下，將用來(lái)生產(chǎn) A20 處理器，蘋果今年仍將穩(wěn)居臺(tái)積電最大客戶。分析師郭明錤
- 關(guān)鍵字： 蘋果 高通 聯(lián)發(fā)科 臺(tái)積電 2nm
AMD拿下臺(tái)積電2nm工藝首發(fā)
- 4月15日，AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC處理器「Venice」正式完成投片（tape out），成為業(yè)界首款采用臺(tái)積電2nm（N2）制程技術(shù)的高效能運(yùn)算（HPC）處理器，預(yù)計(jì)將于明年上市。這也是AMD首次拿下臺(tái)積電最新制程工藝的首發(fā)，而以往則都是由蘋果公司的芯片首發(fā)。N2是臺(tái)積電首個(gè)依賴于全環(huán)繞柵極晶體管（Gate All Around，GAA）的工藝技術(shù)，預(yù)計(jì)與N3（3nm）相比，可將功耗降低24%至35%，或者在相同運(yùn)行電壓下的性能提高15%，同時(shí)晶體管密度是N3的1.15倍，這些提升主要得
- 關(guān)鍵字： AMD N2 制程 臺(tái)積電
臺(tái)積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國(guó)，以滿足當(dāng)?shù)乜蛻舻男枨?/a>
- 上個(gè)月臺(tái)積電（TSMC）宣布，有意增加1000億美元投資于美國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體制造，擴(kuò)大投資計(jì)劃包括了三座新建晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝設(shè)施、以及一間主要的研發(fā)團(tuán)隊(duì)中心。臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠名為Fab 21，前后花了大概五年時(shí)間才完成第一間晶圓廠。不過隨著項(xiàng)目的推進(jìn)，臺(tái)積電在當(dāng)?shù)氐脑O(shè)施建造速度變得更快。據(jù)TrendForce報(bào)道，臺(tái)積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國(guó)，以滿足當(dāng)?shù)乜蛻羧找嬖鲩L(zhǎng)的需求。臺(tái)積電正在確定FOPLP封裝的最終規(guī)格，以加快大規(guī)模生產(chǎn)的時(shí)間表。初代產(chǎn)品預(yù)計(jì)采用300mm x
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 TSMC FOPLP 封裝技術(shù) 美國(guó) 半導(dǎo)體 晶圓
臺(tái)積電面臨10億美元罰款和100%關(guān)稅威脅
- 4月9日，美國(guó)總統(tǒng)特朗普在共和黨全國(guó)委員會(huì)活動(dòng)上自爆曾威脅臺(tái)積電，若不繼續(xù)在美國(guó)投資建廠，其產(chǎn)品進(jìn)入美國(guó)將面臨高達(dá)100%的關(guān)稅。特朗普還批評(píng)拜登政府此前為臺(tái)積電亞利桑那州工廠提供66億美元補(bǔ)貼，主張通過稅收威脅而非財(cái)政激勵(lì)推動(dòng)制造業(yè)回流。10億美元罰款？據(jù)路透社援引知情人士透露，臺(tái)積電可能面臨10億美元或更高的罰款，作為美國(guó)對(duì)其生產(chǎn)的芯片的出口管制調(diào)查結(jié)果。臺(tái)積電被指控通過第三方為中國(guó)大陸科技企業(yè)代工生產(chǎn)近300萬(wàn)顆AI芯片，而根據(jù)美國(guó)出口管制條例，違規(guī)交易最高可被處以交易金額兩倍的罰款。臺(tái)積電在一份聲
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 關(guān)稅 AI 芯片
全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)新變局
- 復(fù)雜國(guó)際形勢(shì)疊加終端需求冰火兩重天的景象之下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)迎來(lái)調(diào)整時(shí)期，人事變動(dòng)、整合傳聞屢見不鮮。與此同時(shí)，先進(jìn)制程正加速?zèng)_刺，2nm芯片在今年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)/試產(chǎn)，開啟半導(dǎo)體技術(shù)新紀(jì)元。三星晶圓代工部門調(diào)整，加強(qiáng)HBM業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力近期，媒體報(bào)道三星電子DS部門針對(duì)代工部門人員發(fā)布了“定期招聘”公告，三星計(jì)劃把超過兩位數(shù)的晶圓代工事業(yè)部人員調(diào)往存儲(chǔ)器制造技術(shù)中心、半導(dǎo)體研究院以及全球制造及基礎(chǔ)設(shè)施總部。業(yè)界透露，三星此次調(diào)整主要是為了加強(qiáng)HBM領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力，其中三星半導(dǎo)體研究所招募人員是為了“加強(qiáng)HBM和封裝
- 關(guān)鍵字： 晶圓代工 2納米 臺(tái)積電 三星 英特爾
三星已組建專注于1nm芯片開發(fā)的團(tuán)隊(duì) 量產(chǎn)目標(biāo)定于2029年
- 2nm GAA 工藝進(jìn)展被傳順利，但三星的目標(biāo)是通過推出自己的 1nm 工藝來(lái)突破芯片開發(fā)的技術(shù)限制。一份新報(bào)告指出，該公司已經(jīng)成立了一個(gè)團(tuán)隊(duì)來(lái)啟動(dòng)這一工藝。然而，由于量產(chǎn)目標(biāo)定于 2029 年，我們可能還需要一段時(shí)間才能看到這種光刻技術(shù)的應(yīng)用。1nm 晶圓的開發(fā)需要“高 NA EUV 曝光設(shè)備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購(gòu)這些機(jī)器。另一方面，臺(tái)積電也正在推出 2 納米以下芯片，據(jù)報(bào)道，這家臺(tái)灣半導(dǎo)體巨頭已于 4 月初開始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA 技術(shù)的試產(chǎn)過程中
- 關(guān)鍵字： 三星 1nm 芯片 臺(tái)積電 NA EUV
小米新款SoC或采用臺(tái)積電N4P工藝，圖形性能優(yōu)于第二代驍龍8
- 去年末有報(bào)道稱，小米即將迎來(lái)了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單，批量生產(chǎn)自己設(shè)計(jì)的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭載于小米5c，對(duì)SoC并不陌生。據(jù)Wccftech報(bào)道，雖然中國(guó)大陸的芯片設(shè)計(jì)公司或許不能采用臺(tái)積電（TSMC）最新的制造工藝，但最新消息指出，相關(guān)的管制措施暫時(shí)沒有影響到小米，該款SoC有望在今年晚些時(shí)候推出。不過與之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工藝，而是4nm工藝，具體來(lái)說(shuō)是N4P。小米的SoC在C
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創(chuàng)意推全球首款HBM4 IP 于臺(tái)積電N3P制程成功投片
- 創(chuàng)意2日宣布，自主研發(fā)的HBM4控制器與PHY IP完成投片，采用臺(tái)積電最先進(jìn)N3P制程技術(shù)，并結(jié)合CoWoS-R先進(jìn)封裝，成為業(yè)界首個(gè)實(shí)現(xiàn)12 Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率之HBM4解決方案，為AI與高效能運(yùn)算（HPC）應(yīng)用樹立全新里程碑。HBM4 IP以創(chuàng)新中間層（Interposer）布局設(shè)計(jì)優(yōu)化信號(hào)完整性（SI）與電源完整性（PI），確保在CoWoS系列封裝技術(shù)下穩(wěn)定運(yùn)行于高速模式。 創(chuàng)意指出，相較前代HBM3，HBM4 PHY（實(shí)體層）效能顯著提升，帶寬提升2.5倍，滿足巨量數(shù)據(jù)傳輸需求、功耗效率提升1
- 關(guān)鍵字： 創(chuàng)意 HBM4 IP 臺(tái)積電 N3P
Intel、臺(tái)積電、三星激戰(zhàn)2nm！三巨頭先進(jìn)工藝制程進(jìn)度一覽
- 4月3日消息，日前舉辦的Vision 2025大會(huì)上，Intel正式宣布18A工藝制程技術(shù)已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段。預(yù)計(jì)今年下半年首發(fā)該工藝的Panther Lake處理器將進(jìn)行大批量生產(chǎn)。此舉為“四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)（5N4Y）”計(jì)劃立下關(guān)鍵里程碑。按照Intel的愿景，18A將是其反超臺(tái)積電、重奪半導(dǎo)體工藝世界第一的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。值得關(guān)注的是，此為新任華人CEO陳立武接棒后首度公開亮相，業(yè)界解讀Intel此舉在向臺(tái)積電、三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手展示技術(shù)肌肉。Intel 18A工藝將全球首次同時(shí)采用PowerVia背面供電和Rib
- 關(guān)鍵字： 英特爾 臺(tái)積電 三星
Intel怎么追！臺(tái)積電完美搞定2nm 扭頭就沖向1.4nm
- 4月2日消息，如今的臺(tái)積電，真是把新的制程工藝變得似乎易如反掌！早在今年初，就有報(bào)道陳，臺(tái)積電2nm工藝試產(chǎn)進(jìn)度遠(yuǎn)超預(yù)期，樂觀預(yù)計(jì)位于新竹寶山、高雄的兩座旗艦級(jí)工廠可在年底每月產(chǎn)出8萬(wàn)塊晶圓。現(xiàn)在，臺(tái)積電已經(jīng)順利完成了2nm試產(chǎn)階段，良率超過60％，從而正式進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。目前，臺(tái)積電2nm已經(jīng)開始承接客戶訂單，蘋果、AMD、Intel、博通等客戶正在爭(zhēng)相排隊(duì)，其中寶山工廠的首批產(chǎn)能全部供給蘋果，高雄工廠負(fù)責(zé)其他客戶。緊接著，臺(tái)積電就馬不停蹄地投入了下一代1.4nm工藝的相關(guān)工作。臺(tái)積電寶山P2(Fab
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再加碼！臺(tái)積電在美投資或增加到2000億美元
- 日前，特朗普接受專訪時(shí)再度提到臺(tái)積電赴美投資重大里程碑，談及投資規(guī)模時(shí)，表示最大的芯片制造商將投資2000億美元，并稱臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家是“商界最受敬重的人之一”。臺(tái)積電的“赴美”之路· 2020年，臺(tái)積電宣布在亞利桑那州設(shè)立首個(gè)芯片生產(chǎn)基地，初期預(yù)計(jì)投資約120億美元；· 2023年，臺(tái)積電計(jì)劃進(jìn)一步增加在美國(guó)的投資力度，決定在亞利桑那州增設(shè)第二個(gè)晶圓制造廠，這使臺(tái)積電在美國(guó)的總投資額提升至400億美元；· 2024年，為了更多利用《芯片和科學(xué)法案》所提供的補(bǔ)貼支持，臺(tái)積電再次擴(kuò)大了其在美國(guó)的布局計(jì)劃，
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 2nm 晶圓廠
臺(tái)積電介紹
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡(jiǎn)介
臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立，是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]
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