- 隨著三星推出最新的折疊手機——Galaxy Z Flip7 和 Z Fold7，人們的目光現在轉向了蘋果的第一款折疊手機。據報道，三星顯示部門已獲得一份多年獨家合同，為該設備供應折疊 OLED 面板，該設備定于 2026 年推出，信息來源為 ETNews。報道稱，三星顯示正在其位于忠清南道安山市 A3 工廠建設一條專用生產線，以獨家供應蘋果的折疊屏 OLED 面板。該項目于 2024 年末開始，據 ETNews 報道，現已接近完成。據 ETNews 報道，蘋果計劃在 2026 年推出年產量為 6
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三星 折疊屏手機 Apple
- 7 月 8 日，Cadence通過其微信公眾號正式宣布，這家美國公司最近決定擴大與三星晶圓廠的合作。雙方已簽署一項新的多年 IP 協議，以擴展Cadence?存儲器和接口 IP 解決方案在三星晶圓廠先進 SF4X、SF5A 和 SF2P 工藝節點的部署。這些解決方案將支持人工智能數據中心、汽車系統和下一代射頻連接的高性能、低功耗應用。通過結合Cadence的 AI 驅動設計和硅解決方案與三星的先進制造技術，這項合作旨在加速基于三星領先節點的尖端系統級芯片（SoC）、芯片和 3D-IC 產品的上市時間（TT
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Cadence 三星 晶圓代工
- 三星在 HBM3E 驗證方面與英偉達的持續問題繼續影響其業績，對其第二季度結果沒有提振作用。根據 Yonhap 和 朝鮮日報 的報道，三星第二季度營業利潤暴跌近 56% 至 46 萬億韓元——遠低于分析師預期的 60 萬億韓元。 路透社 指出，這是三星六季度以來最弱的季度利潤。盡管預計下半年會出現轉機，但 Techstrong.IT 的報告引用分析師警告稱，特朗普剛剛宣布的對日本和韓國的 25% 關稅可能會對索尼和三星等公司產
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三星 市場分析
- 根據兩份新報告，臺積電和三星電子正在將其在美國的晶圓廠業務轉向不同的方向。《華爾街日報》今天援引消息人士的話說，臺積電正在加速對其亞利桑那州晶圓廠的投資。與此同時，據報道，三星正在推遲德克薩斯州一家芯片工廠的竣工。兩家公司的建設項目預計耗資超過 1800 億美元。 據《華爾街日報》報道，臺積電正在放慢在日本的晶圓廠建設項目，以便為其在亞利桑那州的加速投資計劃提供更多資源。后一項計劃將使該公司在鳳凰城附近建造一個龐大的制造中心，該中心將容納九個不同的設施。該中心預計將滿負荷雇用 6,000 名專業
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臺積電 三星 晶圓廠
- 雖然英特爾已從 18A 轉向 14A 進行戰略權衡，據報道三星通過優先考慮 2 納米和 4 納米而不是 1.4 納米做出了妥協，根據 ZDNet。同時，Chosun Biz 透露，這家陷入困境的半導體巨頭還計劃通過將這些節點的價格定價比臺積電低約 30%來提高 7 納米以下工藝的需求——這仍然是中國競爭對手無法企及的領域。Chosun Biz 報道稱，三星的 4 納米工藝旨在通過 SF4U 提升約 20%的能效來贏得訂單。據三星稱，SF4U 是一款高端 4 納米變體，采用光學縮小技術來
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三星 3nm 晶圓代工
- 根據 ZDNet 的數據，雖然英特爾已將重點從 14A 轉移到 18A，但據報道，三星通過優先考慮 2nm 和 4nm 而不是 1.4nm 做出了妥協。與此同時，Chosun Biz 透露，這家陷入困境的半導體巨頭還計劃通過使節點定價比臺積電低約 30% 來增加對 7nm 以下工藝的需求——中國競爭對手仍然無法企及。Chosun Biz 表示，對于其 4nm 工藝，三星的目標是通過 SF4U 將能效提高約 20% 來贏得訂單。據三星稱，SF4U 是一種優質的 4nm 變體，使
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- 全球新興記憶體與儲存技術市場正快速擴張，而臺積電、三星、美光、英特爾等半導體巨頭正與專業IP供應商合作，積極推動先進非揮發性存儲器解決方案的商業化。過去兩年，相變內存（PCM）、電阻式隨機存取內存 （RRAM） 和 自旋轉移矩磁阻式隨憶式內存 （STT-MRAM） 已從實驗室走向次22納米節點的試產階段，并運用3D堆疊技術實現高密度，以解決傳統DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。在臺積電、三星、美光、英特爾等業界領導者的合作下，每年超過50億美元的研發投入加速新材料與制程的成熟。 這
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AI 內存 臺積電 三星 存儲技術
- 根據韓國媒體 Business Post 的報道，三星電子似乎接近確保高通成為其下一代 2nm 代工工藝的第一個主要客戶。這一發展可能標志著三星朝著重振苦苦掙扎的合同芯片制造業務邁出了重要一步，該業務一直面臨持續的良率問題，并失去了臺積電的關鍵客戶。據報道，高通正在使用三星的 2nm 技術對多款芯片進行量產測試，包括其即將推出的 Snapdragon 8 Elite 2 移動處理器的高級版本。這款代號為“Kaanapali”的芯片將有兩種變體。基本版本預計將由臺積電使用其 3nm 工藝
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晶圓代工 三星 高通 2nm
- 據外媒Business Post報道，三星計劃在2026年推出的Galaxy S26系列旗艦智能手機，除了搭載基于自家2nm制程代工的Exynos 2600芯片外，還將采用高通新一代驍龍8系列旗艦芯片，可能命名為Snapdragon 8 Elite Gen 2。值得注意的是，這款高通芯片將不再由臺積電獨家使用N3P制程代工，而是部分交由三星2nm制程代工，專為三星Galaxy系列設備定制。報道顯示，高通的下一代芯片策略將有重大調整，計劃為新一代驍龍旗艦手機芯片開發兩個版本。一個版本采用臺積電3nm制程，供
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- 根據韓國媒體 Business Post 的報道，三星電子似乎即將獲得高通作為其下一代 2 納米晶圓代工工藝的首個主要客戶。這一發展可能標志著三星苦苦掙扎的合同芯片制造業務復蘇的重要一步，該業務一直面臨持續的良率問題和關鍵客戶流失給臺積電的情況。據報道，高通正在使用三星的 2 納米技術對數款芯片進行大規模量產測試，包括其即將推出的高端版驍龍 8 Elite 2 移動處理器。這款芯片的代號為“Kaanapali”，將提供兩種變體。基礎版本預計將由臺積電使用其 3 納米工藝生產，而高端版“Kaanapali
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- 在全球芯片代工市場的激烈競爭中，格局正發生深刻變化。雖然臺積電一直保持著其主導地位，但曾經穩居第二的三星電子如今面臨嚴峻挑戰，中芯國際展現出強勁勢頭正在追趕這家韓國巨頭。調研機構TrendForce發布的報告顯示，2025年第一季度，全球前十大晶圓代工廠中，臺積電憑借先進制程導入速度和良率控制方面的絕對優勢，以67.6%的份額穩居榜首。值得注意的是，中芯國際正以驚人的速度追趕三星電子，其市場份額已攀升至6%并持續增長，而三星電子的市場份額已降至7.7%。第四名至第十名分別為聯電 (UMC)、格芯 (Glo
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- 據報道，隨著主要競爭對手臺積電和英特爾的目標是在 2025 年下半年實現 2nm 和 18A 的量產，三星也在調整其業務戰略。據 ZDNet 稱，它現在專注于提高和優化其當前先進節點的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，雖然沒有給出修改后的時間表，但該報告表明，三星的 1.4nm 生產現在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前開始。據 ZDNet 稱，該更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高級代工生態系統）論壇 2025”期間發布的。據報道，在此次活動中，三星透
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- 市場傳言越來越多，稱三星正在積極將資源轉向 2 納米開發，計劃明年在其德克薩斯州工廠推出下一代工藝，可能試圖超越臺積電。然而，據半導體行業內的消息人士稱， 商業時報報道，三星當前的 3 納米 GAAFET 技術大致與競爭對手的 4 納米鰭式場效應晶體管節點相當，這引發了對其即將到來的 2 納米工藝可能仍不及臺積電最強大的 3 納米鰭式場效應晶體管一代的擔憂。同時，臺積電繼續擴展其 3 納米工藝系列，包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同應用變體。該報告指出，這些節點預計將仍然是主要客戶的首選。
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- 市場近期盛傳三星將押注資源發展2納米，預計最快明年于美國德州廠率先導入2納米制程，企圖彎道超車臺積電。 半導體業界透露，三星目前以GAAFET打造之3納米，約為目前競爭對手4納米FinFET水平，分析2納米效能恐怕不如臺積電最后也是最強一代之3納米FinFET。 尤其臺積電再針對3納米發展更多家族成員，包括N3X、N3C、N3A等應用，未來仍會是主流客戶之首選。盤點目前智能手機旗艦芯片，皆使用臺積電第二代3納米（N3E），僅有三星Exynos 2500為自家3納米GAAFET; 各家業者今年預計迭代進入第
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- 臺積電和三星在晶圓代工領域競爭激烈，兩家大廠相繼赴美國設廠，根據ZDNet Korea報導，三星可能比臺積電更早在美國推出2納米制程，預計時間點在明年第一季，以增強在美國芯片市場的影響力。 但報導也質疑，三星先進制程的良率偏低，泰勒工廠能否達到芯片生產階段仍存在不確定性。報導指出，三星計劃將在美國推出首個國產2納米制程，以加強競爭力，據悉公司已開始為在泰勒工廠的生產線做準備。 雖然目前美國2納米制程生產尚處在規劃階段，但考量大型科技公司對從美國采購芯片展現濃厚興趣，三星對此持樂觀態度。三星美國廠野心勃勃，
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臺積電 三星 2納米
三星介紹
韓國三星電子成立于1969年，正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有logo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經成為對中國投資最大的韓資企業之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業的水平。2003年，三星品牌價值108.5億美元，世界排名25位，被商務周刊評選為世界上發展最快的高科技品牌。
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