臺(tái)積電 文章 進(jìn)入臺(tái)積電技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電沖刺2納米市場(chǎng)，CyberShuttle為關(guān)鍵秘密武器
- 面對(duì)2025年即將進(jìn)入量產(chǎn)階段，晶圓代工龍頭臺(tái)積電已經(jīng)對(duì)2納米節(jié)點(diǎn)制程進(jìn)行試產(chǎn)，傳出良率超過了60%。 針對(duì)如此高的良率，預(yù)計(jì)臺(tái)積電可能會(huì)以更快的速度，將良率提升到70%以上，為2納米節(jié)點(diǎn)制程技術(shù)量產(chǎn)留下更加充裕的調(diào)適時(shí)間。根據(jù)外媒 Wccftech 的報(bào)導(dǎo)，2 納米節(jié)點(diǎn)制程技術(shù)將逐漸從試產(chǎn)轉(zhuǎn)移到少量生產(chǎn)階段，不久后就會(huì)將成品發(fā)送給客戶。 按照臺(tái)積電的計(jì)劃，2納米節(jié)點(diǎn)制程技術(shù)將于2025年進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段，而且有著高于3納米節(jié)點(diǎn)制程的市場(chǎng)需求，不但能復(fù)制3納米節(jié)點(diǎn)制程的成功，甚至有超越的趨勢(shì)。
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羅姆、臺(tái)積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
- 12 月 12 日消息，日本半導(dǎo)體制造商羅姆 ROHM 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 10 日宣布同臺(tái)積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。羅姆此前已于 2023 年采用臺(tái)積電的 650V?氮化鎵 HEMT（注：高電子遷移率晶體管）工藝推出了 EcoGaN 系列新產(chǎn)品。羅姆、臺(tái)積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術(shù)與臺(tái)積電業(yè)界先進(jìn)的 GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）工藝技術(shù)優(yōu)勢(shì)結(jié)合起來，滿足市場(chǎng)對(duì)高耐壓和高頻特性優(yōu)異的功率器件日益增長(zhǎng)的需求。臺(tái)積電在新聞稿中提到，
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臺(tái)積電拿下決定性戰(zhàn)役
- 在2nm工藝制程的決戰(zhàn)上，臺(tái)積電又一次跑到了前面。12月6日，據(jù)中國臺(tái)灣媒體《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電已在新竹縣的寶山工廠完成2nm制程晶圓的試生產(chǎn)工作。 據(jù)悉，此次試生產(chǎn)的良品率高達(dá)60%，大幅超越了公司內(nèi)部的預(yù)期目標(biāo)。值得一提的是，按照臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家曾在三季度法說會(huì)上的表態(tài)，2nm制程的市場(chǎng)需求巨大，客戶訂單未來可能會(huì)多于3nm制程。從目前已知信息來看，臺(tái)積電已經(jīng)規(guī)劃了新竹、高雄兩地的至少四座工廠用于2nm制程的生產(chǎn)，在滿產(chǎn)狀態(tài)下，四座工廠在2026年年初的2nm總產(chǎn)能將達(dá)12萬片晶圓。在三星工藝開
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消息稱臺(tái)積電 2nm 芯片生產(chǎn)良率達(dá) 60% 以上，有望明年量產(chǎn)
- 12 月 9 日消息，在半導(dǎo)體行業(yè)中，“良率”（Yield）是一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)，指的是從一片硅晶圓中切割出的可用芯片通過質(zhì)量檢測(cè)的比例。如果晶圓廠的良率較低，制造相同數(shù)量的芯片就需要更多的晶圓，這會(huì)推高成本、降低利潤率，并可能導(dǎo)致供應(yīng)短缺。據(jù)外媒 phonearena 透露，臺(tái)積電計(jì)劃明年開始量產(chǎn) 2 納米芯片，目前該公司已在位于新竹的臺(tái)積電工廠進(jìn)行試產(chǎn)，結(jié)果顯示其 2nm 制程的良率已達(dá)到 60% 以上。這一數(shù)據(jù)還有較大提升空間，外媒稱，通常相應(yīng)芯片良率需要達(dá)到 70% 或更高才能進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段。以目前
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誰來收拾英特爾殘局？外媒點(diǎn)名臺(tái)積電大將當(dāng)CEO
- 英特爾日前在官網(wǎng)公告，執(zhí)行長(zhǎng)季辛格（Pat Gelsinger）已在12月1日正式退休，外界好奇英特爾新執(zhí)行長(zhǎng)誰接任，根據(jù)美國財(cái)經(jīng)報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電、超威、英偉達(dá)等是英特爾最明顯的人才庫。報(bào)導(dǎo)指出，臺(tái)積電為蘋果、超威、英偉達(dá)等公司生產(chǎn)最先進(jìn)芯片，臺(tái)積電制造能力遠(yuǎn)超越英特爾，臺(tái)積電大將包括資深副總裁張曉強(qiáng)、資深副總經(jīng)理暨共同營運(yùn)長(zhǎng)侯永清，亞利桑那廠執(zhí)行長(zhǎng)王英郎都是不錯(cuò)人選。報(bào)導(dǎo)認(rèn)為，超威執(zhí)行長(zhǎng)蘇姿豐不大可能接手英特爾，目前超威市值是英特爾逾兩倍，挖角蘇姿豐十分困難。跟英偉達(dá)挖人才也不容易，因?yàn)辄S仁勛創(chuàng)造出摒棄傳統(tǒng)
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臺(tái)積電2nm良率提高6%：可為客戶節(jié)省數(shù)十億美元
- 臺(tái)積電將于明年下半年開始量產(chǎn)其2nm（N2）制程工藝，目前臺(tái)積電正在盡最大努力完善該技術(shù)，以降低可變性和缺陷密度，從而提高良率。一位臺(tái)積電員工最近對(duì)外透露，該團(tuán)隊(duì)已成功將N2測(cè)試芯片的良率提高了6%，為公司客戶“節(jié)省了數(shù)十億美元”。這位自稱 Kim 博士的臺(tái)積電員工沒有透露該代工廠是否提高了 SRAM 測(cè)試芯片或邏輯測(cè)試芯片的良率。需要指出的是，臺(tái)積電在今年1月份才開始提供 2nm 技術(shù)的穿梭測(cè)試晶圓服務(wù)，因此其不太可能提高之前最終將以 2nm 制造的實(shí)際芯片原型的良率，所以應(yīng)該是指目前最新的2nm技術(shù)的
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臺(tái)積電據(jù)稱正與英偉達(dá)洽談 擬在亞利桑那州工廠生產(chǎn)Blackwell芯片
- 財(cái)聯(lián)社12月6日訊（編輯 夏軍雄）據(jù)媒體援引消息人士報(bào)道，臺(tái)積電正與英偉達(dá)洽談，計(jì)劃在其位于美國亞利桑那州的新工廠生產(chǎn)Blackwell人工智能（AI）芯片。作為全球最大的芯片制造商，臺(tái)積電計(jì)劃在美國亞利桑那州建立三座芯片工廠，該公司將獲得美國政府通過《芯片法案》提供的支持。美國政府上月宣布，將為臺(tái)積電提供最多66億美元補(bǔ)貼，外加最高可達(dá)50億美元的低息政府貸款，以及附帶條件的稅收優(yōu)惠政策。第一座工廠將于2025年上半年開始投產(chǎn)，該工廠采用4納米制程技術(shù)。第二座工廠采用最先進(jìn)的2納米制程技術(shù)，其投產(chǎn)時(shí)間預(yù)
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蘋果向臺(tái)積電訂購M5芯片 生產(chǎn)可能在2025年下半年開始
- The Elec一份新的韓語報(bào)道稱，隨著臺(tái)積電開始為未來的設(shè)備生產(chǎn)開發(fā)下一代處理器，蘋果已向臺(tái)積電訂購了M5芯片。M5系列預(yù)計(jì)將采用增強(qiáng)的ARM架構(gòu)，據(jù)報(bào)道將使用臺(tái)積電先進(jìn)的3納米工藝技術(shù)制造。蘋果決定放棄臺(tái)積電更先進(jìn)的2納米，據(jù)信主要是出于成本考慮。盡管如此，M5將比M4有顯著的進(jìn)步，特別是通過采用臺(tái)積電的集成芯片系統(tǒng)(SOIC)技術(shù)。與傳統(tǒng)的2D設(shè)計(jì)相比，這種3D芯片堆疊方法增強(qiáng)了散熱管理并減少了漏電。據(jù)稱，蘋果擴(kuò)大了與臺(tái)積電在下一代混合SOIC封裝方面的合作，該封裝也結(jié)合了熱塑性碳纖維復(fù)合材料成型技
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臺(tái)積電2027年推出超大版CoWoS封裝，可放置12個(gè)HBM4堆棧
- 據(jù)媒體報(bào)道，日前，臺(tái)積電11月歐洲開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）論壇上宣布，其有望在2027年認(rèn)證超大版本的CoWoS（晶圓上芯片）封裝技術(shù)，該技術(shù)將提供高達(dá)9個(gè)掩模尺寸的中介層尺寸和12個(gè)HBM4內(nèi)存堆棧，推測(cè)它將在2027年至2028年被超高端AI處理器采用。據(jù)悉，這一全新封裝方法將解決性能要求最高的應(yīng)用，并讓AI（人工智能）和HPC（高性能計(jì)算）芯片設(shè)計(jì)人員能夠構(gòu)建手掌大小的處理器。報(bào)道稱，完全希望采用臺(tái)積電先進(jìn)封裝方法的公司也能使用其系統(tǒng)級(jí)集成芯片（SoIC）先進(jìn)封裝技術(shù)垂直堆疊其邏輯，以進(jìn)一步提高晶體管
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臺(tái)積電將推出新CoWoS封裝技術(shù)：打造手掌大小高端芯片
- 11月28日消息，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）在其歐洲開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）論壇上宣布，正在按計(jì)劃對(duì)其超大版本的CoWoS封裝技術(shù)進(jìn)行認(rèn)證。此項(xiàng)革新性技術(shù)核心亮點(diǎn)在于，它能夠支持多達(dá)9個(gè)光罩尺寸（Reticle Size）的中介層集成，并配備12個(gè)高性能的HBM4內(nèi)存堆棧，專為滿足最嚴(yán)苛的性能需求而生。然而，超大版CoWoS封裝技術(shù)的實(shí)現(xiàn)之路并非坦途。具體而言，即便是5.5個(gè)光罩尺寸的配置，也需仰賴超過100 x 100毫米的基板面積，這一尺寸已逼近OAM 2.0標(biāo)準(zhǔn)尺寸的上限（102 x 165m
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臺(tái)積電前董事長(zhǎng)稱“技術(shù)移美，將損失幾百億”，臺(tái)媒：?jiǎn)栴}是能躲得掉嗎？
- 【環(huán)球時(shí)報(bào)特約記者 陳立非】美國當(dāng)選總統(tǒng)特朗普即將上任，外界關(guān)注美國可能要求臺(tái)積電加速將2納米以下先進(jìn)制程在美落地生產(chǎn)。臺(tái)積電前董事長(zhǎng)劉德音首次稱，如果臺(tái)積電最先進(jìn)的技術(shù)到美國生產(chǎn)，可能會(huì)賠上幾百億美元，引發(fā)島內(nèi)高度關(guān)注。首次提出相關(guān)說法據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，“特朗普2.0時(shí)代”即將來臨，臺(tái)灣工商協(xié)進(jìn)會(huì)理事長(zhǎng)吳東亮26日在一場(chǎng)活動(dòng)上稱，“臺(tái)積電去投資更是重要，這也凸顯一件事情，就是臺(tái)積電跟美國的科技產(chǎn)業(yè)絕對(duì)是合作，不是惡性競(jìng)爭(zhēng)”。他認(rèn)為，臺(tái)積電沒有搶美國生意，因?yàn)榘雽?dǎo)體設(shè)計(jì)還是以美國為主，臺(tái)積電只做制造
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臺(tái)積電 1.6nm，2026 年量產(chǎn)
- 臺(tái)積電表示，先進(jìn)工藝的開發(fā)正按路線圖推進(jìn)，未來幾年基本保持不變。
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斷供7nm芯片后！臺(tái)積電：想要在中美半導(dǎo)體之間保持中立不現(xiàn)實(shí)
- 11月27日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道稱，在美國的要求下，臺(tái)積電從本月11日開始停止向中國大陸客戶供應(yīng)7納米及更先進(jìn)工藝的AI芯片。這一出口限制措施主要針對(duì)用于人工智能加速器以及圖形處理單元（GPU）的芯片。報(bào)道稱，美商務(wù)部的這封信函允許美國繞過相關(guān)規(guī)則制定過程，迅速對(duì)特定公司實(shí)施新的許可要求。幾周前，臺(tái)積電通知美國商務(wù)部，其產(chǎn)品被發(fā)現(xiàn)安裝在大陸一家廠商的產(chǎn)品中，這可能違反了美國對(duì)該廠商的出口限制措施。對(duì)此，相關(guān)專家表示，該事件反映了臺(tái)積電在與大陸有關(guān)的運(yùn)營決策上，仍然沒有獨(dú)立決策能力。隨著臺(tái)積電在美國建廠，其
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臺(tái)積電2nm制程設(shè)計(jì)平臺(tái)準(zhǔn)備就緒，預(yù)計(jì)明年末開始量產(chǎn)
- 在歐洲開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）論壇上，臺(tái)積電表示電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具和第三方IP模塊已為性能增強(qiáng)型N2P/N2X制程技術(shù)做好準(zhǔn)備。目前，Cadence和Synopsys的所有主要工具以及Siemens EDA和Ansys的仿真和電遷移工具，都已經(jīng)通過N2P工藝開發(fā)套件（PDK）版本0.9的認(rèn)證，該版本PDK被認(rèn)為足夠成熟。這意味著各種芯片設(shè)計(jì)廠商現(xiàn)在可以基于臺(tái)積電第二代2nm制程節(jié)點(diǎn)開發(fā)芯片。據(jù)悉，臺(tái)積電計(jì)劃在2025年末開始大規(guī)模量產(chǎn)N2工藝，同時(shí)A16工藝計(jì)劃在2026年末開始投產(chǎn)。臺(tái)積電N2系
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臺(tái)積電A16工藝將于2026年量產(chǎn)
- 近日，臺(tái)積電（TSMC）在其歐洲開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）論壇上宣布，準(zhǔn)備在2025年末開始大規(guī)模量產(chǎn)N2工藝，同時(shí)A16（1.6nm級(jí)）工藝技術(shù)的首批芯片計(jì)劃在2026年末開始投產(chǎn)。臺(tái)積電表示，目前先進(jìn)工藝的開發(fā)正在按路線圖推進(jìn)，預(yù)計(jì)未來幾年基本保持不變。據(jù)悉，A16將結(jié)合臺(tái)積電的超級(jí)電軌（Super Power Rail）架構(gòu)，也就是背部供電技術(shù)。可以在正面釋放出更多的布局空間，提升邏輯密度和效能，適用于具有復(fù)雜訊號(hào)及密集供電網(wǎng)絡(luò)的高性能計(jì)算（HPC）產(chǎn)品。相比于N2P工藝，A16在相同工作電壓下速度快了
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臺(tái)積電介紹
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡(jiǎn)介
臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立，是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]
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