先進封裝被廣泛認為是擴展和超越摩爾定律的關鍵技術途徑。面對芯片擴展的物理限制和工藝節點小型化步伐的放緩,先進封裝通過系統級封裝 (SiP)、異構集成和高密度互連實現計算性能和能效的持續改進。臺積電的技術論壇即將舉行,據外媒報道,預計臺積電將在活動中討論 CoPoS 的技術概念。這將與 2025 Touch Taiwan 技術論壇同時進行,產生協同效應。SemiVision Research 將對 CoPoS 技術進行深入討論,并分析臺灣和全球供應鏈格局。由于這種封裝技術與基于面板的工藝密切相關,臺灣面板制
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先進封裝 TSMC FOPLP CoPoS
TSMC 展示了用于 AI 的集成穩壓器 (IVR),其垂直功率密度是分立設計的五倍。最新的 AI 數據中心芯片需要 1000A 的電流,下一代芯片需要 2000A 或千瓦的功率。提供此類電流的一種關鍵方法是使用垂直功率傳輸,并將功率饋送到 AI 芯片的背面。TSMC 開發的 IVR 使用基于 16nm 工藝技術的電源管理 IC (PMIC),該 ICS 集成了 2.5nH 或 5nH 的“超薄”電感器與硅通孔 (TSV)。該 PMIC 將具有陶瓷層來構建電感器,PMIC 將位于襯底上,與使用 TSMC
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TSMC AI kW 集成穩壓器
在該公司的北美技術研討會上,臺積電業務發展和海外運營辦公室高級副總裁兼聯合首席運營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節點”。臺積電的策略是開發 N3 工藝的多種變體,創建一個全面的、可定制的硅資源?!拔覀兊哪繕耸亲尲尚酒阅艹蔀橐粋€平臺,”Zhang 說。 截至目前,可用或計劃中 N3 變體是:N3B:基準 3nm 工藝。N3E:成本優化的版本,具有更少的 EUV 層數,并且沒有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3,但具有更好的良率。N3P:N3E 的增強版本,在相
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FINFET TSMC
Avicena 將與臺積電合作,為 Avicena 革命性的基于 LightBundle microLED 的互連優化光電探測器 (PD) 陣列。LightBundle 互連支持超過 1 Tbps/mm 的海岸線密度,并以一流的 sub-pJ/bit 能效將超高密度晶粒到晶粒 (D2D) 連接擴展到 10 米以上。這將使 AI 縱向擴展網絡能夠支持跨多個機架的大型 GPU 集群,消除當前銅互連的覆蓋范圍限制,同時大幅降低功耗。日益復雜的 AI 模型推動了對計算和內存性能的需求空前激增,需要具有更高密度、更
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一位消息人士告訴《日經新聞》(Nikkei),決定生產“應該從稍小的方形開始,而不是在早期試驗中從更雄心勃勃的大方形開始。用化學品均勻地涂覆整個基材尤其具有挑戰性。首次生產將于 2017 年在桃園市試行。據報道,日月光科技最初表示正在建造一條使用 600 x 600 毫米基板的 PLP 生產線,但在聽說臺積電的決定后,決定在高雄建造另一條使用 310x310 毫米基板的試點生產線。PLP 技術由 Fraunhofer 于 2016 年推出,當時它與 17 個合作伙伴成立了面板級封裝聯盟 (PLC)。
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TSMC 襯底 PLP
上個月臺積電(TSMC)宣布,有意增加1000億美元投資于美國先進半導體制造,擴大投資計劃包括了三座新建晶圓廠、兩座先進封裝設施、以及一間主要的研發團隊中心。臺積電在美國亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠名為Fab
21,前后花了大概五年時間才完成第一間晶圓廠。不過隨著項目的推進,臺積電在當地的設施建造速度變得更快。據TrendForce報道,臺積電打算將FOPLP封裝技術帶入美國,以滿足當地客戶日益增長的需求。臺積電正在確定FOPLP封裝的最終規格,以加快大規模生產的時間表。初代產品預計采用300mm
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去年末有報道稱,小米即將迎來了自己的SoC,已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作,剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單,批量生產自己設計的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1,搭載于小米5c,對SoC并不陌生。據Wccftech報道,雖然中國大陸的芯片設計公司或許不能采用臺積電(TSMC)最新的制造工藝,但最新消息指出,相關的管制措施暫時沒有影響到小米,該款SoC有望在今年晚些時候推出。不過與之前的消息有些不同,小米的自研芯片采用的并非3nm工藝,而是4nm工藝,具體來說是N4P。小米的SoC在C
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臺積電(TSMC)在去年12月已經對2nm工藝進行了試產,良品率超過了60%,大大超過了預期。目前臺積電有兩家位于中國臺灣的晶圓廠專注在2nm工藝,分別是北部的寶山工廠,還有南部的高雄工廠,已經進入小規模評估階段,初期產能同樣是月產量5000片晶圓。據Wccftech報道,最新消息稱,臺積電將從2025年4月1日起開始接受2nm訂單,蘋果大概率會是首個客戶。傳聞蘋果計劃采用2nm工藝制造A20,用于2026年下半年發布的iPhone 18系列智能手機上。除了蘋果以為,AMD、英特爾、博通和AWS等都準備排
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上周在 IEEE 國際固態電路會議 (ISSCC) 上,先進芯片制造領域最大的兩個競爭對手 Intel 和 TSMC 詳細介紹了使用其最新技術 Intel 18a 和 TSMC N2 構建的關鍵內存電路 SRAM 的功能.多年來,芯片制造商不斷縮小電路規模的能力有所放緩,但縮小 SRAM 尤其困難,因為 SRAM 由大型存儲單元陣列和支持電路組成。兩家公司最密集封裝的 SRAM 模塊使用 0.02
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2月25日消息,蘋果記者Mark Gurman透露,蘋果計劃在未來將5G調制解調器集成到設備的主芯片組中,這意味著未來不會再有A18芯片組與獨立的C1調制解調器,而是兩者合二為一,不過這一成果需要幾年時間才能實現。據悉,蘋果自研5G基帶芯片由iPhone 16e首發搭載,該機同時還搭載了A18芯片,支持Apple智能。報道顯示,蘋果自研的5G基帶芯片C1由臺積電(TSMC)代工,其基帶調制解調器采用4nm工藝,而接收器則采用了7nm工藝,這種組合是兼顧性能與功耗的解決方案。按照計劃,蘋果明年將會擴大自研基
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臺積電本周在舊金山舉行的 IEEE 國際電子設備會議 (IEDM) 上介紹了其下一代晶體管技術。N2 或 2 納米技術是這家半導體代工巨頭首次涉足一種新的晶體管架構,稱為納米片(Nanosheet)或全環繞柵極。三星有制造類似設備的工藝,英特爾和臺積電都預計在 2025 年生產它們。與臺積電目前最先進的工藝 N3(3 納米)相比,這項新技術可將能效提高 15% 或提高 30%,同時將密度提高 15%。N2是“四年多的勞動成果”,臺積電研發和先進技術副總裁Geoffrey Ye
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前一段時間,臺積電(TSMC)董事長兼首席執行官魏哲家表示,客戶對于2nm的詢問多于3nm,看起來更受客戶的歡迎,未來五年內臺積電有望實現連續、健康的增長。目前看來,2nm不但能復制3nm的成功,甚至有超越的勢頭,為此臺積電加快了2nm產線的建設,并進一步擴大了產能規劃。由于臺積電在海外還有新修晶圓廠的計劃,據相關媒體報道,中國臺灣當地的主管部門表示,雖然臺積電在美國、歐洲和日本都在建造先進工藝的晶圓廠,但是最先進的半導體生產技術不能轉移到海外的生產設施,這受到當地法律的保護,核心技術不能外移,現階段無法
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臺灣半導體制造公司(TSMC)是全球最大的半導體代工企業,以其先進的制造技術而聞名。2024年,TSMC的股價預計將繼續上漲,這主要得益于其在人工智能和高性能計算領域的領先地位。隨著人工智能技術的迅速發展,對高端AI GPU的需求不斷增加,這些GPU幾乎全部由TSMC的先進芯片技術提供支持。這使得TSMC在半導體代工服務市場的占有率超過50%,并為其長期增長前景提供了強有力的支撐。此外,TSMC在2024年的收入預計將增長超過20%,這進一步增強了投資者對其股票的信心。這一增長主要得益于其在7納米和5納米
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3nm 時代來臨了!Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術研討會期間發布了面向臺積電 3nm 工藝(N3E)的 112G 超長距離(112G-ELR)SerDes IP 展示,這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產品的新成員。在后摩爾時代的趨勢下,FinFET 晶體管的體積在 TSMC 3nm 工藝下進一步縮小,進一步采用系統級封裝設計(SiP)。通過結合工藝技術的優勢與 Cadence 業界領先的數字信號處理(DSP)SerDes 架構,全新的 112G-ELR
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近日,在韓國科學技術院(KAIST)的演講中,三星電子芯片業務負責人Kyung
Kye-hyun表示,三星將在五年內超越競爭對手臺積電,在芯片代工領域處于領先地位。除了三星,重回代工領域的英特爾也放言,在2030年之前成為該市場的第二大玩家。代工市場硝煙起,市場地貌又將如何重塑?01三星放言:5年內超越臺積電Kyung
Kye-hyun表示,當下臺積電在芯片制造方面遠遠領先于三星。他認為三星需要五年時間才能趕上并超過臺積電,盡管兩家公司目前都在生產3nm半導體,這些技術的營銷名稱可能相似,但它們在
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tsmc介紹
TSMC
簡介
TSMC成立于1987年,是全球最大的專業集成電路制造服務公司。身為專業集成電路制造服務業的創始者與領導者,TSMC在提供先進晶圓制程技術與最佳的制造效率上已建立聲譽。自創立開始,TSMC即持續提供客戶最先進的技術;2006年的總產能超過七百萬片約當八吋晶圓,全年營收約占專業集成電路制造服務領域的百分之五十。
2002年,TSMC成為第一家進入全球營收前 [
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