Intel、臺積電、三星激戰2nm！三巨頭先進工藝制程進度一覽

4月3日消息，日前舉辦的Vision 2025大會上，Intel正式宣布18A工藝制程技術已進入風險生產階段。預計今年下半年首發該工藝的Panther Lake處理器將進行大批量生產。

此舉為“四年五個節點（5N4Y）”計劃立下關鍵里程碑。按照Intel的愿景，18A將是其反超臺積電、重奪半導體工藝世界第一的關鍵節點。

值得關注的是，此為新任華人CEO陳立武接棒后首度公開亮相，業界解讀Intel此舉在向臺積電、三星等競爭對手展示技術肌肉。

Intel 18A工藝將全球首次同時采用PowerVia背面供電和RibbonFET柵極環繞（GAA）晶體管技術，臺積電則會在今年下半年2nm使用Nanosheet晶體管技術、2026年下半年導入超級電軌（Super Power Rail），2027年進行1.4nm風險性試產。

半導體從業者透露，若Intel 18A推進順利，將會比臺積電2nm更早導入晶背供電技術。

至于三星，雖然最早導入GAAFET晶體管技術，但良率始終未達量產水準。目前則主要關注三星自家Exynos 2600芯片，是否會在5月投入生產。

不過，三星預計2027年才會在SF2Z加上背面供電技術，推進上較競爭對手相對緩慢。

在三巨頭往2nm前進之際，日本Rapidus也不容小覷。據悉，其北海道千歲市的2nm晶圓廠試產產線計劃將在本月啟用，瞄準2027年開始量產。

綜合來看，臺積電在先進工藝制程上有比較明顯的速度優勢，Intel正在新CEO的帶領下奮起直追，成敗關鍵就看18A是否能如期量產達成目標。