臺積電美國晶圓廠良率超過臺灣晶圓廠！

10月25日消息，據(jù)彭博社報道，臺積電位于美國亞利桑那州鳳凰城的第一座晶圓廠早期的生產(chǎn)良率已經(jīng)超過其位于中國臺灣類似晶圓廠的水平。這對于這座最初因缺乏熟練安裝工人導(dǎo)致的量產(chǎn)進度延誤的晶圓廠來說是一個重要突破。

報道援引一位參加網(wǎng)絡(luò)研討會的人士的說法，臺積電美國部門總裁瑞克·卡西迪（Rick Cassidy）在本周三的網(wǎng)絡(luò)研討會上表示，臺積電亞利桑那州鳳凰城晶圓廠目前的良率水平比臺灣的類似晶圓廠高出了約4個百分點。眾所周知，良率是半導(dǎo)體行業(yè)的一個關(guān)鍵指標，因為它決定了生產(chǎn)出的芯片的可用性，芯片良率越高，則可以更大程度地攤薄制造成本。

值得注意的是，在今年9月，彭博社就曾引述消息人士的話報道稱，臺積電位于亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月就已經(jīng)開始基于4nm制程進行工程測試晶圓的生產(chǎn)，其良率已經(jīng)與臺積電位于中國臺灣的南科廠良率相當。臺積電當時也表示，項目照計劃進行，并且進展良好。

臺積電董事長兼總裁魏哲家近日在三季度業(yè)績法說會上也表示：“我們的第一座工廠在四月份開始使用4納米工藝技術(shù)進行工程晶圓生產(chǎn)，結(jié)果非常令人滿意，良率非常好。這是臺積電及其客戶的重要運營里程碑，展示了臺積電強大的制造能力和執(zhí)行力?！?/p>

對于最新的關(guān)于臺積電亞利桑那州晶圓廠良率已經(jīng)超過臺灣晶圓廠的說法，臺積電發(fā)言人拒絕發(fā)表評論。

根據(jù)規(guī)劃，臺積電將在美國亞利桑那州鳳凰城建設(shè)三座晶圓廠，其中晶圓一廠（Fab21）是4nm制程晶圓廠，晶圓二廠則是3nm晶圓廠。此前由于缺乏熟練工人等問題，導(dǎo)致晶圓一廠的量產(chǎn)時間從2024年推遲到了2025年，晶圓二廠的量產(chǎn)時間也由原定的2026年推遲到了2028年。兩座晶圓廠完工后，合計將年產(chǎn)超過60萬片晶圓，換算至終端產(chǎn)品市場價值預(yù)估超過400億美元。此外，臺積電還將在亞利桑那州建設(shè)第三座晶圓廠，預(yù)計將在21世紀20年代底（2029～2030年），采用2nm或更先進的制程技術(shù)進行芯片生產(chǎn)。

臺積電這三座晶圓廠的總投資將會達到650億美元。為此，美國政府已經(jīng)承諾將依據(jù)《芯片與科學(xué)法案》為臺積電提供66億美元補貼，還有25%的稅收抵免，以及50億美元的貸款。

雖然在美國生產(chǎn)芯片的成本可能要比臺灣高出50%以上，但是得益于美國政府的大力推動，以及美國客戶關(guān)于供應(yīng)鏈安全方面的考慮，蘋果、英偉達等公司此前都已表態(tài)將會在臺積電美國晶圓廠生產(chǎn)芯片。

編輯：芯智訊-浪客劍