臺積電 文章 最新資訊
臺積電面臨關(guān)稅壓力，特朗普威脅半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)
- 在特朗普政府持續(xù)的關(guān)稅威脅中，以臺積電為中心的臺灣半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的焦慮正在上升。與三星電子和 SK 海力士不同，臺積電宣布計劃投資超過 1000 億美元，以應(yīng)對特朗普政府上臺后的關(guān)稅政策。據(jù)悉，不僅臺積電，其制造合作伙伴也在增加對美國的投資，但隨著特朗普的關(guān)稅威脅持續(xù)存在，對這種情況的不滿正在公開表達。10日據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，包括臺積電在內(nèi)的中國臺灣制造業(yè)決心制定應(yīng)對美國關(guān)稅的策略。《中國臺灣經(jīng)濟新聞》報道稱，“由于美國關(guān)稅導(dǎo)致訂單量減少、半導(dǎo)體關(guān)稅負擔以及強勢新臺幣的壓力，中國臺灣制造業(yè)擔心本月底將成為&
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臺積電6月營收環(huán)比暴跌17.7%，強勢新臺幣打擊制造行業(yè)
- 7 月 10 日，臺積電公布了 2025 年 6 月的凈收入。合并營收約為 2,637.1 億新臺幣，較 2025 年 5 月減少 17.7%，與 2024 年 6 月相比增加 26.9%。據(jù)工商時報援引投資者的話稱，環(huán)比下跌主要是由于新臺幣升值。正如《商業(yè)時報》所指出的，雖然對 AI 和 HPC 的需求保持穩(wěn)定，但 6 月份新臺幣兌美元的大幅升值導(dǎo)致出口收入下調(diào)。此外，報告補充說，季度末庫存調(diào)整進一步壓低了月收入。據(jù)《工商時報》報道，臺積電第二季合并營收為新臺幣 9,337.9 億元，較上季增長 11.
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GaN代工模型是否面臨問題？Innoscience參與臺積電2027退出
- 雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力，這標志著 GaN 領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)變。哪些因素可能推動了這些不同的策略？根據(jù)《科創(chuàng)板日報》的報道，中國英諾賽科董事會主席羅偉偉解釋說，氮化鎵晶圓生產(chǎn)可能不太適合傳統(tǒng)的代工模式。為什么 GaN 不適合代工模型正如報告中所引用的，Luo 解釋說，傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)相對簡單，不會對代工服務(wù)產(chǎn)生強勁的需求。特別是對于 GaN 功率器件，這種模型沒有提供足夠的投資回報 （ROI），并且缺乏代工廠與其客戶之間通常看到的
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臺積電第二季度同比增長 39%
- 臺積電第二季度的收入為 31 美元。90 億，同比增長 38.6%。6 月收入為 90 億美元，環(huán)比下降 17.7%，同比增長 26.9%。1 月至 6 月的收入為 600 億美元，同比增長 40%。AI 和 HPC 約占收入的 59%，同比增長 46%。臺積電預(yù)計全年增長在 20% 左右。
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據(jù)報道，臺積電將于 2028 年在美國破土動工建設(shè)先進封裝工廠，首期將采用 SoIC 技術(shù)
- 隨著 TSMC 加速其在美國的擴張，其第三個亞利桑那州晶圓廠取得進展，但仍需將尖端芯片——例如用于 NVIDIA 的芯片——運回中國臺灣地區(qū)進行先進封裝。但這種情況即將改變。據(jù) MoneyDJ 報道，這家晶圓巨頭計劃于 2028 年在美國建造兩座先進封裝工廠，采用 SoIC（系統(tǒng)級芯片）和 CoPoS（芯片面板基板）技術(shù)。盡管自由時報之前報道選址仍在審查中，但 MoneyDJ 表示，這些設(shè)施預(yù)計將建在第三個亞利桑那州晶圓廠（F21 P3）旁邊，該晶圓廠將采用 N2 和 A16 工藝技術(shù)
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臺積電退出后英飛凌加快GaN推進 今年四季度將提供300毫米晶圓樣品
- 雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力。根據(jù)其新聞稿，英飛凌利用其強大的 IDM 模型，正在推進其 300 毫米晶圓的可擴展 GaN 生產(chǎn)，首批客戶樣品計劃于 2025 年第四季度發(fā)布。據(jù)《商業(yè)時報》報道，臺積電計劃在 2027 年 7 月 31 日之前結(jié)束其 GaN 晶圓代工服務(wù)，理由是來自中國競爭對手不斷上升的價格壓力是關(guān)鍵驅(qū)動因素。Liberty Times 補充說，由于對 GaN 的低利潤率前景持懷疑態(tài)度，臺積電已決定逐步退出其
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臺積電歐洲首個芯片設(shè)計中心鎖定德國慕尼黑，同步啟動“歐洲制造計劃”
- 全球半導(dǎo)體巨頭臺積電正式披露其歐洲戰(zhàn)略布局，首站鎖定德國科技重鎮(zhèn)慕尼黑。臺積電歐洲業(yè)務(wù)負責人保羅·德博特在新聞發(fā)布會上確認，這座具有里程碑意義的芯片設(shè)計中心將于今年三季度正式啟用。這將是臺積電在歐洲的首個芯片設(shè)計中心，標志著其傳統(tǒng)戰(zhàn)略的轉(zhuǎn)變，重點服務(wù)歐洲市場在智能汽車、工業(yè)4.0、AI運算及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的尖端芯片需求。巴伐利亞州經(jīng)濟事務(wù)負責人休伯特·艾萬格在歡迎致辭中強調(diào)：“這一戰(zhàn)略投資印證了本地區(qū)作為歐洲科技心臟的獨特優(yōu)勢。從寶馬、西門子等終端用戶到ASML等設(shè)備供應(yīng)商，我們構(gòu)建了完整的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈。
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臺積電加快了對亞利桑那州芯片綜合體的投資，因為三星推遲了德克薩斯州的晶圓廠
- 根據(jù)兩份新報告，臺積電和三星電子正在將其在美國的晶圓廠業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)向不同的方向。《華爾街日報》今天援引消息人士的話說，臺積電正在加速對其亞利桑那州晶圓廠的投資。與此同時，據(jù)報道，三星正在推遲德克薩斯州一家芯片工廠的竣工。兩家公司的建設(shè)項目預(yù)計耗資超過 1800 億美元。 據(jù)《華爾街日報》報道，臺積電正在放慢在日本的晶圓廠建設(shè)項目，以便為其在亞利桑那州的加速投資計劃提供更多資源。后一項計劃將使該公司在鳳凰城附近建造一個龐大的制造中心，該中心將容納九個不同的設(shè)施。該中心預(yù)計將滿負荷雇用 6,000 名專業(yè)
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三星押注4-7納米工藝，與臺積電相比有30%價格差距
- 根據(jù) ZDNet 的數(shù)據(jù)，雖然英特爾已將重點從 14A 轉(zhuǎn)移到 18A，但據(jù)報道，三星通過優(yōu)先考慮 2nm 和 4nm 而不是 1.4nm 做出了妥協(xié)。與此同時，Chosun Biz 透露，這家陷入困境的半導(dǎo)體巨頭還計劃通過使節(jié)點定價比臺積電低約 30% 來增加對 7nm 以下工藝的需求——中國競爭對手仍然無法企及。Chosun Biz 表示，對于其 4nm 工藝，三星的目標是通過 SF4U 將能效提高約 20% 來贏得訂單。據(jù)三星稱，SF4U 是一種優(yōu)質(zhì)的 4nm 變體，使
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臺積電將逐步淘汰其氮化鎵業(yè)務(wù)
- 臺積電昨日在一份聲明中表示，將在未來兩年內(nèi)逐步淘汰其化合物半導(dǎo)體氮化鎵 （GaN） 業(yè)務(wù)，并援引市場動態(tài)。這家全球最大的合同芯片制造商表示，這一決定不會影響其之前宣布的財務(wù)目標。“我們正在與客戶密切合作，以確保平穩(wěn)過渡，并在此期間繼續(xù)致力于滿足他們的需求，”它說。“我們的重點仍然是為我們的合作伙伴和市場提供持續(xù)的價值。”臺積電的最新舉措出乎意料，因為這家芯片制造商在其年度報告中表示，它已經(jīng)開發(fā)了第二代 650 伏和 100 伏 GaN 芯片，預(yù)計將于今年開始生產(chǎn)，同時它正在開發(fā) 8 英寸 650 伏增強型
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臺積電無預(yù)警退出GaN市場 納微有望接手美國訂單
- 國際功率半導(dǎo)體廠納微半導(dǎo)體于提交美國證券交易委員會（SEC）消息指出，臺積電將于2027年7月31日結(jié)束氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務(wù)，擬向力積電尋求產(chǎn)能支持。 對此，臺積電回應(yīng)表示，經(jīng)過完整評估后，決定在未來兩年內(nèi)逐步退出氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)。臺積電透露，該決定是基于市場與臺積電公司的長期業(yè)務(wù)策略; 公司正與客戶緊密合作確保在過渡期間保持順利銜接，并致力在此期間繼續(xù)滿足客戶需求。同時，臺積電也指出，仍將著重為合作伙伴及市場持續(xù)創(chuàng)造價值; 而該項決定將不會影響之前公布的財務(wù)目標。業(yè)界認為，臺積電此舉凸顯中國
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據(jù)報道，臺積電正考慮通過傳聞中的英特爾6納米合作重新加入先進制程競賽
- 自 2017 年宣布退出 10 納米及更先進的制程后，臺灣地區(qū)y第二大的晶圓代工廠臺積電，可能正準備重返它曾經(jīng)放棄的尖端領(lǐng)域。根據(jù)日經(jīng)報道，該公司現(xiàn)在正著眼于 6 納米生產(chǎn)，專注于用于 Wi-Fi、射頻、藍牙、人工智能加速器和電視及汽車處理器的芯片。盡管這樣的舉措通常需要巨額資本支出，但日經(jīng)新聞報道稱，臺積電正考慮擴大與英特爾的合作關(guān)系以幫助抵消成本——可能會在亞利桑那州計劃于2027年開始的12納米合作中增加6納米芯片。值得注意的是，臺積電此前宣布其 2025 年的資本支出將降至約 18 億美元——與前
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臺積電美國3nm晶圓廠基建完工，量產(chǎn)時間表曝光
- 據(jù)臺媒《工商時報》報道，臺積電為滿足客戶對美國制造需求的增長，正在加速推進其亞利桑那州晶圓廠的建設(shè)。供應(yīng)鏈透露，臺積電亞利桑那州二廠（P2）已完成基建，預(yù)計將在2027年實現(xiàn)3nm制程的量產(chǎn)。目前，臺積電正根據(jù)客戶對AI芯片的強勁需求，加快量產(chǎn)進度，整體時間表較原計劃有所提前。供應(yīng)鏈分析指出，臺積電此舉旨在回應(yīng)客戶需求，并應(yīng)對美國政府關(guān)稅政策的影響。據(jù)悉，亞利桑那州二廠的機臺最快將在明年9月進場安裝，首批晶圓預(yù)計在2027年下線。通常情況下，晶圓廠在完成基建后，還需要約兩年時間進行內(nèi)部廠務(wù)調(diào)整，臺積電的推
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AI驅(qū)動內(nèi)存革新 臺積電與三星引領(lǐng)存儲技術(shù)搶攻萬億商機
- 全球新興記憶體與儲存技術(shù)市場正快速擴張，而臺積電、三星、美光、英特爾等半導(dǎo)體巨頭正與專業(yè)IP供應(yīng)商合作，積極推動先進非揮發(fā)性存儲器解決方案的商業(yè)化。過去兩年，相變內(nèi)存（PCM）、電阻式隨機存取內(nèi)存 （RRAM） 和 自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻式隨憶式內(nèi)存 （STT-MRAM） 已從實驗室走向次22納米節(jié)點的試產(chǎn)階段，并運用3D堆疊技術(shù)實現(xiàn)高密度，以解決傳統(tǒng)DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。在臺積電、三星、美光、英特爾等業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者的合作下，每年超過50億美元的研發(fā)投入加速新材料與制程的成熟。 這
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臺積電美國廠五大阻力減壓 先進封裝人事案2026拍板
- 供應(yīng)鏈傳出，先前宣布擴大赴美投資的臺積電，已經(jīng)成功將危機化為轉(zhuǎn)機，化解了「五大阻力」。臺積挾獨霸制程技術(shù)優(yōu)勢，以及三星電子（Samsung Electronics）、英特爾（Intel）在美國擴廠卡關(guān)下，順利削減五大阻力，包括：成功漲價消弭高昂成本問題。地緣政治與關(guān)稅等政策壓力，反而力促「美系客戶全面投片」。美國政府助力加速新廠建置與相關(guān)審批。首座廠學習曲線完成，第2、3座廠建置經(jīng)驗值與掌握度大幅拉升。進入2納米以下世代，臺積電未來將面臨水、電與土地問題，但是美國新廠可順勢分攤此風險。以上五大阻力化解后，
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臺積電介紹
臺灣積體電路制造股份有限公司
臺灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)
臺灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文
臺灣積體電路制造股份有限公司簡介
臺積公司于1987年在新竹科學園區(qū)成立，是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細 ]
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