GaN代工模型是否面臨問題？Innoscience參與臺積電2027退出

雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業務，但行業巨頭英飛凌正在加大努力，這標志著 GaN 領域的重大轉變。哪些因素可能推動了這些不同的策略？根據《科創板日報》的報道，中國英諾賽科董事會主席羅偉偉解釋說，氮化鎵晶圓生產可能不太適合傳統的代工模式。

為什么 GaN 不適合代工模型

正如報告中所引用的，Luo 解釋說，傳統的功率半導體器件結構相對簡單，不會對代工服務產生強勁的需求。特別是對于 GaN 功率器件，這種模型沒有提供足夠的投資回報 （ROI），并且缺乏代工廠與其客戶之間通常看到的密切合作。

據 Luo 介紹，GaN 器件需要設計和應用之間的深度集成。因此，垂直整合制造并直接與市場相連的 IDM 模式是目前更合適的生產方法。

英諾賽科是全球第一家實現 8 英寸硅基 GaN 晶圓量產的公司，也是全球唯一一家以工業規模提供全電壓光譜硅基 GaN 產品的公司。該公司以 IDM 模式運營。報告稱，截至 2024 年底，其 GaN 晶圓月產能已達到 13,000 片，良率超過 95%。

生產挑戰：從 6 英寸到 12 英寸

正如報告中強調的那樣，Innoscience 首席執行官指出，6 英寸 GaN 代工生產線幾乎無法滿足客戶的設計集成需求，這使得主要制造商不太可能在此類產能上投入大量資金。該報告補充說，可行的商業化需要擴展到具有有意義輸出水平的 8 英寸晶圓。

同時，該報告援引行業消息人士的話指出，重大障礙繼續阻礙 12 英寸 GaN 晶圓的產業化。據 Luo 稱，一個關鍵挑戰是，沒有 MOCVD 設備供應商公開推出能夠支持 12 英寸 GaN 外延的解決方案。

MOCVD 是 GaN 層外延生長的核心設備。正如報告中所指出的，它在 GaN 材料生長、器件性能和大規模生產可行性方面起著至關重要的作用。

根據 TrendForce 集邦咨詢的數據，到 2030 年，全球 GaN 功率器件市場預計將達到 43.76 億美元，復合年增長率 （CAGR） 為 49%。