雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業務，但行業巨頭英飛凌正在加大努力，這標志著 GaN 領域的重大轉變。哪些因素可能推動了這些不同的策略？根據《科創板日報》的報道，中國英諾賽科董事會主席羅偉偉解釋說，氮化鎵晶圓生產可能不太適合傳統的代工模式。為什么 GaN 不適合代工模型正如報告中所引用的，Luo 解釋說，傳統的功率半導體器件結構相對簡單，不會對代工服務產生強勁的需求。特別是對于 GaN 功率器件，這種模型沒有提供足夠的投資回報 （ROI），并且缺乏代工廠與其客戶之間通常看到的
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GaN 代工模型 Innoscience 臺積電
致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商—大聯大控股近日宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INN700D140C和INN700DA140C芯片的300W電源適配器方案。圖示1-大聯大詮鼎基于Innoscience產品的300W電源適配器方案的展示板圖隨著移動設備對于充電速度和充電效率的需求不斷提升，氮化鎵（GaN）技術在電源適配器領域的應用日益廣泛。與傳統的硅（Si）相比，GaN作為第三代半導體材料具有更寬的間隙和更高的擊穿電壓，因而能夠在緊湊的空間體積內提供
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大聯大 詮鼎集團 Innoscience 電源適配器
2024年1月18日，致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件的1KW DC/DC電源模塊方案。 圖示1-大聯大詮鼎基于Innoscience產品的1KW DC/DC電源模塊方案的展示板圖 隨著“雙碳”概念的逐漸深入，智能化和低碳化已經成為數據中心的兩大“確定性”發展趨勢。據知名機構Research調查顯示，現有的采用Si方案的數據中心整體功率轉換
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大聯大詮鼎 Innoscience DC/DC 電源模塊
2023年12月21日，致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN器件-INN650TA030AH、INN650TA070AH和INN650D080BS芯片的2KW PSU服務器電源方案。圖示1-大聯大詮鼎基于Innoscience產品的2KW PSU服務器電源方案的展示板圖 近年來，工業領域對GaN的需求逐步攀升。根據AKCP機構測算，2023年網絡設備、通信設備以及數據中心等的能耗將占全球總用電量的2
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大聯大詮鼎 Innoscience PSU 服務器電源
致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股近日宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）INN650D01場效應晶體管的高效超薄型200W LED驅動電源方案。圖示1-大聯大詮鼎基于Innoscience產品的高效超薄型200W LED驅動電源方案的展示板圖隨著人們對燈具品質的要求越來越高，傳統的LED驅動器已經無法滿足小而薄的燈具設計。并且由于LED需要長期在狹小空間內工作，因此散熱性也是一個嚴重制約應用安全的問題。在這種情況下，將高頻高效的氮化鎵應用于LED驅動電源上，
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