臺積電退出后英飛凌加快GaN推進 今年四季度將提供300毫米晶圓樣品

雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業務，但行業巨頭英飛凌正在加大努力。根據其新聞稿，英飛凌利用其強大的 IDM 模型，正在推進其 300 毫米晶圓的可擴展 GaN 生產，首批客戶樣品計劃于 2025 年第四季度發布。

據《商業時報》報道，臺積電計劃在 2027 年 7 月 31 日之前結束其 GaN 晶圓代工服務，理由是來自中國競爭對手不斷上升的價格壓力是關鍵驅動因素。Liberty Times 補充說，由于對 GaN 的低利潤率前景持懷疑態度，臺積電已決定逐步退出其 GaN 業務并停止 200 毫米晶圓生產的研發。報告顯示，根據業務發展高級副總裁 Kevin Zhang 的建議，董事長兼首席執行官 C.C. Wei 于 6 月中旬最終確定了這一決定。

然而，作為硅 （Si）、碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 的行業領導者，英飛凌認為 GaN 市場仍然強勁。該公司在新聞稿中表示，GaN 具有更高的功率密度、更快的開關速度和更低的能量損耗，可實現緊湊、節能的設計，非常適合從智能手機充電器到工業機器人和太陽能逆變器的所有應用。

據英飛凌稱，在 300 毫米晶圓上生產芯片在技術上優于 200 毫米晶圓，效率也高得多，因為更大的尺寸使每個晶圓產生的芯片多 2.3 倍。

還值得注意的是，英飛凌也在積極拓展 200 毫米 SiC 市場。根據其新聞稿，該公司已于 2024 年 8 月正式開放其位于馬來西亞的新晶圓廠的第一階段，將成為世界上最大、最先進的 200 毫米碳化硅 SiC 功率半導體工廠。

中國的崛起和主要挑戰

值得注意的是，中國企業在 200 毫米 GaN 晶圓市場取得了強勁的增長。英諾賽科聲稱是世界上最大的 8 英寸以 GaN 為重點的 IDM，運營著全球最大的專用硅基氮化鎵制造能力。

盡管如此，利潤率仍然是中國 GaN 參與者面臨的主要挑戰。英諾賽科報告稱，2024 年收入為 8.285 億元人民幣，同比增長 39.8%。盡管有所改善，但其毛利率仍然為負，盡管虧損從 2023 年的 -61.6% 收窄至 2024 年的 -19.5%。