臺(tái)積電 文章 最新資訊
臺(tái)積電面臨關(guān)稅壓力，特朗普威脅半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)
- 在特朗普政府持續(xù)的關(guān)稅威脅中，以臺(tái)積電為中心的臺(tái)灣半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的焦慮正在上升。與三星電子和 SK 海力士不同，臺(tái)積電宣布計(jì)劃投資超過 1000 億美元，以應(yīng)對(duì)特朗普政府上臺(tái)后的關(guān)稅政策。據(jù)悉，不僅臺(tái)積電，其制造合作伙伴也在增加對(duì)美國(guó)的投資，但隨著特朗普的關(guān)稅威脅持續(xù)存在，對(duì)這種情況的不滿正在公開表達(dá)。10日據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，包括臺(tái)積電在內(nèi)的中國(guó)臺(tái)灣制造業(yè)決心制定應(yīng)對(duì)美國(guó)關(guān)稅的策略?！吨袊?guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道稱，“由于美國(guó)關(guān)稅導(dǎo)致訂單量減少、半導(dǎo)體關(guān)稅負(fù)擔(dān)以及強(qiáng)勢(shì)新臺(tái)幣的壓力，中國(guó)臺(tái)灣制造業(yè)擔(dān)心本月底將成為&
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 關(guān)稅 特朗普 半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)
臺(tái)積電6月營(yíng)收環(huán)比暴跌17.7%，強(qiáng)勢(shì)新臺(tái)幣打擊制造行業(yè)
- 7 月 10 日，臺(tái)積電公布了 2025 年 6 月的凈收入。合并營(yíng)收約為 2,637.1 億新臺(tái)幣，較 2025 年 5 月減少 17.7%，與 2024 年 6 月相比增加 26.9%。據(jù)工商時(shí)報(bào)援引投資者的話稱，環(huán)比下跌主要是由于新臺(tái)幣升值。正如《商業(yè)時(shí)報(bào)》所指出的，雖然對(duì) AI 和 HPC 的需求保持穩(wěn)定，但 6 月份新臺(tái)幣兌美元的大幅升值導(dǎo)致出口收入下調(diào)。此外，報(bào)告補(bǔ)充說，季度末庫(kù)存調(diào)整進(jìn)一步壓低了月收入。據(jù)《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺(tái)積電第二季合并營(yíng)收為新臺(tái)幣 9,337.9 億元，較上季增長(zhǎng) 11.
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 新臺(tái)幣 制造
GaN代工模型是否面臨問題？Innoscience參與臺(tái)積電2027退出
- 雖然臺(tái)積電計(jì)劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力，這標(biāo)志著 GaN 領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)變。哪些因素可能推動(dòng)了這些不同的策略？根據(jù)《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》的報(bào)道，中國(guó)英諾賽科董事會(huì)主席羅偉偉解釋說，氮化鎵晶圓生產(chǎn)可能不太適合傳統(tǒng)的代工模式。為什么 GaN 不適合代工模型正如報(bào)告中所引用的，Luo 解釋說，傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，不會(huì)對(duì)代工服務(wù)產(chǎn)生強(qiáng)勁的需求。特別是對(duì)于 GaN 功率器件，這種模型沒有提供足夠的投資回報(bào) （ROI），并且缺乏代工廠與其客戶之間通?？吹降?/li>
- 關(guān)鍵字： GaN 代工模型 Innoscience 臺(tái)積電
臺(tái)積電第二季度同比增長(zhǎng) 39%
- 臺(tái)積電第二季度的收入為 31 美元。90 億，同比增長(zhǎng) 38.6%。6 月收入為 90 億美元，環(huán)比下降 17.7%，同比增長(zhǎng) 26.9%。1 月至 6 月的收入為 600 億美元，同比增長(zhǎng) 40%。AI 和 HPC 約占收入的 59%，同比增長(zhǎng) 46%。臺(tái)積電預(yù)計(jì)全年增長(zhǎng)在 20% 左右。
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電
據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電將于 2028 年在美國(guó)破土動(dòng)工建設(shè)先進(jìn)封裝工廠，首期將采用 SoIC 技術(shù)
- 隨著 TSMC 加速其在美國(guó)的擴(kuò)張，其第三個(gè)亞利桑那州晶圓廠取得進(jìn)展，但仍需將尖端芯片——例如用于 NVIDIA 的芯片——運(yùn)回中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)進(jìn)行先進(jìn)封裝。但這種情況即將改變。據(jù) MoneyDJ 報(bào)道，這家晶圓巨頭計(jì)劃于 2028 年在美國(guó)建造兩座先進(jìn)封裝工廠，采用 SoIC（系統(tǒng)級(jí)芯片）和 CoPoS（芯片面板基板）技術(shù)。盡管自由時(shí)報(bào)之前報(bào)道選址仍在審查中，但 MoneyDJ 表示，這些設(shè)施預(yù)計(jì)將建在第三個(gè)亞利桑那州晶圓廠（F21 P3）旁邊，該晶圓廠將采用 N2 和 A16 工藝技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 美國(guó)亞利桑那州工廠
臺(tái)積電退出后英飛凌加快GaN推進(jìn) 今年四季度將提供300毫米晶圓樣品
- 雖然臺(tái)積電計(jì)劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力。根據(jù)其新聞稿，英飛凌利用其強(qiáng)大的 IDM 模型，正在推進(jìn)其 300 毫米晶圓的可擴(kuò)展 GaN 生產(chǎn)，首批客戶樣品計(jì)劃于 2025 年第四季度發(fā)布。據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃在 2027 年 7 月 31 日之前結(jié)束其 GaN 晶圓代工服務(wù)，理由是來自中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手不斷上升的價(jià)格壓力是關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素。Liberty Times 補(bǔ)充說，由于對(duì) GaN 的低利潤(rùn)率前景持懷疑態(tài)度，臺(tái)積電已決定逐步退出其
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 英飛凌 GaN 300毫米 晶圓樣品
臺(tái)積電歐洲首個(gè)芯片設(shè)計(jì)中心鎖定德國(guó)慕尼黑，同步啟動(dòng)“歐洲制造計(jì)劃”
- 全球半導(dǎo)體巨頭臺(tái)積電正式披露其歐洲戰(zhàn)略布局，首站鎖定德國(guó)科技重鎮(zhèn)慕尼黑。臺(tái)積電歐洲業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人保羅·德博特在新聞發(fā)布會(huì)上確認(rèn)，這座具有里程碑意義的芯片設(shè)計(jì)中心將于今年三季度正式啟用。這將是臺(tái)積電在歐洲的首個(gè)芯片設(shè)計(jì)中心，標(biāo)志著其傳統(tǒng)戰(zhàn)略的轉(zhuǎn)變，重點(diǎn)服務(wù)歐洲市場(chǎng)在智能汽車、工業(yè)4.0、AI運(yùn)算及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的尖端芯片需求。巴伐利亞州經(jīng)濟(jì)事務(wù)負(fù)責(zé)人休伯特·艾萬格在歡迎致辭中強(qiáng)調(diào)：“這一戰(zhàn)略投資印證了本地區(qū)作為歐洲科技心臟的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。從寶馬、西門子等終端用戶到ASML等設(shè)備供應(yīng)商，我們構(gòu)建了完整的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈。
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 芯片 德國(guó) 歐洲
臺(tái)積電加快了對(duì)亞利桑那州芯片綜合體的投資，因?yàn)槿峭七t了德克薩斯州的晶圓廠
- 根據(jù)兩份新報(bào)告，臺(tái)積電和三星電子正在將其在美國(guó)的晶圓廠業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)向不同的方向?！度A爾街日?qǐng)?bào)》今天援引消息人士的話說，臺(tái)積電正在加速對(duì)其亞利桑那州晶圓廠的投資。與此同時(shí)，據(jù)報(bào)道，三星正在推遲德克薩斯州一家芯片工廠的竣工。兩家公司的建設(shè)項(xiàng)目預(yù)計(jì)耗資超過 1800 億美元。 據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電正在放慢在日本的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目，以便為其在亞利桑那州的加速投資計(jì)劃提供更多資源。后一項(xiàng)計(jì)劃將使該公司在鳳凰城附近建造一個(gè)龐大的制造中心，該中心將容納九個(gè)不同的設(shè)施。該中心預(yù)計(jì)將滿負(fù)荷雇用 6,000 名專業(yè)
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 三星 晶圓廠
三星押注4-7納米工藝，與臺(tái)積電相比有30%價(jià)格差距
- 根據(jù) ZDNet 的數(shù)據(jù)，雖然英特爾已將重點(diǎn)從 14A 轉(zhuǎn)移到 18A，但據(jù)報(bào)道，三星通過優(yōu)先考慮 2nm 和 4nm 而不是 1.4nm 做出了妥協(xié)。與此同時(shí)，Chosun Biz 透露，這家陷入困境的半導(dǎo)體巨頭還計(jì)劃通過使節(jié)點(diǎn)定價(jià)比臺(tái)積電低約 30% 來增加對(duì) 7nm 以下工藝的需求——中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手仍然無法企及。Chosun Biz 表示，對(duì)于其 4nm 工藝，三星的目標(biāo)是通過 SF4U 將能效提高約 20% 來贏得訂單。據(jù)三星稱，SF4U 是一種優(yōu)質(zhì)的 4nm 變體，使
- 關(guān)鍵字： 三星 7納米 臺(tái)積電
臺(tái)積電將逐步淘汰其氮化鎵業(yè)務(wù)
- 臺(tái)積電昨日在一份聲明中表示，將在未來兩年內(nèi)逐步淘汰其化合物半導(dǎo)體氮化鎵 （GaN） 業(yè)務(wù)，并援引市場(chǎng)動(dòng)態(tài)。這家全球最大的合同芯片制造商表示，這一決定不會(huì)影響其之前宣布的財(cái)務(wù)目標(biāo)?！拔覀冋谂c客戶密切合作，以確保平穩(wěn)過渡，并在此期間繼續(xù)致力于滿足他們的需求，”它說。“我們的重點(diǎn)仍然是為我們的合作伙伴和市場(chǎng)提供持續(xù)的價(jià)值?！迸_(tái)積電的最新舉措出乎意料，因?yàn)檫@家芯片制造商在其年度報(bào)告中表示，它已經(jīng)開發(fā)了第二代 650 伏和 100 伏 GaN 芯片，預(yù)計(jì)將于今年開始生產(chǎn)，同時(shí)它正在開發(fā) 8 英寸 650 伏增強(qiáng)型
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 氮化鎵 Powerchip
臺(tái)積電無預(yù)警退出GaN市場(chǎng) 納微有望接手美國(guó)訂單
- 國(guó)際功率半導(dǎo)體廠納微半導(dǎo)體于提交美國(guó)證券交易委員會(huì)（SEC）消息指出，臺(tái)積電將于2027年7月31日結(jié)束氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務(wù)，擬向力積電尋求產(chǎn)能支持。 對(duì)此，臺(tái)積電回應(yīng)表示，經(jīng)過完整評(píng)估后，決定在未來兩年內(nèi)逐步退出氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)。臺(tái)積電透露，該決定是基于市場(chǎng)與臺(tái)積電公司的長(zhǎng)期業(yè)務(wù)策略; 公司正與客戶緊密合作確保在過渡期間保持順利銜接，并致力在此期間繼續(xù)滿足客戶需求。同時(shí)，臺(tái)積電也指出，仍將著重為合作伙伴及市場(chǎng)持續(xù)創(chuàng)造價(jià)值; 而該項(xiàng)決定將不會(huì)影響之前公布的財(cái)務(wù)目標(biāo)。業(yè)界認(rèn)為，臺(tái)積電此舉凸顯中國(guó)
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 納微半導(dǎo)體 GaN
據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電正考慮通過傳聞中的英特爾6納米合作重新加入先進(jìn)制程競(jìng)賽
- 自 2017 年宣布退出 10 納米及更先進(jìn)的制程后，臺(tái)灣地區(qū)y第二大的晶圓代工廠臺(tái)積電，可能正準(zhǔn)備重返它曾經(jīng)放棄的尖端領(lǐng)域。根據(jù)日經(jīng)報(bào)道，該公司現(xiàn)在正著眼于 6 納米生產(chǎn)，專注于用于 Wi-Fi、射頻、藍(lán)牙、人工智能加速器和電視及汽車處理器的芯片。盡管這樣的舉措通常需要巨額資本支出，但日經(jīng)新聞報(bào)道稱，臺(tái)積電正考慮擴(kuò)大與英特爾的合作關(guān)系以幫助抵消成本——可能會(huì)在亞利桑那州計(jì)劃于2027年開始的12納米合作中增加6納米芯片。值得注意的是，臺(tái)積電此前宣布其 2025 年的資本支出將降至約 18 億美元——與前
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 英特爾 晶圓代工
臺(tái)積電美國(guó)3nm晶圓廠基建完工，量產(chǎn)時(shí)間表曝光
- 據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺(tái)積電為滿足客戶對(duì)美國(guó)制造需求的增長(zhǎng)，正在加速推進(jìn)其亞利桑那州晶圓廠的建設(shè)。供應(yīng)鏈透露，臺(tái)積電亞利桑那州二廠（P2）已完成基建，預(yù)計(jì)將在2027年實(shí)現(xiàn)3nm制程的量產(chǎn)。目前，臺(tái)積電正根據(jù)客戶對(duì)AI芯片的強(qiáng)勁需求，加快量產(chǎn)進(jìn)度，整體時(shí)間表較原計(jì)劃有所提前。供應(yīng)鏈分析指出，臺(tái)積電此舉旨在回應(yīng)客戶需求，并應(yīng)對(duì)美國(guó)政府關(guān)稅政策的影響。據(jù)悉，亞利桑那州二廠的機(jī)臺(tái)最快將在明年9月進(jìn)場(chǎng)安裝，首批晶圓預(yù)計(jì)在2027年下線。通常情況下，晶圓廠在完成基建后，還需要約兩年時(shí)間進(jìn)行內(nèi)部廠務(wù)調(diào)整，臺(tái)積電的推
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 3nm 晶圓廠
AI驅(qū)動(dòng)內(nèi)存革新 臺(tái)積電與三星引領(lǐng)存儲(chǔ)技術(shù)搶攻萬億商機(jī)
- 全球新興記憶體與儲(chǔ)存技術(shù)市場(chǎng)正快速擴(kuò)張，而臺(tái)積電、三星、美光、英特爾等半導(dǎo)體巨頭正與專業(yè)IP供應(yīng)商合作，積極推動(dòng)先進(jìn)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案的商業(yè)化。過去兩年，相變內(nèi)存（PCM）、電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存 （RRAM） 和 自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻式隨憶式內(nèi)存 （STT-MRAM） 已從實(shí)驗(yàn)室走向次22納米節(jié)點(diǎn)的試產(chǎn)階段，并運(yùn)用3D堆疊技術(shù)實(shí)現(xiàn)高密度，以解決傳統(tǒng)DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。在臺(tái)積電、三星、美光、英特爾等業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者的合作下，每年超過50億美元的研發(fā)投入加速新材料與制程的成熟。 這
- 關(guān)鍵字： AI 內(nèi)存 臺(tái)積電 三星 存儲(chǔ)技術(shù)
臺(tái)積電美國(guó)廠五大阻力減壓 先進(jìn)封裝人事案2026拍板
- 供應(yīng)鏈傳出，先前宣布擴(kuò)大赴美投資的臺(tái)積電，已經(jīng)成功將危機(jī)化為轉(zhuǎn)機(jī)，化解了「五大阻力」。臺(tái)積挾獨(dú)霸制程技術(shù)優(yōu)勢(shì)，以及三星電子（Samsung Electronics）、英特爾（Intel）在美國(guó)擴(kuò)廠卡關(guān)下，順利削減五大阻力，包括：成功漲價(jià)消弭高昂成本問題。地緣政治與關(guān)稅等政策壓力，反而力促「美系客戶全面投片」。美國(guó)政府助力加速新廠建置與相關(guān)審批。首座廠學(xué)習(xí)曲線完成，第2、3座廠建置經(jīng)驗(yàn)值與掌握度大幅拉升。進(jìn)入2納米以下世代，臺(tái)積電未來將面臨水、電與土地問題，但是美國(guó)新廠可順勢(shì)分?jǐn)偞孙L(fēng)險(xiǎn)。以上五大阻力化解后，
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 先進(jìn)封裝
臺(tái)積電介紹
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡(jiǎn)介
臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立，是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]
臺(tái)積電研討會(huì)推薦
臺(tái)積電視頻
臺(tái)積電專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473