- 隨著存儲器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產品，混合鍵合技術越來越受到關注。根據 ZDNet 的一份報告，韓國三星電子和SK海力士在關鍵專利方面仍然落后。該報告強調，三星和SK海力士披露的混合鍵合相關專利相對較少，大幅低于競爭對手長江存儲。 據報道，三星電子已與長江存儲簽署了一項許可協議，在其下一代NAND中采用混合鍵合技術。此舉反映了三星希望規避長江存儲的專利的挑戰，這些專利被認為難以避免。報告指出，長江存儲在其“Xtacking”品牌下大規模生產基于混合鍵合的NAND已有大約四年
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- 三星電子因良率不佳面臨大挫敗，根據科技媒體wccftech報導，傳出超微已取消三星4納米制程訂單，超威已改為委托臺積電，以4納米制程生產EPYC服務器中央處理器。三星晶圓代工事業面臨大挑戰，根據報導，超威已將原本交給三星代工的EPYC服務器，轉給臺積電美國亞利桑那州新廠以4納米生產，臺積電美國廠接單頻傳喜訊，包括蘋果、輝達等都宣布要在該廠區投片。知名爆料人士@Jukanlosreve指出，超微將把EPYC服務器處理器轉交給臺積電美國亞利桑那州廠生產。 目前還不知超微轉單理由，但推測是三星晶圓代工事業表現差
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- 由于三星尖端制程良率偏低，以及美國特朗普政府關稅政策影響，處理器大廠AMD可能已經取消了三星4nm制程訂單，進而轉向了向臺積電美國亞利桑那州晶圓廠下單。這一決定標志著三星代工業務繼失去高通、英偉達等科技巨頭價值數十億美元的尖端芯片訂單后，再次遭遇重大挫折。
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- 隨著美國 232 條款半導體調查的公眾意見截止日期的臨近，整個芯片行業的焦慮情緒越來越大。迫在眉睫的關稅決定給財報旺季蒙上了一層陰影，在地緣政治和貿易緊張局勢加劇的情況下，科技巨頭不愿發布明確的預測。這是非常不尋常的，因為財務預測通常是公司方向和戰略的最重要指標之一。由于有傳言稱關稅稅率在 25% 到 100% 之間，芯片制造商發現很難預測他們的前景，尤其是 2025 年下半年。Marvell 在一份新聞稿中表示，在全球貿易緊張局勢和“動態宏觀經濟環境”的情況下，該公司將其 2025 年 6 月的投資者日
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- 據韓國媒體ZDNet Korea報道，三星電子在2025年2月左右已提前開始量產12層堆疊的HBM3E高帶寬內存，但尚未通過GPU巨頭英偉達的認證，因此目前無法向其供貨。這一決定讓三星面臨積累大量庫存的風險。市場消息人士透露，三星對其12層堆疊HBM3E的性能和穩定性充滿信心，認為能夠順利通過英偉達的認證流程。提前量產的策略旨在通過認證后快速供貨，助力實現2025年HBM出貨量達到2024年兩倍的目標。目前，英偉達最新的AI芯片主要采用SK海力士供應的12層堆疊HBM3E。SK海力士憑借其在HBM市場的主
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- 據韓媒《首爾經濟》援引業界消息，三星電子半導體暨裝置解決方案（DS）部門負責人全永鉉近日率領高層團隊緊急訪問美國硅谷，與蘋果、NVIDIA、博通等美國科技巨頭展開會晤。此次行程為期至少一周，重點在于鞏固DRAM、次世代高帶寬存儲器（HBM）以及晶圓代工領域的訂單，并探討應對美國潛在關稅政策的策略。三星高層團隊此次放棄韓國“家庭月”連假，顯示了其在恢復半導體競爭力方面的緊迫感。2025年第1季，三星在全球DRAM市場失去龍頭地位，被SK海力士超越，因此確保移動DRAM（LPDDR）和次世代DRAM的供應顯得
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- 三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產品本月即將停產，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產能削減至其生產份額的20%。這意味著內存制造商正加速產品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產品。ddr4和ddr5的區別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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- 三星電子（Samsung Electronics）近來重兵部署在HBM先進制程，但供應鏈傳出，三星HBM3E認證進度再遭卡關，由于Google投入自行設計AI服務器芯片，原打算搭配三星HBM3E，并送交臺積電進行CoWoS封裝，但日前卻突然通知三星HBM遭撤下。據了解，事發源頭是來自三星HBM3E未能通過NVIDIA認證，Google為求保險起見，可能改換美光（Micron）產品遞補供應，相關市場消息近日在業界傳得沸沸揚揚。對此，消息源向三星求證，三星回復無法評論客戶相關事宜，相關開發計劃仍按照進度執行。
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- 三星對此消息表示，無法確認。 但法人認為，HBM市場年復合成長率超過45%，三星傳停產舊規格的HBM，應有助于三星加快技術迭代，并鞏固其與SK海力士、美光的「三強爭霸」地位。與此同時，陸廠加快進攻高階存儲器市場。 長鑫存儲宣布16nm DDR5 DRAM已量產，性能超越SK海力士12nm產品，并計劃2025年將產能擴至每月18萬片晶圓，目標2026年切入LPDDR5與車用DRAM，為未來進軍HBM鋪路。長江存儲則靠Xtacking混合鍵合技術快速追趕，量產全球首款270層3D NAND Flash，與三星
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- 三星已在美國地方法院對中國顯示巨頭京東方提起新的專利侵權訴訟，指控其未經授權使用關鍵的 OLED 技術。由于京東方向蘋果等主要品牌供應面板，這場爭端現在有可能波及全球供應鏈，此案凸顯了顯示器行業日益緊張的局勢，并凸顯了多元化采購策略的必要性。 這次針對京東方提起的訴訟是在美國德克薩斯州東區地方法院提起的。三星聲稱，京東方及其六家公司侵犯了三星的四項美國專利。這些是美國專利號 11,574,990、11,574,991、10,439,015 和 10,013,088。三星早在 2022 年 5 月就已經就他
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- 三大原廠紛紛縮減舊制程產能，除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產，美光亦通知客戶停產服務器用舊制程DDR4模組，SK海力士據傳也將DDR4產出比重降至20%。法人認為，市場景氣低迷，上游存儲器廠加速產品迭代，降低單位成本以提升獲利，同時將資源轉向高帶寬記憶體（HBM）及DDR5等高階產品。短期內內存價格受到關稅備貨與供給控制支撐，但整體環境不確定性高，未來基本面仍存隱憂。三星已通知供應鏈，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4內存將于2025年4月停止生產（EOL）
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- 2025年一季度，中國智能手機市場出貨量達7160萬部，同比增長3.3％，這一增速高于全球市場的同期水平，增長的主要動力來自于中國政府實施的國補政策和春節銷售旺季的雙重拉動。其中，小米出貨量1330萬臺，同比增長39.9%，出貨量和增速均排名第一。華為出貨量1290萬臺，同比增長10.0％，出貨量和增速均排名第二；OPPO和vivo分別以1120萬臺和1030萬臺的出貨量排在第三和第四位，同比增幅分別為3.3%和2.3%。相比之下，蘋果在中國市場的表現略顯遜色，出貨量為980萬臺，同比下滑9%，成為前五名
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- 復雜國際形勢疊加終端需求冰火兩重天的景象之下，晶圓代工產業迎來調整時期，人事變動、整合傳聞屢見不鮮。與此同時，先進制程正加速沖刺，2nm芯片在今年將實現量產/試產，開啟半導體技術新紀元。三星晶圓代工部門調整，加強HBM業務競爭力近期，媒體報道三星電子DS部門針對代工部門人員發布了“定期招聘”公告，三星計劃把超過兩位數的晶圓代工事業部人員調往存儲器制造技術中心、半導體研究院以及全球制造及基礎設施總部。業界透露，三星此次調整主要是為了加強HBM領域競爭實力，其中三星半導體研究所招募人員是為了“加強HBM和封裝
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- 4月9日消息，根據Counterpoint Research的2025年第一季度內存追蹤報告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領導者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營收市占率達到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計占據剩余的5%。SK海力士預期，營收與市占率的增長至少會持續到下一季度，其還表示，公司在關鍵的HBM市場占有率高達70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
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- 2nm GAA 工藝進展被傳順利，但三星的目標是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發的技術限制。一份新報告指出，該公司已經成立了一個團隊來啟動這一工藝。然而，由于量產目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時間才能看到這種光刻技術的應用。1nm 晶圓的開發需要“高 NA EUV 曝光設備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。另一方面，臺積電也正在推出
2 納米以下芯片，據報道，這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA
技術的試產過程中
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