【環球時報綜合報道】美國半導體巨頭英特爾近日宣布，其斥資280億美元在俄亥俄州建設的尖端芯片制造基地將延期5年投產。據路透社2月28日報道，英特爾表示，在該州的首座晶圓工廠投產時間將從原計劃的2025年推遲至2030年，第二座工廠預計延至2032年投產。英特爾是獲得美國《芯片與科學法》最多資金支持的本土芯片企業，美國科技媒體WinBuzzer網站3月1日稱，英特爾此前已將該工廠的建設計劃由2025年延期至2027年，兩次投產延期引發人們對僅靠政府資金能否振興美國芯片業的擔憂。英特爾全球運營執行副總裁錢德拉
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近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術實現?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
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快科技2月27日消息，三星顯示今天宣布，將于3月3日開幕的MWC2025上展示下一代智能手機OLED面板，在戶外環境下可實現亮度高達5000尼特。即使在觀看電影等日常使用環境下，該面板也能提供超過3000尼特的亮度。該面板采用三星顯示全球首個商用的“無偏光片顯示”技術，即 “OCF (on-cell film)”技術為基礎開發而成。而且相同功耗下，這款面板與近期發布的旗艦智能手機OLED面板相比，亮度提升了約1.5倍。三星顯示表示，OCF技術不僅提升了戶外可視性，還在降低功耗與創新設計方面發揮了關鍵作用，
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韓國媒體 Thebell 報道，三星開始量產新旗艦移動處理器Exynos
2500，晶圓測試最早3月開始，可能首發三星2025下半年入門級折疊手機Galaxy Z Flip FE。
但3納米GAA良率低問題仍在，目前無法擴大規模，初期產能只有每月5,000片。三星曾預定2024下半年量產Exynos 2500并搭載Galaxy S25旗艦手機。 但Exynos 2500采第二代3nm
GAA良率低，傳聞只有20%，導致Exynos 2500量產延后，Galaxy S25系列被迫全部采高通Sna
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三星顯示與英特爾合作開發下一代顯示解決方案，針對英特爾處理器進行優化三星顯示與英特爾已簽署一份諒解備忘錄，雙方將在提供針對英特爾處理器優化的領先顯示解決方案方面展開合作。三星顯示作為領先的顯示制造商之一，已與英特爾簽署了一份關于合作開發下一代顯示屏的諒解備忘錄（MoU）。由于人工智能 PC 的需求激增，兩家公司希望攜手合作，為市場帶來前沿的顯示屏，為英特爾處理器提供更好的特性和優化。通過此次合作，兩家公司旨在利用三星顯示屏中的英特爾處理器，打造高性能的信息技術（IT）設備和人工智能 PC。三星顯示執行副總
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據韓國媒體ZDNet Korea 2月24日報道稱，三星電子近期已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術的專利許可協議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產品（430層）開始使用該專利技術來進行制造。報道稱，三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權，主要由于目前長江存儲在“混合鍵合”技術方面處于全球領先地位。并且三星經過評估認為，從下一代V10 NAND開始，其已經無法再避免長江存儲專利的影
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據韓媒報道，三星已確認從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術，特別是在新的先進封裝技術“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協議，達成合作。據悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開始量產的下一代NAND，該產品預計將具有約420至430層。將采用多項新技術，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術。據了解，長江存儲是最早將混合鍵合應用于3D NAND的企業，并將這項技術命名為“晶棧Xtacking”。該技術可在一片晶圓上獨立加工負責
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美國總統特朗普上任后劍指臺積電，除了威脅課關稅，還傳出要求臺積電技術入股或接手英特爾工廠，韓國學者撰文示警，如果臺美半導體聯盟未來變得更強大，三星代工業務市占率恐受沖擊。根據韓媒《中央日報》報導，傳出特朗普有意利用臺積電，重振陷入困境的英特爾，并確保3納米以下的先進制程技術發展。 南韓半導體產業協會常務理事安基鉉（音譯）認為，特朗普此前試圖提高關稅和重新談判補貼，可能是該提案的前奏，雖然與英特爾合作，對臺積電來說是商業可行性較低的提議，但其要克服美國壓力將十分困難。也有觀點認為，如果臺積電接手英特爾工廠，
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根據市場研究機構Gartner的最新報告，2024年全球半導體收入總額達到了6260億美元，同比增長18.1%。預計2025年全球半導體市場將繼續增長，總收入將進一步增長至7050億美元。Gartner研究副總裁George Brocklehurst表示：“數據中心應用（服務器和加速卡）中使用的GPU和AI處理器是2024年芯片行業的主要驅動力。由于對AI和生成式AI工作負載的需求日益增長，數據中心在2024年成為了僅次于智能手機的第二大半導體市場，數據中心半導體總收入從2023年的648億美元增至112
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2 月 18 日消息，據 TheElec 報道，三星芯片部門的負責人上周親自前往美國英偉達總部進行訪問。此次訪問的目的是向英偉達展示三星最新研發的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內存（HBM）。消息人士透露，英偉達曾在去年要求三星改進其 1b DRAM 的設計，此次展示的樣品正是基于英偉達的要求而改進后的成果。通常情況下，三星設備解決方案（DS）部門的負責人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見。IT之家注意到，三星在去年曾計劃使用
1b DRAM 生產 HBM，但遭遇了良品率和過熱問題。該
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2月17日消息，據韓國媒體報道，韓國半導體巨頭SK海力士已開始緊急審查其使用的中國半導體電子設計自動化（EDA）軟件，以應對美國可能出臺的新政策。這些政策可能會限制韓國半導體公司使用中國軟件，業界人士透露，SK海力士正在評估其使用的中國EDA軟件是否符合未來政策要求。EDA軟件被稱為“芯片之母”，是芯片設計和制造過程中不可或缺的工具，用于模擬各種電路設計并預測結果。目前，EDA市場主要由美國公司主導，包括新思科技（Synopsys）、益華電腦（Cadence）和Siemens EDA，這些公司的市場占有率
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21世紀以來，全球晶圓代工市場經歷了快速發展和深刻變革。在這個高度專業化和技術密集的領域，臺積電（TSMC）、三星（Samsung）和英特爾（Intel）等廠商，它們之間的競爭，不僅推動了技術的進步，也塑造了整個產業的格局。在晶圓代工市場中，目前持續推進7納米以下先進制程的大廠，全球僅剩下臺積電、三星與英特爾三家廠商。根據全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢數據顯示，2024年第三季全球晶圓代工市場，臺積電以64.9%的市占率排名第一，而且較第二季的62.3%成長2.6個百分點，顯示其在市場上的領
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據報道，NAND閃存在2025年將繼續面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執行減產計劃。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態度。長期的價格疲軟無疑將進一步壓縮企業的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進的減產措施，將NAND閃存產量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時，N
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2 月 13 日消息，據韓國《亞洲日報》今日報道，三星電子晶圓代工（半導體委托生產）業務部近日解除對生產設備的“停機”狀態，并計劃最快于今年 6 月起，將位于平澤園區（P）的晶圓代工生產線運行率提升至最高水平。業內人士透露，此次恢復運行得益于三星電子系統 LSI 業務部智能手機應用處理器（AP）Exynos 相關訂單的增加以及中國加密貨幣“礦機”訂單的擴展，從而帶動整體產能恢復。受去年訂單低迷影響，三星電子晶圓代工業務部曾為節約成本而實施“停機”措施，導致平澤園區 P2、P3 工廠約 50% 的 4 納米
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2月13日消息，據報道，NAND閃存在2025年將繼續面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執行減產計劃。其中三星在去年末已經決定削減西安工廠的NAND閃存產量，減少10%以上，另外還調低了韓國華城12號和17號生產線的產量，以進一步降低整體產量。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態度。長期的價格疲軟無疑將進一步
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