搶先臺積電 傳三星將在美國推出2納米

臺積電和三星在晶圓代工領(lǐng)域競爭激烈，兩家大廠相繼赴美國設(shè)廠，根據(jù)ZDNet Korea報導(dǎo)，三星可能比臺積電更早在美國推出2納米制程，預(yù)計時間點在明年第一季，以增強在美國芯片市場的影響力。 但報導(dǎo)也質(zhì)疑，三星先進制程的良率偏低，泰勒工廠能否達到芯片生產(chǎn)階段仍存在不確定性。

報導(dǎo)指出，三星計劃將在美國推出首個國產(chǎn)2納米制程，以加強競爭力，據(jù)悉公司已開始為在泰勒工廠的生產(chǎn)線做準備。 雖然目前美國2納米制程生產(chǎn)尚處在規(guī)劃階段，但考量大型科技公司對從美國采購芯片展現(xiàn)濃厚興趣，三星對此持樂觀態(tài)度。

三星美國廠野心勃勃，根據(jù)了解，三星可能最快在明年1月或2月，啟動2納米制程的量產(chǎn)，該公司目前正把研發(fā)資源轉(zhuǎn)向泰勒工廠。 雖然三星在美國的業(yè)務(wù)不如臺積電成功，卻下定決心取得突破，但報導(dǎo)也質(zhì)疑，未來泰勒工廠能否達到芯片生產(chǎn)階段仍存在不確定性。

三星一開始計劃在美國生產(chǎn)4納米制程，在獲得拜登政府《芯片法案》（CHIPS Act） 的資助后，三星加大投入資金，卻始終未能實現(xiàn)量產(chǎn)。 三星為了轉(zhuǎn)移市場對臺積電亞利桑那工廠的注意力，想率先在美國推出「性能強大」的2納米制程。

三星晶圓代工部門下半年將推出最新技術(shù)SF2，采用第三代GAA制程，與SF3相比，SF2性能提高12%、能效提高25%，芯片面積微縮5%。 傳出三星SF2已進入試產(chǎn)，良率能達到40%，高過原本的預(yù)期，但三星能否實現(xiàn)足以進行量產(chǎn)的高良率，仍有待觀察。

三星先前搶先其他競爭對手，率先量產(chǎn)環(huán)繞閘極技術(shù)（GAA）的3納米制程，但良率卻不佳，外界認為宣傳效果大于實際，三星想超越臺積電并非易事。