三星推動2納米技術突破，業界押注臺積電3納米鰭式場效應晶體管

市場傳言越來越多，稱三星正在積極將資源轉向 2 納米開發，計劃明年在其德克薩斯州工廠推出下一代工藝，可能試圖超越臺積電。然而，據半導體行業內的消息人士稱， 商業時報報道，三星當前的 3 納米 GAAFET 技術大致與競爭對手的 4 納米鰭式場效應晶體管節點相當，這引發了對其即將到來的 2 納米工藝可能仍不及臺積電最強大的 3 納米鰭式場效應晶體管一代的擔憂。

同時，臺積電繼續擴展其 3 納米工藝系列，包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同應用變體。該報告指出，這些節點預計將仍然是主要客戶的首選。

根據同一份報告，目前幾乎所有旗艦智能手機 SoC 都依賴于臺積電的第二代 3 納米工藝（N3E），唯一的例外是三星的 Exynos 2500，它采用了其自家的 3 納米 GAAFET 技術。

報告中引用的行業消息人士表示，大多數芯片制造商正在準備今年遷移到第三代 3 納米節點（N3P）。據報道，臺積電自去年底以來已開始 N3P 的大規模生產，預計 2025 年總產能將增長超過 60%。

商業時報援引 IC 設計公司的消息報道稱，臺積電繼續提供卓越的整體芯片性能。例如，使用相同的 Arm Cortex-X925 超大型核心設計的 Dimensity 9400，達到了 3.62GHz 的時鐘速度。這超過了三星 Exynos 2500 的 3.3GHz，并且發布時間大約早了四分之三。

為應對美國本土生產日益增長的客戶需求，消息稱臺積電在亞利桑那州的第二座晶圓廠已進入加速階段，設備搬遷計劃定于2025年第三季度進行。