4nm 文章 最新資訊
三星優(yōu)先考慮2nm/4nm改進，2028-29前不太可能實現(xiàn)1.4nm
- 據(jù)報道，隨著主要競爭對手臺積電和英特爾的目標是在 2025 年下半年實現(xiàn) 2nm 和 18A 的量產(chǎn)，三星也在調(diào)整其業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。據(jù) ZDNet 稱，它現(xiàn)在專注于提高和優(yōu)化其當前先進節(jié)點的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，雖然沒有給出修改后的時間表，但該報告表明，三星的 1.4nm 生產(chǎn)現(xiàn)在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前開始。據(jù) ZDNet 稱，該更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高級代工生態(tài)系統(tǒng)）論壇 2025”期間發(fā)布的。據(jù)報道，在此次活動中，三星透
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三星4nm工藝UCIe芯片完成性能評估，傳輸帶寬達24Gbpsv
- 據(jù)韓媒etnews于6月18日報道，三星電子近期在高性能計算（HPC）和人工智能（AI）領(lǐng)域取得重要突破。其基于4nm工藝制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能評估，傳輸帶寬達到24Gbps。這一成果標志著三星在芯粒互聯(lián)技術(shù)上的顯著進展。UCIe（統(tǒng)一芯?；ヂ?lián)接口）是一種通用的芯?；ヂ?lián)標準，能夠?qū)崿F(xiàn)不同來源和工藝的芯粒之間的互聯(lián)通信，從而將分散的芯粒生態(tài)系統(tǒng)整合為統(tǒng)一平臺。三星早在去年就對其工藝進行了優(yōu)化，以支持UCIe IP的開發(fā)。此次原型芯片的成功運行，表明其技術(shù)已具備向商業(yè)量產(chǎn)邁進的能力。
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臺積電美國廠首批4nm晶圓送往臺灣封裝
- 據(jù)臺媒報道，臺積電位于美國亞利桑那州的晶圓廠已經(jīng)完成了為蘋果、英偉達（NVIDIA）和AMD制造的第一批芯片，數(shù)量達到了2萬片晶圓，目前這些芯片已經(jīng)送往中國臺灣進行封裝。這批在臺積電亞利桑那州晶圓廠生產(chǎn)的4nm制程晶圓，其中包括了英偉達Blackwell AI GPU、蘋果公司面向iPhone的A系列處理器和AMD第五代EPYC數(shù)據(jù)中心處理器。由于臺積電目前在美國沒有封裝廠，因此這些晶圓還需要發(fā)送到中國臺灣的臺積電的先進封裝廠利用CoWoS技術(shù)進行先進封裝。雖然臺積電也計劃在美國建設(shè)兩座先進封裝廠，但是目
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臺積電重申1.4nm級工藝技術(shù)不需要高數(shù)值孔徑EUV
- 臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術(shù)研討會上重申了其對下一代高數(shù)值孔徑 EUV 光刻工具的長期立場。該公司的下一代工藝技術(shù)不需要這些最高端的光刻系統(tǒng)，包括 A16（1.6 納米級）和 A14（1.4 納米級）工藝技術(shù)。為此，TSMC 不會為這些節(jié)點采用 High-NA EUV 工具?！爱斉_積電使用 High-NA 時，人們似乎總是很感興趣，我認為我們的答案非常簡單，”副聯(lián)席首席運營官兼業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷售高級副總裁 Kevin Zhang 在活動中說?！懊慨斘覀兛吹?High-NA 將提供有意義、可衡
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英特爾版 X3D 技術(shù)將至：18A-PT 芯片工藝官宣，14A 節(jié)點即將推出
- 4 月 30 日消息，英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活動中亮相，概述了公司在晶圓廠代工項目上的進展。陳立武宣布，公司現(xiàn)在正在與即將推出的 14A 工藝節(jié)點（1.4nm 等效）的主要客戶進行接觸，這是 18A 工藝節(jié)點的后續(xù)一代。英特爾已有幾個客戶計劃流片 14A 測試芯片，這些芯片現(xiàn)在配備了公司增強版的背面電源傳輸技術(shù)，稱為PowerDirect。陳立武還透露，公司的關(guān)鍵 18A 節(jié)點現(xiàn)在處于風(fēng)險生產(chǎn)階段，預(yù)計今年晚
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臺積電推1.4nm 技術(shù)：第2代GAA晶體管，全節(jié)點優(yōu)勢2028年推出
- 臺積電公布了其 A14（1.4 納米級）制造技術(shù)，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優(yōu)勢。在周三舉行的 2025 年北美技術(shù)研討會上，該公司透露，新節(jié)點將依賴其第二代全環(huán)繞柵極 （GAA） 納米片晶體管，并將通過 NanoFlex Pro 技術(shù)提供進一步的靈活性。臺積電預(yù)計 A14 將于 2028 年進入量產(chǎn)，但沒有背面供電。計劃于 14 年推出具有背面供電功能的 A2029 版本。“A14 是我們的全節(jié)點下一代先進芯片技術(shù)，”臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷售高級副總
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搶單失敗，高通4nm訂單未選擇三星
- 移動處理器大廠高通（Qualcomm）計劃推出一款新的4納米高端芯片組，雖然定位低于旗艦級的Snapdragon 8 Elite，但性能依然備受市場關(guān)注。 最新消息指出，這款可能命名為Snapdragon 8s Gen 4的新芯片，高通似乎仍傾向于與老伙伴臺積電合作，而非選擇三星代工。追蹤三星相關(guān)消息的南韓科技媒體SamMobile報導(dǎo)，盡管三星的4納米制程已經(jīng)通過測試，也經(jīng)過市場驗證，看似有搶單的機會，然而高通似乎仍對三星持保留態(tài)度，最終還是決定交由臺積電獨家代工這款新芯片。其實三星早在2021年就以第
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高通驍龍 8s 至尊版芯片曝光：安兔兔跑分逼近 200 萬
- 3 月 24 日消息，消息源 @Gadgetsdata 于 3 月 22 日在 X 平臺發(fā)布推文，分享了高通驍龍 8s 至尊版芯片的更多細節(jié)，并透露該芯片的各項配置更接近于驍龍 8s Gen 3 芯片。援引博文介紹，高通驍龍 8s 至尊版采用 4nm 制程工藝，沒有采用Oryon自研核心，其配置信息如下：驍龍8s Gen 38s Elite8 Elite節(jié)點4nm4nm3nmCPU,主核1x Cortex-X4 @ 3.0GHz1x Cortex-X4 @ 3.21GHz2x Oryon @ 4.32GH
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臺積電美國廠4nm芯片生產(chǎn)進入最后階段
- 知情人士稱，蘋果在臺積電美國亞利桑那州工廠（Fab 21）生產(chǎn)的4nm芯片已進入最后的質(zhì)量驗證階段，英偉達和AMD也在該廠進行芯片試產(chǎn)。不過，臺積電美國廠尚不具備先進封裝能力，因此芯片仍需運回臺灣封裝。有外媒在最新的報道中提到，去年9月份就已開始為蘋果小批量代工A16仿生芯片的臺積電亞利桑那州工廠，目前正在對芯片進行認證和驗證。一旦達到質(zhì)量保證階段，預(yù)計很快就能交付大批量代工的芯片，甚至有可能在本季度開始向蘋果設(shè)備供貨?！?臺積電亞利桑那州晶圓廠項目工地，圖源臺積電官方臺積電位于亞利桑那州的在美晶圓廠項目
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臺積電美國工廠明年開產(chǎn)4nm芯片：你買安卓、蘋果產(chǎn)品可能要多付30%
- 12月30日消息，據(jù)國外媒體報道稱，臺積電亞利桑那工廠將于2025年下半年開始量產(chǎn)4nm工藝，蘋果、英偉達、AMD 和高通等客戶將成為主要受益者。不過，對于消費者來說就不那么友好了，因為如果真是這樣的話，那么大家要承擔(dān)30%漲價。為什么這么說？報道中提到，臺積電的4nm工藝將在亞利桑那州工廠的一期（1A）廠區(qū)投產(chǎn)，但生產(chǎn)成本預(yù)計將比現(xiàn)有的高出30%，這是美國客戶需要考慮的問題。據(jù)悉，該工廠將負責(zé)4nm生產(chǎn)，但這是第一階段的計劃，因為在第二階段，臺積電計劃在2028年量產(chǎn)2nm，盡管目前這還有點不確定。按照
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臺積電美國晶圓廠4nm試產(chǎn)良率已與在臺工廠相近
- 據(jù)彭博社援引消息稱，臺積電美國亞利桑那州晶圓廠項目首座工廠4nm產(chǎn)線的試產(chǎn)良率已與臺積電位于臺灣地區(qū)的南科廠良率相近。臺積電在回應(yīng)彭博社報道的電子郵件中表示，其亞利桑那州項目“正在按計劃進行，進展良好”。根據(jù)此前的信息顯示，臺積電美國亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月中旬完成了第一條生產(chǎn)線的架設(shè)，并開始接電并投入基于4nm制程進行工程測試晶圓的生產(chǎn)，而根據(jù)彭博社最新的報道來看，基于該生產(chǎn)線的第一批試產(chǎn)的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當，那么表明其后續(xù)如果量產(chǎn)，良率將不是問題。根據(jù)規(guī)劃，臺積電將在美國亞利
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高通入門級驍龍4s Gen2發(fā)布：三星4nm、主頻2.0GHz
- 7月29日消息，高通正式發(fā)布了新款移動平臺驍龍4s Gen 2，這款芯片定位于入門級市場，采用三星4nm工藝技術(shù)。CPU為八核心設(shè)計，包括2個最高可達2.0GHz的A78內(nèi)核和6個A55內(nèi)核，最高頻率為1.8GHz。這款芯片支持Wi-Fi 5、藍牙5.1、5G NR，以及最高8400萬像素的照片拍攝和1080P 60P視頻錄制，同時兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X運行內(nèi)存。與前代產(chǎn)品高通驍龍4 Gen 2相比，驍龍4s Gen 2的多項性能參數(shù)有所降低，例如CPU大核主頻從2
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4nm→2nm，三星或升級美國德州泰勒晶圓廠制程節(jié)點
- 根據(jù)韓國媒體Etnews的報導(dǎo)，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設(shè)在美國德州泰勒市的晶圓廠制程技術(shù)，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠和英特爾的競爭。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報導(dǎo)指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開始興建，計劃于2024年底開始分階段運營。以三星電子DS部門前負責(zé)人Lee Bong-hyun之前的說法表示，到2024年底，我們將開始從這里出貨4納米節(jié)點制程的產(chǎn)品。不過，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計劃進軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域
- IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當?shù)貢r間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回擊了此前的媒體傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準備工作進展順利，預(yù)計可于 2027 年在性能和良率兩方面達到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結(jié)構(gòu)方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時代的先進邏輯制程技術(shù)，實現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認，其仍計劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
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4nm介紹
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