11月1日下午，第二十一屆中國國際半導體博覽會（IC China 2024）新聞發布會在北京舉行。中國半導體行業協會副理事長兼秘書長張立、中國半導體行業協會執行秘書長王俊杰、北京賽迪出版傳媒有限公司總經理宋波出席會議，分別介紹IC China 2024的舉辦意義、籌備情況、特色亮點，并回答記者提問。發布會由中國半導體行業協會專職副理事長兼書記劉源超主持。發布會披露，IC China 2024由中國半導體行業協會主辦，北京賽迪出版傳媒有限公司承辦，將于11月18日—20日在北京國家會議中心舉辦。自2003年
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IC China 2024
臺積電OIP（開放創新平臺）于美西當地時間25日展開，除表揚包括力旺、M31在內之業者外，更計劃推出3Dblox新標準，進一步加速3D IC生態系統創新，并提高EDA工具的通用性。 臺積電設計構建管理處負責人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構中的物理挑戰，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術實現優化的設計。臺積電OIP生態系統論壇今年由北美站起跑，與設計合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動AI芯片設計的創新。 Dan Kochpa
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臺積電 OIP 3D IC設計
（一）會議概況2024中國集成電路設計創新大會暨第四屆IC應用展（ICDIA-IC Show）和第十一屆汽車電子創新大會（AEIF）暨汽車電子應用展將于9月25-27日在無錫同期召開，兩會共設2場高峰論壇、8場專題分會（含1場供需對接+1場強芯發布），150場報告，6000+平米展區展示，200+展商展示IC創新成果與整機應用，200+行業大咖，500+企業高管，5000+行業嘉賓參會。會議看點1、第十屆汽車電子創新大會（AEIF）概況2024 AEIF技術展覽規模將全面升級，聚焦大模型與AI算力、汽車電
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ICDIA-IC Show & AEIF 2024
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出新系列8款小型高壓電子熔斷器（eFuse IC）——TCKE9系列，支持多種供電線路保護功能。首批兩款產品“TCKE903NL”與“TCKE905ANA”于今日開始支持批量出貨，其他產品將陸續上市。TCKE9系列產品具有電流限制和電壓鉗位功能，可保護供電電路中的線路免受過流和過壓狀況的影響，這是標準物理熔斷器無法做到的。即使發生異常過流或過壓，也能保持指定的電流和電壓。此外，新產品還具有過熱保護和短路保護功能，當電路產生異常熱量或發生意外短路時，可通
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東芝 電子熔斷器 eFuse IC
近日，據媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發展藍圖，目標2027年實現1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數經歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規劃較此前公布的時間早了近3年，據日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示，公司計劃于2030至2031
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鎧俠 3D NAND堆疊
6月25日消息，據媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發布了關于3D DRAM技術的最新研究成果，展示了其在該領域的深厚實力與持續創新。據最新消息，SK海力士在3D DRAM技術的研發上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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SK海力士 3D DRAM
●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內部熱分析，幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設計與驗證挑戰●? ?新軟件集成了西門子先進的設計工具，能夠在整個設計流程中捕捉和分析熱數據西門子數字化工業軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
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西門子 Calibre 3DThermal 3D IC
●? ?西門子集成的驗證套件能夠在整個IC設計周期內提供無縫的IP質量保證，為IP開發團隊提供完整的工作流程西門子數字化工業軟件日前推出 Solido? IP 驗證套件 (Solido IP Validation Suite)，這是一套完整的自動化簽核解決方案，可為包括標準單元、存儲器和 IP 模塊在內的設計知識產權 (IP) 提供質量保證。這一全新的解決方案提供完整的質量保證 (QA) 覆蓋范圍，涵蓋所有 IP 設計視圖和格式，還可提供 “版本到版本” 的 IP 認證，能夠提升完整芯
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西門子 Solido IP IC設計 IC 設計
IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業化研究集中在兩種結構上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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3D 內存 存儲 三星
得益于人工智能需求激增推動的英偉達營收大增，全球前十大芯片設計廠商在去年的營收超過了1600億美元，英偉達也首次成為年度營收最高的芯片設計廠商。
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芯片 英偉達 IC 高通 博通
了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導體器件和電子系統免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動要求時，我們經常使用簡化，如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設備在一定電壓范圍內工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時，接受3.0至3.6 V電源電壓的數字
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欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC
聯電昨（2）日所推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯電表示，此技術將應用于手機、物聯網和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產。 聯電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
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5G 聯電 RFSOI 3D IC
近日，晶圓代工大廠聯電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯電共同總經理王石表示，由于電腦領域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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聯電 3D IC
3d-ic介紹
3D IC產業鏈依制程可概略區分成3大技術主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [
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