隨著主要內存制造商將產能轉向 DDR5 和 HBM，他們的 DDR4 淘汰時間表逐漸清晰。根據商業時報的報道，三星、SK 海力士和美光計劃在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出貨。TrendForce 的最新調查也顯示，三大 DRAM 供應商正在將產能轉向高端產品，并已開始宣布 PC 和服務器級 DDR4 以及移動 LPDDR4X 的停產計劃。因此，預計 2025 年第三季度的傳統 DRAM 合同價格將上漲 10%至 15%。包括 HBM 在內，整體 DRAM 價格預計將上漲 15%至 2
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存儲 DDR4 HBM
Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半導體業務表現不佳，該業務占整體利潤的 50-60%。由于持續的技術問題，高帶寬內存（HBM）和其他高容量、高附加值內存產品未能從蓬勃發展的人工智能（AI）領域獲益。代工（合同芯片制造）和系統 LSI 業務也因未能爭取到主要客戶而繼續虧損。然而，隨著 Nvidia 的 HBM 大規模生產批準的可能性在第三季度增加，以及上半年積累的內存庫存得到清理，人們對業績反彈的預期正在增長。根據行業消息，7 月 8 日三星電子的設備解決方案（DS）部
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三星電子 HBM.半導體產業
三星電子在今年第二季度錄得的營業利潤明顯低于市場預期，引發了對其高帶寬內存 （HBM） 業務失敗的擔憂，這被視為這一缺口背后的最大原因，以及代工業務的潛在復蘇。盡管存儲半導體需求低迷，但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引領下取得了不錯的成績，而三星電子卻在性能不佳的泥潭中苦苦掙扎。特別是，三星電子自第四代 HBM （HBM3） 以來，所有代 HBM 產品都未能取得顯著成果，導致 SK 海力士和美光占據市場領先地位。根據國內證券公司的分析，三星電子的內存部門錄得約 3 萬億韓元的營業利
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三星電子 半導體 HBM
美光在 2025 財年第三季度的創紀錄收入是由 HBM 銷售額激增近 50%推動的——而且勢頭仍在繼續。這家美國內存巨頭現在目標是到年底占據約 25%的 HBM 市場份額，正如 ZDNet 所報道的那樣。雖然其樂觀的展望吸引了市場關注，但焦點也集中在其全球產能擴張能否跟上。以下是美光最新制造動向的簡要回顧，包括國內和海外。美國生產時間表指向2027年開始2022 年 9 月，美光公司公布了一項 150 億美元的擴張計劃，計劃在其愛達荷州博伊西總部建設一個尖端研發和半導體制造設施——這是
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美光 HBM 內存
在 2025 財年第三季度 HBM 銷售額增長近 50% 的推動下，美光公布了創紀錄的收入，現在正著眼于另一個里程碑。據 ZDNet 稱，這家美國內存巨頭的目標是到 2025 年底將其 HBM 市場份額提高到 23-24%。值得注意的是，美光在其新聞稿中表示，它現在正在向 GPU 和 ASIC 平臺上的四個客戶交付大批量 HBM。因此，該公司預計到 2025 年下半年，其 HBM 市場份額將達到與其整體 DRAM 份額持平。據路透社報道，美光的強勁業績反映了 NVIDIA 和 AMD
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Micron HBM GPU ASIC
美光在 2025 財年第三季度創紀錄的收入是由 HBM 銷售額增長近 50% 推動的，而且這種勢頭并沒有放緩。正如 ZDNet 所指出的那樣，這家美國存儲器巨頭現在的目標是到年底在 HBM 市場占據大約 25% 的份額。雖然其樂觀的前景吸引了市場的關注，但人們也關注其全球產能擴張能否跟上步伐。以下是美光在國內外的最新制造舉措。美國生產時間表指向 2027 年開始根據其新聞稿，2022 年 9 月，美光公布了一項價值 150 億美元的計劃，以擴建其位于愛達荷州博伊西的總部，該總部將擁有尖
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晶圓廠 美光 HBM
隨著將 HBM4 時代的希望寄托在其 1c DRAM 的進展上，據報道三星在良率方面取得了重大突破。據 sedaily 報道，該公司最近在其第六代 10nm 級 DRAM（1c DRAM）晶圓測試中實現了 50-70%的良率——這一數字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是，與 SK 海力士和美光等堅持使用更成熟的 1b DRAM 生產 HBM4 不同，三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩步提高，該公司計劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產規模，根據
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三星 HBM 存儲
據臺媒《經濟日報》報道，由于DDR4供應減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現貨價等規格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點，更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲，甚至比更高規格的DDR5報價更高，呈現“價格倒掛”，業界直言：“至少十年沒看過現貨價單日漲幅這么大?！备鶕﨑RAM專業報價網站DRAMeXchange最新報價顯示，6月13日晚間DDR4現貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
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韓國頂尖國家級研究機構 KAIST 發布了一份 371 頁的論文，詳細介紹了到 2038 年高帶寬內存（HBM）技術的演進，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發展，包括封裝、3D 堆疊、以內存為中心的架構以及嵌入 NAND 存儲，甚至基于機器學習的方法來控制功耗。 請記住，該文件是關于 HBM 技術假設演進的，基于當前行業和研究方向，而不是任何商業公司的實際路線圖。（圖片來源：KAIST）每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
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作為 Micron——在贏得 NVIDIA HBM 訂單的競爭中關鍵對手——宣布已交付其首批 12 層 HBM4 樣品，據報道三星在 6 月份第三次嘗試通過 NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗證時遇到了挫折。根據 Business Post引用的證券分析師，該公司現在計劃在 9 月份進行重測。盡管 Deal Site 之前表示三星的 12 層 HBM3E 在 5 月份通過了 NVIDIA 的裸片認證，但該產品仍需進行完整封裝驗證。另一方面，SR Times 建
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美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術以及東京大學持有的數據傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開發并評估量產可行性，目標是在2030年前實現商業化。Saimemory將主要專注于芯片的設計工作以及專利管理，而芯片的制造環節則將交由外部代工廠負責這種分工模式有助于充分發揮
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據韓媒SEDaily報道，三星半導體部門（即DS設備解決方案部）正對系統LSI業務的組織運作方式的調整計劃進行最終審議，相關決定將在不久后公布。預計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負責人全永鉉做出最終決定之前，還將進行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統LSI業務主要負責芯片設計，在三星半導體體系中承擔著為移動業務（MX）部門開發Exynos手機SoC的核心任務。然而，近年來Exynos 2x00系列應用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
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據路透社報道，英偉達即將針對中國市場推出一款新的AI芯片，預計售價在6500美元至8000美元之間，遠低于H20芯片的10000至12000美元，較低的價格反映了其較弱的規格和更簡單的制造要求，避開了受美國出口規則限制的先進技術。知情人士稱，這款新的專供中國市場的GPU將會是基于英偉達的服務器級圖形處理器RTX Pro 6000D來進行構建，采用傳統的GDDR7顯存，而不是HBM3e，也沒有使用臺積電的先進封裝技術CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate），這也使得這款芯片成本大幅
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據報道，在 NVIDIA 的 H20 受到最新的美國 AI 芯片出口限制后，這家美國芯片巨頭一直在開發一款針對市場的新芯片組。據路透社報道，這款基于 Blackwell 的芯片最早可能在 6 月首次亮相，成本比 H30 低 20% 以上。路透社指出，NVIDIA 對內存和封裝的選擇是該芯片價格較低的關鍵原因。值得注意的是，據報道，新型號將放棄臺積電先進的 CoWoS 封裝。此外，該報告補充說，預計它將基于 RTX Pro 6000D（服務器級 GPU）與標準 GDDR7 內存配對，而不是更昂貴的 HBM。
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