- 三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產品本月即將停產，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產能削減至其生產份額的20%。這意味著內存制造商正加速產品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產品。ddr4和ddr5的區別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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DDR4 DDR5 三星 SK海力士 內存 HBM
- 4月24日消息，韓國內存巨頭SK海力士公布2025年Q1財報，Q1營業利潤同比增長158%，為7.44萬億韓元（約合52億美元），超過預期的6.6萬億韓元。營收同比增長42%，達到17.63萬億韓元。數據顯示，這是SK海力士第二好的季度業績，此前該公司上一季度營收和營業利潤均創歷史新高。作為英偉達HBM(高帶寬存儲器)的重要供應商，SK海力士受益于HBM等AI關鍵組件的強勁需求增長。2025年Q1，SK海力士在DRAM市場的份額超過三星。報告期內，SK海力士占據了DRAM市場36%的份額，而三星是34%。
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SK海力士 存儲芯片 HBM
- 三星對此消息表示，無法確認。 但法人認為，HBM市場年復合成長率超過45%，三星傳停產舊規格的HBM，應有助于三星加快技術迭代，并鞏固其與SK海力士、美光的「三強爭霸」地位。與此同時，陸廠加快進攻高階存儲器市場。 長鑫存儲宣布16nm DDR5 DRAM已量產，性能超越SK海力士12nm產品，并計劃2025年將產能擴至每月18萬片晶圓，目標2026年切入LPDDR5與車用DRAM，為未來進軍HBM鋪路。長江存儲則靠Xtacking混合鍵合技術快速追趕，量產全球首款270層3D NAND Flash，與三星
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三星 HBM
- 4月7日消息，據國外媒體報道稱，三星公司領導層將對主要全球客戶提高內存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產品組合的價格上漲，預計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業內人士表示：去年全年供應過剩，但隨著主要公司開始減產，供應量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現，由于工業自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構DRAMeXchange給出的統計顯示，
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內存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
- 3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未來三代AI服務器，不但規格、性能越來越強，HBM內存也是同步升級，容量、頻率、帶寬都穩步前進。其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年發布，繼續采用HBM3E內存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升級為下一代HBM4內存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576繼續升級為加強版HBM4E內存；而到了2028年的Feynman全新架構有望首次采用HBM5內存。與此同時，SK海力士、三星、美光三大原廠也紛紛展示
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HBM 內存
- 自SK海力士官網獲悉，3月19日，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新產品12層HBM4，并且全球首次向主要客戶提供了其樣品。據悉，此次提供的12層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲器必備的世界最高水平速率，其容量也是12層堆疊產品的最高水平。該產品首次實現了最高每秒可以處理2TB（太字節）以上數據的帶寬，相當于在1秒內可處理400部以上全高清（Full-HD，FHD）級電影（5GB=5千兆字節）的數據，運行速度與前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。同時，公司通過在該產品上采用已在前一代產
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SK海力士 HBM
- 2月17日消息，據BK最新報道，NVIDIA正與包括三星電子、SK海力士在內的主要內存半導體公司進行秘密談判，合作開發新型內存標準SOCAMM，并推動其商業化。16日，業內人士證實了這一消息。此舉標志著內存半導體領域的重大轉轉變，對B2B服務器市場和蓬勃發展的設備端AI領域都有潛在影響。據悉，SOCAMM被譽為新一代HBM（高帶寬存儲器），是系統級芯片高級內存模塊的縮寫，這是一種尖端的DRAM內存模塊，可極大增強個人AI超級計算機的性能。與小型PC和筆記本電腦中使用的現有DRAM模塊相比，SOCAMM的性
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英偉達 內存 HBM
- Micron Technology 已開始在新加坡建設其價值數十億美元的高帶寬內存 （HBM） 封裝設施。該公司將向該工廠投資 70 億美元，因為預計在 AI 熱潮中，未來幾年對 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 內存的需求將猛增。該設施將于 2026 年開始運營。美光的高帶寬內存 （HBM） 封裝設施位于美光在新加坡現有的生產 3D NAND 和 DRAM 的晶圓廠旁邊。新的 HBM 裝配廠將于 2026 年投產，并計劃在 2027 年大幅提高產能。該設施將使用先進的人工智能驅動的自動化來
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AI Micron HBM 裝配廠
- HBM（高帶寬內存）技術是即將到來的“內存內計算/處理”時代的一種“近內存計算（Near Memory Computing）/處理”階段。由于人工智能/機器學習的高需求，三星、SK海力士和美光這三大內存制造商正在HBM技術的開發上競相角逐。HBM是一種具有高帶寬和寬通道的3D堆疊DRAM器件，這意味著它非常適合高性能計算（HPC）、高性能圖形處理單元（GPU）、人工智能和數據中心應用所需的高能效、高性能、大容量和低延遲內存。因此，對于內存制造商而言，硅通孔（TSV）工藝集成和3D HBM DRAM芯片堆疊
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HBM 高帶寬內存
- 12 月 20 日消息，據 TheElec 報道，韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應 HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱，博通計劃從 SK 海力士采購存儲芯片，并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM，SK 海力士肯定會調整其 DRAM 產能預測。這家公司計劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產能擴大到 14~15 萬片（IT之家注：單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
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存儲芯片 SK海力士 HBM
- 12 月 11 日消息，Marvell 美滿電子美國加州當地時間 10 日宣布推出“定制 HBM 計算架構”（Custom HBM Compute Architecture），可令各種 XPU 處理器實現更高的計算和內存密度。Marvell 表示這項可提升性能、能效、成本表現的新技術對其所有定制芯片客戶開放，并得到了三大 HBM 內存原廠 SK 海力士、三星電子、美光的共同支持。Marvell 的“定制 HBM 計算架構”采用了非行業標準的 HBM I/O 接口設計，可帶來更優秀性能和最多 70% 的接口
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Marvell HBM XPU
- 據外媒報道，三星正在擴大韓國和其他國家芯片封裝工廠的產能，主要是蘇州工廠和韓國忠清南道天安基地。由于人工智能領域激增的需求，下一代高帶寬存儲器封裝（HBM）的重要性日益重要，三星希望通過提升封裝能力，確保他們未來的技術競爭力，并縮小與SK海力士在這一領域的差距。· 蘇州工廠是三星目前在韓國之外僅有的封裝工廠，業內人士透露他們在三季度已同相關廠商簽署了設備采購協議，合同接近200億韓元，目的是擴大工廠的產能。· 另外，三星近期已同忠清南道和天安市簽署了擴大芯片封裝產能的投資協議，計劃在韓國天安市新建一座專門
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三星 高帶寬存儲器 封裝 HBM
- 任何新的內存方法都必須具備可制造性與成本效益，方能被采用。
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HBM
- 獲悉，周四，SK海力士公布了創紀錄的季度利潤和營收，這反映出市場對與英偉達(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開發的存儲芯片的強勁需求。作為英偉達的供應商，這家韓國存儲芯片巨頭第三季度的營業利潤達到7.03萬億韓元(51億美元)，上年同期為虧損1.8萬億韓元，高于分析師預期的6.9萬億韓元。營收大增94%，達到17.6萬億韓元，而市場預期為18.2萬億韓元。今年以來，SK海力士股價累計上漲逾35%，原因是該公司在設計和供應為英偉達人工智能加速器提供動力的尖端高帶寬內存(HBM)方面擴大了對三星電子(S
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AI HBM SK海力士
- 10 月 17 日消息，據韓媒 ZDNET Korea 當地時間昨日報道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業務規模，全力聚焦高利潤產品 HBM 以及 CXL 內存、PIM、AI SSD 等新興增長點。SK 海力士今年減少了對 CIS 業務的研發投資，同時月產能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據 3/4 市場份額，SK 海力士僅以 4% 排在第六位，遠遠落后于競爭對手。同時，SK 海力
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