鎧俠公布藍(lán)圖：2027年實(shí)現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

近日，據(jù)媒體報(bào)道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。

鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實(shí)現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預(yù)測到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。

而這一規(guī)劃較此前公布的時(shí)間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報(bào)道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會春季學(xué)術(shù)演講會上表示，公司計(jì)劃于2030至2031年間推出1000層的3D NAND閃存芯片。

鎧俠是全球知名的存儲芯片廠商，不過為應(yīng)對需求低迷的市場環(huán)境，2022年10月，鎧俠宣布將調(diào)整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn)，將晶圓生產(chǎn)量減少約30%。

最新消息是，鎧俠已結(jié)束了為期20個(gè)月的減產(chǎn)動(dòng)作，并將上述兩座NAND Flash工廠的產(chǎn)線開工率提升至100%。此外，隨著業(yè)務(wù)好轉(zhuǎn)，債權(quán)銀行已同意為6月份到期的5,400億日元貸款進(jìn)行再融資。他們還將設(shè)立總額為2,100億日元的新信貸額度。

除了公布最新3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖外，鎧俠的IPO計(jì)劃似乎也迎來了新的進(jìn)展。

據(jù)媒體援引兩位知情人士的消息報(bào)道，鎧俠計(jì)劃在未來幾天提交一份在東京證交所上市的初步申請。知情人士稱，這家芯片制造商計(jì)劃在8月提交一份完整的申請，并預(yù)計(jì)于10月底上市，不過上市時(shí)間有可能會推遲到12月。