1. CPU Vcore 簡介:VCORE轉換器(調節器)是在臺式個人電腦、筆記本式個人電腦、服務器、工業電腦等計算類設備中為CPU(中央處理器)內核或GPU(圖形處理器)內核供電的器件,與普通的POL(負載點)調節器相比,它們要滿足完全不同的需要:CPU/GPU都表現為變化超快的負載,需要以極高的精度實現動態電壓定位 (Dynamic Voltage Positioning) ,需要滿足一定的負載線要求,需要在不同的節能狀態之間轉換,需要提供不同的參數測量和監控。在VCORE轉換器與CPU之間通常以串列
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Richtek 立锜 Intel IMVP8 RT3607 多相電源 PWM IC
在之前的文章中,我們討論了需要具有高輸入阻抗的放大器才能成功地從壓電傳感元件中提取加速度信息。對于一些壓電加速度計,放大器內置在傳感器外殼中?,F代 IC 通常由來自各個領域的元素組成。還有各種片上系統 (SoC) 和系統級封裝 (SiP) 技術,包括單個 IC 上的每個 IC 設計域,或包含各種半導體工藝和子 IC 的封裝。本簡介概述了典型混合信號 IC 設計流程中的步驟。在本文中,我們系列文章中短的一篇,我們將給出混合信號 IC 設計流程的視圖——同時具有模擬和數字電路的 IC 設計流程。數據轉換器——
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混合信號 IC
中國上海(2023 年 3 月 28 日)– 德州儀器 (TI)(納斯達克股票代碼:TXN)今日宣布推出業內先進的獨立式有源電磁干擾 (EMI) 濾波器集成電路 (IC),能夠幫助工程師實施更小、更輕量的 EMI 濾波器,從而以更低的系統成本增強系統功能,同時滿足 EMI 監管標準。 隨著電氣系統變得愈發密集,以及互連程度的提高,緩解 EMI 成為工程師的一項關鍵系統設計考慮因素。得益于德州儀器研發實驗室 Kilby Labs 針對新概念和突破性想法的創新開發,新的獨立式有源 EMI 濾波器 I
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德州儀器 有源 EMI 濾波器 IC 電源設計
近日,外媒《BusinessKorea》報道稱,三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法,據稱這將改變存儲器行業的游戲規則。3D DRAM是什么?它將如何顛覆DRAM原有結構?壹摩爾定律放緩,DRAM工藝將重構1966年的秋天,跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發明了動態隨機存取存儲器(DRAM),而在不久的將來,這份偉大的成就為半導體行業締造了一個影響巨大且市場規模超千億美元的產業帝國。DRA
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3D DRAM 存儲器
據外媒《BusinessKorea》報道,三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被認為是半導體產業的未來增長動力。考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況,業界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然,而不是一種方向。與現有
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存儲 3D DRAM
國內EDA行業領導者芯和半導體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現,近日在半導體行業國際在線平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。? “Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產品的設計,這一事件引起了我們極大的關注。“3D InCites創始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D InCi
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芯和半導體榮 3D InCites Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎
IT之家 3 月 13 日消息,據臺媒中央社報道,半導體產業景氣反轉向下,晶圓代工產能松動,IC 設計廠為強化供應鏈,同時因未來可能變化的需求,紛紛針對貨源展開多元布局,晶圓代工報價恐將面臨壓力。臺媒指出,晶圓代工廠今年來因為終端市場需求疲弱,供應鏈持續調整庫存,產能明顯松動,世界先進第一季度產能利用率恐較去年第四季度下滑 10 個百分點,力積電將降至 6 成多水準,聯電第一季度產能利用率也將降至 7 成。IC 設計廠多數表示,晶圓代工廠并未調降代工價格,不過廠商針對配合預先投片備貨的客戶提供優
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晶圓代工 IC 設計
國內EDA行業領導者芯和半導體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現,近日在半導體行業國際在線平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。?“Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產品的設計,這一事件引起了我們極大的關注?!?D?InCites創始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D
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芯和半導體 3D InCites Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎
本文深入探討物聯網電池技術,并提出設計人員可能面臨的一些電源問題,以及ADI提供的解決方案。這些高效的解決方案可以協助克服物聯網裝置中的其他問題,包括尺寸、重量和溫度。隨著物聯網裝置越來越密集地應用于工業設備、家庭自動化和醫療應用中,透過減小外形尺寸、提高效率、改善電流消耗,或者加快充電時間(對于可攜式物聯網裝置)來優化這些裝置的電源管理的壓力也越來越大。相關的要求是所有這些都必須以小尺寸實現,既不能影響散熱,也不能干擾裝置實現無線通信。 物聯網裝置的應用領域幾乎沒有止境,每天都會考慮新的裝置和使用情況。
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IC 電源管理 物聯網 ADI
本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝(用于移動應用程序、數據中心和人工智能)的性能,就需要對架構、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料,包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料,以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺,包括一個或多
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3D NAND DRAM 5nm SoC
近日,努比亞宣布,將在MWC 2023上,公布全球首款由AI引擎驅動3D平板:努比亞Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鮮技術, 這難免讓人懷疑這款努比亞Pad 3D的最大賣點,是否會向其他同類產品一樣,淪為“空中樓閣”。而今天,努比亞打消了用戶的這一顧慮。今天,努比亞官方宣布, 努比亞Pad 3D將搭載全球最大的Leia 3D內容生態系統,包含大量運用裸眼3D技術的App,并獲得了來自多個包括Unity、UNREL等游戲引擎,以及GAMELOFT等游戲開發商的內容支持。
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努比亞 MWC 3D 游戲引擎
IT之家 2 月 27 日消息,據臺灣地區經濟日報報道,半導體庫存問題不僅 IC 設計廠商需要面對,下游 IC 渠道商為顧及長期合作關系,也常要與芯片原廠“共渡難關”。即便目前陸續傳出部分芯片有小量急單需求,有 IC 渠道廠商坦言,目前庫存去化速度還是比原本估計慢。IC 渠道廠商分析,市場目前的短單是否是曇花一現,通貨膨脹、美聯儲加息狀況、俄烏沖突以及國內是否會有報復性買盤需求等是觀察重點。不具名的 IC 渠道廠商透露,目前庫存去化狀況不如預期,假設原本估計的庫存去化速度是進 0.5 個月的貨,
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IC 市場
小耳朵衛星天線,在于一些偏遠地區常見,用于收看衛星電視節目,由于衛星電視的信號非常微弱,所以我們需要一個拋物面天線來聚焦信號,還需要一個高頻頭,也稱為LNB或LNBF,通常LNB和饋源安裝在天線的焦點上來收集信號。LNB又叫高頻頭(Low Noise Block),即低噪聲下變頻器,其功能是將由饋源傳送的衛星信號經過放大和下變頻,把Ku或C波段信號變成L波段,經同軸電纜傳送給衛星接收機,每只LNB只能用于某一波段,因為S、C和KU波段需要不同的波導管。也有一些類型是用于圓極化和線極化信號接收的,它們主要在
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Richtek 升壓 LNB STB Power IC
雙方將通過立體攝像頭數據融合技術演示3D立體深度視覺, *AIoT 、AGV小車和工業設備依靠3D立體攝像頭跟蹤快速運動物體參考設計利用意法半導體的高性能近紅外全局快門圖像傳感器,確保打造出最佳品質的深度感測和*點云圖資訊2023年1月5日,中國----在 1 月 5 日至 8 日舉行的拉斯維加斯CES 2023 消費電子展上,服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM),和專
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意法半導體 鈺立 CES 2023 機器視覺 3D 立體視覺攝像頭
本文回顧3D霍爾效應位置傳感器的基礎知識,并描述在機器人、篡改偵測、人機接口控制和萬向節馬達系統中的用途;以及介紹高精密度線性3D霍爾效應位置傳感器的范例。用于實時控制的3D位置感測在各種工業4.0應用中不斷增加,從工業機器人、自動化系統,到掃地機器人和保全。3D霍爾效應位置傳感器是這些應用的理想選擇;它們具有高重復性和可靠性,還可以與窗戶、門和外殼搭配,進行入侵或磁性篡改偵測。盡管如此,使用霍爾效應傳感器設計有效且安全的3D感測系統可能復雜且耗時。霍爾效應傳感器需要與足夠強大的微控制器(MCU)介接,以
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3D位置感測 實時控制 3D 霍爾效應傳感器
3d-ic介紹
3D IC產業鏈依制程可概略區分成3大技術主軸,分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating),由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求,TSV芯片必須經過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程,稱之為中段,可由晶圓廠或封測 [
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