3d-ic 文章最新資訊

TDK推出采用3D HAL技術并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

●? ?全新霍爾效應傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數字 SENT 協議。●? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標準的開發水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業應用場景提供支持。TDK 株式會社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應傳感器系列產品增添了新成員，現推出面向汽車和工業應用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
關鍵字： TDK 3D HAL 位置傳感器

3D ToF相機于物流倉儲自動化的應用優勢

3D ToF智能相機能藉助飛時測距（Time of Flight；ToF）技術，在物流倉儲現場精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢，加速物流倉儲行業自動化。2020年全球疫情爆發，隔離政策改變人們的消費模式與型態，導致電商與物流倉儲業出現爆炸性成長；于此同時，人員移動的管制，也間接造成人力不足產生缺工問題，加速物流倉儲行業自動化的進程，進而大量導入無人搬運車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
關鍵字： 3D ToF 相機物流倉儲自動化臺達

3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
關鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND

IC行業復蘇在即，電子產品銷售Q3將環比增10%

2023 年第三季度，電子產品銷售額預計將實現 10% 的季度環比增長。
關鍵字： IC 集成電路

3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來架構

動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個行業的發展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著生產成本的降低。l DRAM技
關鍵字： 3D DRAM 泛林

基于 LPC5528 的 3D 打印機方案

MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內核的高性能 MCU，主頻達到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個 Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機，支持 5 軸電機控制，支
關鍵字： 3D 打印機 NXP LPC5528

Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺展 (Vision China) 展示最新產品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
關鍵字： Teledyne Vision China 3D AI成像

愛芯元智CEO仇肖莘出席2023 IC NANSHA

中國上海 2023年6月20日——6月17日-18日，以“南芯聲聚勢未來”為主題的2023中國·南沙國際集成電路產業論壇（IC NANSHA）成功舉辦。開幕式上，愛芯元智創始人、董事長兼CEO仇肖莘博士受邀發表《普惠智能的星辰大海》主題演講，向與會嘉賓分享了對邊緣側、端側人工智能的看沙法，并解讀愛芯元智2.0時代戰略規劃和業務布局。聚焦感知與計算，布局智慧城市、智能駕駛、AIoT三大賽道 IC NANSHA是為響應大灣區國家戰略而搭建的集成電路產業論壇。2022年6月，國務院正式
關鍵字：愛芯元智 IC NANSHA

格力1.5億元參設創投基金，重點投資孵化IC等產業

珠海市招商署消息顯示，5月6日，珠海賽納永盈一期創投基金成立暨項目簽約儀式舉行。據悉，珠海賽納永盈一期創投基金由珠海賽納科技有限公司聯合格力集團、正方集團共同組建，計劃規模8億元，重點投資孵化激光打印、3D打印、打印耗材、集成電路及上下游相關產業。格力集團消息稱，格力集團旗下格力金投出資1.5億元并參與管理。儀式上，賽納科技、格力集團、正方集團三方簽約代表簽署“珠海賽納永盈一期創投基金”協議，基金擬投資企業珠海諾威達電機有限公司、廣州市小篆科技有限公司分別和賽納科技簽署項目落地協議。
關鍵字：格力創投基金 IC

DRAM迎來3D時代？

3D DRAM 領域的技術競爭升溫。
關鍵字： 3D DRAM 存儲芯片 NEO 3D X-DRAM

3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術

5 月 5 日消息，鎧俠和西數展示最新的技術儲備，雙方正在努力實現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據其公布的技術論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數據還合作開發具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實驗性的 3D NAND IC，通過金屬誘導側向
關鍵字： 3D NAND

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3d-ic介紹

3D IC產業鏈依制程可概略區分成3大技術主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細 ]