3d-ic 文章進入3d-ic技術社區

3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來架構

動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個行業的發展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著生產成本的降低。l DRAM技
關鍵字： 3D DRAM 泛林

基于 LPC5528 的 3D 打印機方案

MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內核的高性能 MCU，主頻達到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個 Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機，支持 5 軸電機控制，支
關鍵字： 3D 打印機 NXP LPC5528

Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺展 (Vision China) 展示最新產品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
關鍵字： Teledyne Vision China 3D AI成像

愛芯元智CEO仇肖莘出席2023 IC NANSHA

中國上海 2023年6月20日——6月17日-18日，以“南芯聲聚勢未來”為主題的2023中國·南沙國際集成電路產業論壇（IC NANSHA）成功舉辦。開幕式上，愛芯元智創始人、董事長兼CEO仇肖莘博士受邀發表《普惠智能的星辰大?！分黝}演講，向與會嘉賓分享了對邊緣側、端側人工智能的看沙法，并解讀愛芯元智2.0時代戰略規劃和業務布局。聚焦感知與計算，布局智慧城市、智能駕駛、AIoT三大賽道 IC NANSHA是為響應大灣區國家戰略而搭建的集成電路產業論壇。2022年6月，國務院正式
關鍵字：愛芯元智 IC NANSHA

格力1.5億元參設創投基金，重點投資孵化IC等產業

珠海市招商署消息顯示，5月6日，珠海賽納永盈一期創投基金成立暨項目簽約儀式舉行。據悉，珠海賽納永盈一期創投基金由珠海賽納科技有限公司聯合格力集團、正方集團共同組建，計劃規模8億元，重點投資孵化激光打印、3D打印、打印耗材、集成電路及上下游相關產業。格力集團消息稱，格力集團旗下格力金投出資1.5億元并參與管理。儀式上，賽納科技、格力集團、正方集團三方簽約代表簽署“珠海賽納永盈一期創投基金”協議，基金擬投資企業珠海諾威達電機有限公司、廣州市小篆科技有限公司分別和賽納科技簽署項目落地協議。
關鍵字：格力創投基金 IC

DRAM迎來3D時代？

3D DRAM 領域的技術競爭升溫。
關鍵字： 3D DRAM 存儲芯片 NEO 3D X-DRAM

3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術

5 月 5 日消息，鎧俠和西數展示最新的技術儲備，雙方正在努力實現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據其公布的技術論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數據還合作開發具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實驗性的 3D NAND IC，通過金屬誘導側向
關鍵字： 3D NAND

基于RT3607HP的 Intel CPU IMVP 8/9 Vcore 電源方案

1. CPU Vcore 簡介:VCORE轉換器（調節器）是在臺式個人電腦、筆記本式個人電腦、服務器、工業電腦等計算類設備中為CPU（中央處理器）內核或GPU（圖形處理器）內核供電的器件，與普通的POL（負載點）調節器相比，它們要滿足完全不同的需要：CPU/GPU都表現為變化超快的負載，需要以極高的精度實現動態電壓定位 (Dynamic Voltage Positioning) ，需要滿足一定的負載線要求，需要在不同的節能狀態之間轉換，需要提供不同的參數測量和監控。在VCORE轉換器與CPU之間通常以串列
關鍵字： Richtek 立锜 Intel IMVP8 RT3607 多相電源 PWM IC

什么是混合信號 IC 設計？

在之前的文章中，我們討論了需要具有高輸入阻抗的放大器才能成功地從壓電傳感元件中提取加速度信息。對于一些壓電加速度計，放大器內置在傳感器外殼中。現代 IC 通常由來自各個領域的元素組成。還有各種片上系統 (SoC) 和系統級封裝 (SiP) 技術，包括單個 IC 上的每個 IC 設計域，或包含各種半導體工藝和子 IC 的封裝。本簡介概述了典型混合信號 IC 設計流程中的步驟。在本文中，我們系列文章中短的一篇，我們將給出混合信號 IC 設計流程的視圖——同時具有模擬和數字電路的 IC 設計流程。數據轉換器——
關鍵字：混合信號 IC

德州儀器推出業內先進的獨立式有源 EMI 濾波器 IC，支持高密度電源設計

中國上海（2023 年 3 月 28 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）今日宣布推出業內先進的獨立式有源電磁干擾 (EMI) 濾波器集成電路 (IC)，能夠幫助工程師實施更小、更輕量的 EMI 濾波器，從而以更低的系統成本增強系統功能，同時滿足 EMI 監管標準。隨著電氣系統變得愈發密集，以及互連程度的提高，緩解 EMI 成為工程師的一項關鍵系統設計考慮因素。得益于德州儀器研發實驗室 Kilby Labs 針對新概念和突破性想法的創新開發，新的獨立式有源 EMI 濾波器 I
關鍵字：德州儀器有源 EMI 濾波器 IC 電源設計

平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規則？

近日，外媒《BusinessKorea》報道稱，三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據稱這將改變存儲器行業的游戲規則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發明了動態隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導體行業締造了一個影響巨大且市場規模超千億美元的產業帝國。DRA
關鍵字： 3D DRAM 存儲器

外媒：存儲大廠正在加速3D DRAM商業化

據外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產業的未來增長動力?？紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現有
關鍵字：存儲 3D DRAM

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3d-ic介紹

3D IC產業鏈依制程可概略區分成3大技術主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細 ]