美國商務部正在考慮撤銷此前授予臺積電、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的許可證——這一舉措可能為它們在中國的運營制造新的障礙，據路透社報道。引自華爾街日報，Wccftech 指出，工業與安全 Under Secretary 詹姆斯·克勒森正推動結束允許美國芯片設備制造商向這些公司中國工廠出售關鍵工具的豁免。報道補充說，這可能導致它們獲取美國制造設備的規定更加嚴格。根據 Tom's Hardware，該審查針對的是在美國于 2022 年底限制向中國出口芯片制造工具后授予非中國芯片制造商
關鍵字：
臺積電 晶圓代工 三星 SK海力士
據報道，三星正在加緊為其美國代工廠的生產做準備。據韓國媒體 ZDNet 援引 6 月 23 日的消息人士稱，該公司正在討論于 2026 年開始在泰勒晶圓廠安裝其 2nm 工藝設備的計劃。該報告指出，經過幾次延誤，三星于 2025 年第二季度恢復了泰勒工廠的潔凈室建設。據報道，一旦潔凈室完工，該公司正計劃引入相關設備以開始設置生產線。值得注意的是，由于這將是初始生產線，因此預計投資規模將相對適中。據韓國媒體 The Elec 報道，當三星于 2021 年底首
關鍵字：
三星 泰勒 2 納米
據路透社報道，美國商務部正在考慮撤銷之前授予臺積電、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的許可證，此舉可能會給它們在中國大陸的業務制造新的障礙。
關鍵字：
芯片工具豁免 臺積電 三星 SK海力士
隨著三星加速 1c DRAM 開發，試圖在 HBM4 競爭中奪回失地，當前領導者 SK 海力士正與科技巨頭合作推出定制 HBM 解決方案。據《 韓國經濟日報 》報道，其首款定制 HBM——可能是 HBM4E——預計將在 2026 年下半年推出。報道顯示，SK 海力士已經贏得了包括英偉達、微軟和高通在內的主要客戶，使其成為定制和通用 AI 內存市場的領先者。值得注意的是，SK 海力士最近開始根據客戶需求定制 HBM，報道補充說，英偉達緊張的生產進度影響了其合作伙伴的選擇。定制 HBM 更
關鍵字：
三星 海力士 英偉達 HBM4E
隨著將 HBM4 時代的希望寄托在其 1c DRAM 的進展上，據報道三星在良率方面取得了重大突破。據 sedaily 報道，該公司最近在其第六代 10nm 級 DRAM（1c DRAM）晶圓測試中實現了 50-70%的良率——這一數字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是，與 SK 海力士和美光等堅持使用更成熟的 1b DRAM 生產 HBM4 不同，三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩步提高，該公司計劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產規模，根據
關鍵字：
三星 HBM 存儲
據韓媒etnews于6月18日報道，三星電子近期在高性能計算（HPC）和人工智能（AI）領域取得重要突破。其基于4nm工藝制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能評估，傳輸帶寬達到24Gbps。這一成果標志著三星在芯粒互聯技術上的顯著進展。UCIe（統一芯粒互聯接口）是一種通用的芯粒互聯標準，能夠實現不同來源和工藝的芯粒之間的互聯通信，從而將分散的芯粒生態系統整合為統一平臺。三星早在去年就對其工藝進行了優化，以支持UCIe IP的開發。此次原型芯片的成功運行，表明其技術已具備向商業量產邁進的能力。
關鍵字：
三星 4nm UCIe 傳輸帶寬 24Gbps
就在三星顯示（Samsung Display）近期接連在美國起訴中國京東方和華星光電之際，韓國另一家顯示面板巨頭LG顯示（LG Display，LGD）也在2025年6月13日，向美國德州東區地方法院對中國另一家顯示面板巨頭天馬微電子發起了專利侵權損害賠償和陪審團審理訴訟。與三星顯示和京東方、華星光電爭議的主要是OLED面板不同，此次LGD對天馬微電子提出的訴求主要還是LCD面板，尤其是應用在目前汽車行業，此外也包括對OLED的投訴。LGD在起訴書中指控天馬微電子侵犯7項美國專利：US8,416,166（
關鍵字：
顯示面板 三星 京東方 LG顯示 天馬
在持續進行的半導體行業競爭中，臺積電和三星電子正激烈爭奪2納米芯片制造的領先地位。據最新報道，兩家公司計劃于2025年下半年開始2納米芯片的大規模生產。然而，由于良率優勢，臺積電在獲取訂單方面處于領先地位。臺積電已開始接收其 2 納米工藝的訂單，預計將在其新竹寶山和高雄晶圓廠進行生產。這標志著該公司首次采用環繞柵極（GAA）架構。新工藝預計將比當前的 3 納米工藝提升 10%至 15%的性能，降低 25%至 30%的功耗，并增加 15%的晶體管密度。主要客戶據報包括 AMD、蘋果、英偉達、高通和聯發科。值
關鍵字：
制程 2nm 三星 臺積電
Cadence 和三星晶圓廠擴大了他們的合作，簽訂了一項新的多年 IP 協議，并在最新的 SF2P 和其他先進工藝節點上聯合開發先進的 AI 驅動流程。具體來說，這項多年的 IP 協議將擴展 Cadence 內存和接口 IP 在三星晶圓廠的 SF4X、SF5A 和 SF2P 先進工藝節點上。通過利用 Cadence 的 AI 驅動設計技術和三星的先進 SF4X、SF4U 和 SF2P 工藝節點，這項合作旨在為 AI 數據中心、汽車、ADAS 和下一代射頻連接應用提供高性能、低功耗的解決方案。“我們支持在三
關鍵字：
三星 CAD 人工智能 芯片設計
據臺媒《經濟日報》報道，由于DDR4供應減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現貨價等規格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點，更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲，甚至比更高規格的DDR5報價更高，呈現“價格倒掛”，業界直言：“至少十年沒看過現貨價單日漲幅這么大。”根據DRAM專業報價網站DRAMeXchange最新報價顯示，6月13日晚間DDR4現貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
關鍵字：
DDR4 DRAM 三星 美光 南亞科技 華邦電子 HBM
一塊厚度不足毫米的玻璃板，正引發英特爾、三星和臺積電之間一場靜悄悄的競賽。
關鍵字：
三星 玻璃基板
作為 Micron——在贏得 NVIDIA HBM 訂單的競爭中關鍵對手——宣布已交付其首批 12 層 HBM4 樣品，據報道三星在 6 月份第三次嘗試通過 NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗證時遇到了挫折。根據 Business Post引用的證券分析師，該公司現在計劃在 9 月份進行重測。盡管 Deal Site 之前表示三星的 12 層 HBM3E 在 5 月份通過了 NVIDIA 的裸片認證，但該產品仍需進行完整封裝驗證。另一方面，SR Times 建
關鍵字：
三星 HBM 英偉達
機器人正迅速成為全球科技公司的關鍵增長領域。根據彭博社報道，三星和英偉達據計劃收購 Skild AI 的少數股權，作為他們加強在消費機器人領域存在感的努力的一部分。據報道，三星將投資 1000 萬美元給 Skild，而 NVIDIA 據報道將投資 2500 萬美元，彭博社稱。這筆融資是 Skild B 輪融資的一部分，該輪融資使公司估值約為 45 億美元，據報道，日本軟銀集團承諾提供 1 億美元的支持。同時，該報告還提到，其他韓國大型企業——包括 LG、韓華和未來資產——每個都在 Skild 投資了 50
關鍵字：
三星 機器人 英偉達
隨著美光（爭奪 NVIDIA HBM 訂單的主要競爭對手）宣布已交付其第一批 12 層 HBM4 樣品，據報道，三星在 6 月份第三次嘗試通過 NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗證時跌跌撞撞。據《商業郵報》援引證券分析師的話稱，該公司現在的目標是在 9 月進行重新測試。盡管 Deal Site 此前表示，三星的 12 層 HBM3E 已在 5 月通過了 NVIDIA 的裸片認證，但該產品仍需要進行全封裝驗證。另一方面，SR Times 表示，三星自去年下半年以來一直在提
關鍵字：
三星 NVIDIA 12-Hi HBM3E 失誤
臺積電在全球芯片市場保持主導地位，但三星老二地位岌岌可危，不只追不上臺積電，還面臨來自陸廠中芯國際（SMIC）日益成長的巨大壓力，三星與中芯的市場占有率差距正迅速縮小。 主因中芯受惠本土半導體需求，在7奈米和深紫外線（DUV）曝光機設備也取得進展。根據外媒wccftech報導，臺積電一直是芯片領域的領導者，成功關鍵在于快速導入先進制程技術，是英偉達、蘋果與超威等大客戶的首選伙伴，競爭對手相比之下，創新腳步相當遲緩，未能快速開發新制程，現有制程節點也面臨挑戰，舉例如三星在芯片產業發展不佳。報導指出，根據Tr
關鍵字：
中芯國際 三星
三星介紹
韓國三星電子成立于1969年，正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有logo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經成為對中國投資最大的韓資企業之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業的水平。2003年，三星品牌價值108.5億美元，世界排名25位，被商務周刊評選為世界上發展最快的高科技品牌。
[
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473