據報道三星 1c DRAM 良率高達 70%，為年底推出 HBM4 鋪平道路

隨著將 HBM4 時代的希望寄托在其 1c DRAM 的進展上，據報道三星在良率方面取得了重大突破。據 sedaily 報道，該公司最近在其第六代 10nm 級 DRAM（1c DRAM）晶圓測試中實現了 50-70%的良率——這一數字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。

值得注意的是，與 SK 海力士和美光等堅持使用更成熟的 1b DRAM 生產 HBM4 不同，三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩步提高，該公司計劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產規模，根據 zdnet 的報道，相關投資將于年底開始。

鑒于 DRAM 是 HBM 的核心組件，這一進展也預示著三星的 HBM4 量產計劃將順利進行，據 Sedaily 報道，該計劃預計今年晚些時候開始。

響應此消息，TrendForce 指出產品周期尚未開始，驗證仍處于非常初級的階段，并補充說情況值得持續關注。

重新設計能否扭轉局勢？

據 Sedaily 報道，盡管該公司最初計劃于 2024 年底開始量產其第六代 10nm DRAM，但它通過重新設計芯片采取了大膽的步驟——接受超過一年的延遲以追求更好的性能。

該報告表明，新的 DRAM 將在三星的平澤 4 號線上生產，并供應給移動（LPDDR）和服務器應用。與此同時，據報道，與 HBM4 相關的第六代 10nm DRAM 生產設施位于平澤 3 號線上。

值得注意的是，憑借其雄厚的現金儲備和廣泛的制造經驗，三星可能會重拾舊策略——利用規模經濟削減成本，并在 HBM4 時代憑借 sheer volume 超越競爭對手，據 Sedaily 援引行業消息人士稱。

SK hynix：1c DRAM 的不同策略

然而，與三星不同，SK hynix 據報道對 1c DRAM 的投資持更為謹慎的態度，據韓國媒體 outlet the bell報道。

SK hynix 計劃在開始 HBM4E 的大規模生產后，才會擴大 1c DRAM 的生產，HBM4E 將使用 1c 作為其核心芯片。報告補充說，即將到來的 HBM4，預計在今年下半年開始大規模生產，將繼續依賴更成熟的 1b DRAM 工藝。

同時，Sedaily 指出，SK hynix 于 2024 年 8 月完成了其 1c DRAM 的開發。據報道，測試良率表現出色，平均超過 80%，最高達到 90%。

在強勁的需求下，TrendForce 預測 2026 年 HBM 總出貨量將超過 30 萬億比特。隨著供應商擴大生產，HBM4 的市場份額預計將穩步增長，最終在 2026 年下半年取代 HBM3e 成為主流解決方案。