海力士 文章 進入海力士技術社區(qū)
SK海力士推出首款自研CXL控制器：臺積電負責制造
- 2月19日消息，據(jù)報道，SK海力士已經(jīng)準備好首款自研CXL（Compute Express Link）控制器，支持CXL 3.0/3.1標準，由臺積電（TSMC）負責制造，選擇更為先進的工藝。同時，SK海力士還在積極推進2.5D和扇出晶圓級封裝（FOWLP）技術的開發(fā)，并計劃將相關芯片技術商業(yè)化。據(jù)消息透露，SK海力士計劃從2025年第一季度末開始批量生產(chǎn)基于CXL標準的DDR5內存模塊，進一步鞏固其在高端內存市場的領先地位。CXL作為一種開放性的互聯(lián)協(xié)議，能夠實現(xiàn)CPU與GPU、FPGA或其他加速器之間
- 關鍵字： 海力士 CXL 臺積電
消息稱三星和 SK 海力士達成合作，聯(lián)手推動 LPDDR6-PIM 內存
- 12 月 3 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 昨日報道，三星電子和 SK 海力士正在合作標準化 LPDDR6-PIM 內存產(chǎn)品。該合作伙伴關系旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲器標準化。報道提到，兩家公司已經(jīng)確定，有必要建立聯(lián)盟，以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱，三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進行向聯(lián)合電子設備工程委員會（JEDEC）注冊標準化的初步工作。目前正在討論每一個需要標準化項目的適當規(guī)格。▲ 圖源三星PIM 內存技術是一種將存儲和計
- 關鍵字： 三星電子 SK 海力士 內存
消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務規(guī)模，全力聚焦 HBM 等高利潤產(chǎn)品
- 10 月 17 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當?shù)貢r間昨日報道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業(yè)務規(guī)模，全力聚焦高利潤產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內存、PIM、AI SSD 等新興增長點。SK 海力士今年減少了對 CIS 業(yè)務的研發(fā)投資，同時月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場份額，SK 海力士僅以 4% 排在第六位，遠遠落后于競爭對手。同時，SK 海力
- 關鍵字： SK 海力士 CIS HBM 內存
AI 驅動企業(yè)級 SSD 價格及需求暴漲，SK 海力士擴產(chǎn)應對
- IT之家 8 月 20 日消息，受人工智能（AI）服務器需求激增影響，企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）的價格飆升了 80% 以上。為滿足市場需求，SK 海力士及其子公司 Solidigm 正加速擴產(chǎn) NAND 閃存。AI 熱潮持續(xù)升溫，不僅帶動了高帶寬內存（HBM）芯片需求，如今也正在推動企業(yè)級 SSD 市場快速增長。AI 服務器存儲的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級增長，企業(yè)紛紛搶購大容量 SSD，甚至不惜高價確保供應。面對企業(yè)級 SSD 的旺盛需求，SK 海力士和 Solidigm 正優(yōu)先擴大采用四層單元（QLC）技
- 關鍵字： AI 存儲 海力士
三星工藝輸臺積電 還被海力士超越！芯片主管揭關鍵硬傷
- 三星芯片良率不佳，先前爆出三星在試產(chǎn)Exynos 2500處理器時，最后統(tǒng)計出的良率竟為0%。新任芯片主管全永鉉（Jun Young-hyun） 在執(zhí)掌芯片事業(yè)的幾個月后，向員工示警需停止隱瞞或回避問題，如果不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。全永鉉發(fā)備忘錄，警告員工必須改變職場文化，強調應停止隱瞞或回避問題，若不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。他直言，三星必須重建半導體特有的激烈辯論的文化，「如果我們依賴市場，沒恢復根本的競爭力，將陷入惡性循環(huán)，重蹈去年營運的困境。」三星競爭對手SK海力士（SK Hynix）在AI內存領域追趕，
- 關鍵字： 三星 臺積電 海力士
SK 海力士加大環(huán)保投入，在芯片生產(chǎn)工藝中使用氟氣替代三氟化氮
- 7 月 25 日消息，SK 海力士宣布將在芯片生產(chǎn)清洗工藝中使用更環(huán)保的氣體 —— 氟氣（F2）。SK 海力士 2024 可持續(xù)發(fā)展報告顯示，該公司原先將三氟化氮（NF3）用于芯片生產(chǎn)過程中的清洗工藝，用于去除沉積過程中腔室內部形成的殘留物，其全球變暖潛能值（GWP）顯著高于氟氣（NF3的 GWP 為 17200，而 F2為 0）。除此之外，SK 海力士還進一步增加了氫氟酸（HF）的使用量（可用于低溫蝕刻設備），該氣體的 GWP 為 1 甚至更低，遠低于過去用于 NAND 通道孔蝕刻的氟碳氣體。
- 關鍵字： SK 海力士 芯片 生產(chǎn)工藝 氟氣 三氟化氮
消息稱三星電子、SK 海力士分別考慮申請 5/3 萬億韓元低息貸款，擴張運營
- IT之家 7 月 1 日消息，據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》報道，三星電子、SK 海力士分別考慮向韓國產(chǎn)業(yè)銀行申請 5 萬億和 3 萬億韓元（IT之家備注：當前分別約 263.8 / 158.28 億元人民幣）低息貸款，用于業(yè)務擴張。韓國產(chǎn)業(yè)銀行由韓國政府全資控股，是韓國唯一的政策性金融機構，主要為韓國國家經(jīng)濟發(fā)展提供長期資金。韓國企劃和財政部此前公布了“半導體生態(tài)系統(tǒng)綜合支持計劃”。作為該計劃的一部分，韓國產(chǎn)業(yè)銀行將向半導體企業(yè)發(fā)放 17 萬億韓元低息貸款，其中大企業(yè)可獲得 0.8~1% 利率折讓，而中小
- 關鍵字： 三星電子 SK 海力士
通用 DRAM 內存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關產(chǎn)線開工率維持 80~90%
- IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內人士的話稱，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實現(xiàn)生產(chǎn)正常化的 NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務器、智能手機和 PC 產(chǎn)業(yè)復蘇緩慢導致的
- 關鍵字： DRAM 閃存 三星 海力士
SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內存
- IT之家 5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內存坐擁更高單價，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內存的兩倍乃至三倍。內存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預計，不僅 HBM 內存，通用 DRAM（如標準 DDR5）的價格年內也不會
- 關鍵字： 海力士 三星 DRAM
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