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如果美國撤銷芯片工具豁免：解析臺積電、三星和 SK 海力的中國業(yè)務(wù)

美國商務(wù)部正在考慮撤銷此前授予臺積電、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的許可證——這一舉措可能為它們在中國的運(yùn)營制造新的障礙，據(jù)路透社報(bào)道。引自華爾街日報(bào)，Wccftech 指出，工業(yè)與安全 Under Secretary 詹姆斯·克勒森正推動結(jié)束允許美國芯片設(shè)備制造商向這些公司中國工廠出售關(guān)鍵工具的豁免。報(bào)道補(bǔ)充說，這可能導(dǎo)致它們獲取美國制造設(shè)備的規(guī)定更加嚴(yán)格。根據(jù) Tom's Hardware，該審查針對的是在美國于 2022 年底限制向中國出口芯片制造工具后授予非中國芯片制造商
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三星將于二季度恢復(fù)泰勒的潔凈室工作;2 納米刀具計(jì)劃 2026 年進(jìn)場

據(jù)報(bào)道，三星正在加緊為其美國代工廠的生產(chǎn)做準(zhǔn)備。據(jù)韓國媒體 ZDNet 援引 6 月 23 日的消息人士稱，該公司正在討論于 2026 年開始在泰勒晶圓廠安裝其 2nm 工藝設(shè)備的計(jì)劃。該報(bào)告指出，經(jīng)過幾次延誤，三星于 2025 年第二季度恢復(fù)了泰勒工廠的潔凈室建設(shè)。據(jù)報(bào)道，一旦潔凈室完工，該公司正計(jì)劃引入相關(guān)設(shè)備以開始設(shè)置生產(chǎn)線。值得注意的是，由于這將是初始生產(chǎn)線，因此預(yù)計(jì)投資規(guī)模將相對適中。據(jù)韓國媒體 The Elec 報(bào)道，當(dāng)三星于 2021 年底首
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如果美國撤銷芯片工具豁免：解析臺積電、三星和 SK 海力士的中國業(yè)務(wù)

據(jù)路透社報(bào)道，美國商務(wù)部正在考慮撤銷之前授予臺積電、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的許可證，此舉可能會給它們在中國大陸的業(yè)務(wù)制造新的障礙。
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SK 海力士據(jù)報(bào)與英偉達(dá)、微軟合作推動定制 HBM4E，三星則與 HBM4 保持差距

隨著三星加速 1c DRAM 開發(fā)，試圖在 HBM4 競爭中奪回失地，當(dāng)前領(lǐng)導(dǎo)者 SK 海力士正與科技巨頭合作推出定制 HBM 解決方案。據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào) 》報(bào)道，其首款定制 HBM——可能是 HBM4E——預(yù)計(jì)將在 2026 年下半年推出。報(bào)道顯示，SK 海力士已經(jīng)贏得了包括英偉達(dá)、微軟和高通在內(nèi)的主要客戶，使其成為定制和通用 AI 內(nèi)存市場的領(lǐng)先者。值得注意的是，SK 海力士最近開始根據(jù)客戶需求定制 HBM，報(bào)道補(bǔ)充說，英偉達(dá)緊張的生產(chǎn)進(jìn)度影響了其合作伙伴的選擇。定制 HBM 更
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據(jù)報(bào)道三星 1c DRAM 良率高達(dá) 70%，為年底推出 HBM4 鋪平道路

隨著將 HBM4 時(shí)代的希望寄托在其 1c DRAM 的進(jìn)展上，據(jù)報(bào)道三星在良率方面取得了重大突破。據(jù) sedaily 報(bào)道，該公司最近在其第六代 10nm 級 DRAM（1c DRAM）晶圓測試中實(shí)現(xiàn)了 50-70%的良率——這一數(shù)字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是，與 SK 海力士和美光等堅(jiān)持使用更成熟的 1b DRAM 生產(chǎn) HBM4 不同，三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩(wěn)步提高，該公司計(jì)劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產(chǎn)規(guī)模，根據(jù)
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三星4nm工藝UCIe芯片完成性能評估，傳輸帶寬達(dá)24Gbpsv

據(jù)韓媒etnews于6月18日報(bào)道，三星電子近期在高性能計(jì)算（HPC）和人工智能（AI）領(lǐng)域取得重要突破。其基于4nm工藝制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能評估，傳輸帶寬達(dá)到24Gbps。這一成果標(biāo)志著三星在芯粒互聯(lián)技術(shù)上的顯著進(jìn)展。UCIe（統(tǒng)一芯粒互聯(lián)接口）是一種通用的芯粒互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)，能夠?qū)崿F(xiàn)不同來源和工藝的芯粒之間的互聯(lián)通信，從而將分散的芯粒生態(tài)系統(tǒng)整合為統(tǒng)一平臺。三星早在去年就對其工藝進(jìn)行了優(yōu)化，以支持UCIe IP的開發(fā)。此次原型芯片的成功運(yùn)行，表明其技術(shù)已具備向商業(yè)量產(chǎn)邁進(jìn)的能力。
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中韓顯示面板廠商再起訴訟

就在三星顯示（Samsung Display）近期接連在美國起訴中國京東方和華星光電之際，韓國另一家顯示面板巨頭LG顯示（LG Display，LGD）也在2025年6月13日，向美國德州東區(qū)地方法院對中國另一家顯示面板巨頭天馬微電子發(fā)起了專利侵權(quán)損害賠償和陪審團(tuán)審理訴訟。與三星顯示和京東方、華星光電爭議的主要是OLED面板不同，此次LGD對天馬微電子提出的訴求主要還是LCD面板，尤其是應(yīng)用在目前汽車行業(yè)，此外也包括對OLED的投訴。LGD在起訴書中指控天馬微電子侵犯7項(xiàng)美國專利：US8,416,166（
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2納米芯片制造激烈競爭：良率差距顯著

在持續(xù)進(jìn)行的半導(dǎo)體行業(yè)競爭中，臺積電和三星電子正激烈爭奪2納米芯片制造的領(lǐng)先地位。據(jù)最新報(bào)道，兩家公司計(jì)劃于2025年下半年開始2納米芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。然而，由于良率優(yōu)勢，臺積電在獲取訂單方面處于領(lǐng)先地位。臺積電已開始接收其 2 納米工藝的訂單，預(yù)計(jì)將在其新竹寶山和高雄晶圓廠進(jìn)行生產(chǎn)。這標(biāo)志著該公司首次采用環(huán)繞柵極（GAA）架構(gòu)。新工藝預(yù)計(jì)將比當(dāng)前的 3 納米工藝提升 10%至 15%的性能，降低 25%至 30%的功耗，并增加 15%的晶體管密度。主要客戶據(jù)報(bào)包括 AMD、蘋果、英偉達(dá)、高通和聯(lián)發(fā)科。值
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Cadence 和三星將人工智能應(yīng)用于 SoC、3D-IC 和芯片設(shè)計(jì)

Cadence 和三星晶圓廠擴(kuò)大了他們的合作，簽訂了一項(xiàng)新的多年 IP 協(xié)議，并在最新的 SF2P 和其他先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上聯(lián)合開發(fā)先進(jìn)的 AI 驅(qū)動流程。具體來說，這項(xiàng)多年的 IP 協(xié)議將擴(kuò)展 Cadence 內(nèi)存和接口 IP 在三星晶圓廠的 SF4X、SF5A 和 SF2P 先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上。通過利用 Cadence 的 AI 驅(qū)動設(shè)計(jì)技術(shù)和三星的先進(jìn) SF4X、SF4U 和 SF2P 工藝節(jié)點(diǎn)，這項(xiàng)合作旨在為 AI 數(shù)據(jù)中心、汽車、ADAS 和下一代射頻連接應(yīng)用提供高性能、低功耗的解決方案。“我們支持在三
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DDR4瘋狂漲價(jià)，DRAM廠商爆賺

據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，由于DDR4供應(yīng)減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價(jià)等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報(bào)價(jià)已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點(diǎn)，更達(dá)到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報(bào)價(jià)大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報(bào)價(jià)更高，呈現(xiàn)“價(jià)格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒看過現(xiàn)貨價(jià)單日漲幅這么大。”根據(jù)DRAM專業(yè)報(bào)價(jià)網(wǎng)站DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價(jià)全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
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玻璃基板，陷入白熱化

一塊厚度不足毫米的玻璃板，正引發(fā)英特爾、三星和臺積電之間一場靜悄悄的競賽。
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據(jù)報(bào)道，三星再次在 NVIDIA 的 12-Hi HBM3E 驗(yàn)證中受挫，計(jì)劃于九月重新測試

作為 Micron——在贏得 NVIDIA HBM 訂單的競爭中關(guān)鍵對手——宣布已交付其首批 12 層 HBM4 樣品，據(jù)報(bào)道三星在 6 月份第三次嘗試通過 NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗(yàn)證時(shí)遇到了挫折。根據(jù) Business Post引用的證券分析師，該公司現(xiàn)在計(jì)劃在 9 月份進(jìn)行重測。盡管 Deal Site 之前表示三星的 12 層 HBM3E 在 5 月份通過了 NVIDIA 的裸片認(rèn)證，但該產(chǎn)品仍需進(jìn)行完整封裝驗(yàn)證。另一方面，SR Times 建
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據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)和三星支持初創(chuàng)公司 Skild AI 在消費(fèi)機(jī)器人領(lǐng)域的推進(jìn)

機(jī)器人正迅速成為全球科技公司的關(guān)鍵增長領(lǐng)域。根據(jù)彭博社報(bào)道，三星和英偉達(dá)據(jù)計(jì)劃收購 Skild AI 的少數(shù)股權(quán)，作為他們加強(qiáng)在消費(fèi)機(jī)器人領(lǐng)域存在感的努力的一部分。據(jù)報(bào)道，三星將投資 1000 萬美元給 Skild，而 NVIDIA 據(jù)報(bào)道將投資 2500 萬美元，彭博社稱。這筆融資是 Skild B 輪融資的一部分，該輪融資使公司估值約為 45 億美元，據(jù)報(bào)道，日本軟銀集團(tuán)承諾提供 1 億美元的支持。同時(shí)，該報(bào)告還提到，其他韓國大型企業(yè)——包括 LG、韓華和未來資產(chǎn)——每個(gè)都在 Skild 投資了 50
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三星在 NVIDIA的12-Hi HBM3E驗(yàn)證中再次失誤，重新測試定于9月進(jìn)行

隨著美光（爭奪 NVIDIA HBM 訂單的主要競爭對手）宣布已交付其第一批 12 層 HBM4 樣品，據(jù)報(bào)道，三星在 6 月份第三次嘗試通過 NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗(yàn)證時(shí)跌跌撞撞。據(jù)《商業(yè)郵報(bào)》援引證券分析師的話稱，該公司現(xiàn)在的目標(biāo)是在 9 月進(jìn)行重新測試。盡管 Deal Site 此前表示，三星的 12 層 HBM3E 已在 5 月通過了 NVIDIA 的裸片認(rèn)證，但該產(chǎn)品仍需要進(jìn)行全封裝驗(yàn)證。另一方面，SR Times 表示，三星自去年下半年以來一直在提
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中芯市占率迅速拉近與三星距離外媒評有望反超

臺積電在全球芯片市場保持主導(dǎo)地位，但三星老二地位岌岌可危，不只追不上臺積電，還面臨來自陸廠中芯國際（SMIC）日益成長的巨大壓力，三星與中芯的市場占有率差距正迅速縮小。主因中芯受惠本土半導(dǎo)體需求，在7奈米和深紫外線（DUV）曝光機(jī)設(shè)備也取得進(jìn)展。根據(jù)外媒wccftech報(bào)導(dǎo)，臺積電一直是芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，成功關(guān)鍵在于快速導(dǎo)入先進(jìn)制程技術(shù)，是英偉達(dá)、蘋果與超威等大客戶的首選伙伴，競爭對手相比之下，創(chuàng)新腳步相當(dāng)遲緩，未能快速開發(fā)新制程，現(xiàn)有制程節(jié)點(diǎn)也面臨挑戰(zhàn)，舉例如三星在芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展不佳。報(bào)導(dǎo)指出，根據(jù)Tr
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