臺積電在相隔三年后，將對一些成熟制程芯片提供約2%的折讓幅度，以與其他已降價的晶圓代工廠競爭，折扣將根據第一季客戶的訂單在4月至12月期間適用。另有IC設計廠商透露，臺積電提供的讓價方式是在一整季的投片完成后用下一季度的開光罩費用來進行抵免。針對價格折讓相關議題，臺積電不予評論。臺積電在2021年與2022年持續傳出取消折讓，2023年初則啟動睽違多年的罕?漲價，外傳幅度約3％?6％不等。不過，由于半導體供應鏈從2022年下半開始陸續進?庫存調整，今年上半年也傳出臺積電變通提出“加量回饋”?案，只要客戶下
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IT之家?11 月 13 日消息，據臺灣經濟日報，晶圓代工成熟制程廠商正面臨產能利用率六成保衛戰。據稱，聯電、世界先進及力積電等廠商為了搶救產能利用率，已經大幅降低明年第一季度的代工報價，降幅達二位數，專案客戶降幅更高達 15% 至 20%，試圖“以價換量”，甚至已經有廠商殺紅眼。業界人士透露，目前除了臺積電報價仍堅挺外，其他廠商幾乎無一幸免。圖源 Pexels據介紹，消費性客戶投片需求低，而專攻 8 英寸晶圓代工成熟制程的廠商受影響最大，例如電源管理 IC、驅動 IC 及微控制器（MCU）等芯
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據外媒報道，按iPhone所搭載的A系列芯片制程工藝不斷升級的慣例，在iPhone 15 Pro系列搭載由臺積電采用第一代3nm制程工藝代工的A17 Pro芯片之后，蘋果明年秋季將推出的iPhone 16系列，就將部分或全部搭載由第二代3nm制程工藝代工的A18芯片。也就意味著臺積電的這一制程工藝，在明年蘋果推出iPhone 16系列之前，就將具備大批量代工的能力，能為iPhone 16的備貨提供芯片上的支持。蘋果在iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max兩款機型上，裝備了采用N3B
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作為當前全球最先進的制程工藝，臺積電和三星的3nm制程工藝均已在去年量產，其中三星電子是在6月30日開始量產，臺積電則是在12月29日開始商業化生產。從外媒最新的報道來看，這兩大廠商3nm制程工藝的良品率，目前均還在60%以下，在將良品率提升到60%以上都遇到了挑戰。此前預計三星的良品率在今年將超過60%，臺積電的良品率在8月份時就已在70%-80%，高于三星電子。雖然三星電子3nm制程工藝為一家客戶代工的芯片，良品率達到了60%，但由于并不包括邏輯芯片的SRAM，不被認為是完整的3nm制程工藝產品。3n
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9 月 10 日消息，英特爾此前曾宣布與 Arm 建立合作關系，在 Intel 18A 制程上優化 Arm IP，進一步降低采用 Arm IP 的客戶采用 Intel 18A 的成本與風險。郭明錤最新的調查顯示，Arm 和 Intel 之間的合作不僅限于先進的制程優化。Arm 很可能成為 Intel 18A 客戶，這意味著 Intel 將使用 18A 生產 ARM 自家芯片。當然，由于沒有基帶 IP，而且考慮到現有智能手機客戶（如蘋果、高通等），Arm 芯片大概率不會涉及手機方面。郭明錤認為，如果 Arm
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最新調查顯示，高通已經停止開發基于Intel 20A工藝的芯片。郭明錤發布最新研究報告認為，高通關于Intel 20A芯片的決定可能會對英特爾的RibbonFET和PowerVia技術產生負面影響。這意味著Intel 20A可能無法在明年的預期時間內上市，進一步使得Intel 18A研發與量產面臨更高不確定性與風險。英特爾處于不利地位先進制程進入7nm后，一線IC設計業者的高端訂單對晶圓代工來說更為重要。一線IC設計廠商的設計能力、訂單規格（尤其是最高端）、訂單規模相比一般訂單可以顯著改善代工的技術實力，
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臺積電的 3nm 晶圓廠制程良率在 70%-80% 之間，但蘋果不會替這些缺陷產品買單。
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IT之家 8 月 9 日消息，據臺灣地區《經濟日報》報道，臺積電昨日宣布，因應先進制程強勁市場需求，高雄廠確定以 2 納米的先進制程技術生產規劃。臺積電在 4 月法說會上證實高雄廠將 28 納米產線調整為更先進制程技術，但當時未提到改為何種制程。臺積電目前 2 納米生產基地已規劃竹科、中科，后續若高雄納入，該公司將擁有三個 2 納米生產基地。另外，據臺灣地區“中央社”消息，臺積電規劃 2 納米制程將于 2025 年量產，采用納米片晶體管結構。同時，臺積電在 2 納米發展出背面電軌解決方案，適用于
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消費電子市場持續疲軟、人工智能火熱的大環境下，晶圓制造廠商積極瞄準高性能芯片，2nm先進制程之爭愈演愈烈。2nm芯片能帶來什么？對傳統晶圓代工龍頭而言，2nm能帶來更高性能，滿足AI時代下業界對高性能半導體的需求。而對新興企業而言，2nm則可以提升半導體產品價值，并助力其積極追趕龍頭企業。目前傳統龍頭企業臺積電、三星電子以及新興企業Rapidus正積極布局2nm芯片，2nm制程之爭將全面打響，這三家企業進展如何？臺積電：3nm、2nm路線規劃曝光臺積電認為，在相同功率下，2nm（N2）速度相比N3E提高1
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近日，比利時微電子研究中心(IMEC)發表1納米以下制程藍圖，分享對應晶體管架構研究和開發計劃。外媒報導，IMEC制程藍圖顯示，FinFET晶體管將于3納米到達盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術，預計2024年進入量產，之后還有FSFET和CFET等技術。△Source：IMEC隨著時間發展，轉移到更小的制程節點會越來越貴，原有的單芯片設計方案讓位給小芯片(Chiplet)設計。IMEC的制程發展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
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據媒體引述半導體設備業者表示，2023全年，臺積電3nm產能仍以N3（N3B）為主，整體良率接近75%。根據報道，由于臺積電3nm在PPA表現下與4nm差異不大，且3nm報價漲至2萬美元，只有蘋果有8折優惠，目前有多家客戶已修正制程規劃，調整投片與訂單，包括拉長4/5nm世代周期，放緩N3E、N3P采用進度，等待2nmGAA制程世代再重押。報道稱，雖然臺積電產能布局可能被打亂，但客戶黏著度更高，對于2nm GAA世代相當有信心，已采用4/3nm的客戶，幾乎皆有2nm投片規劃。從3nm工藝上看，臺積電曾表示
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三星似乎已經解決了4nm工藝的一系列障礙。據Digitimes報道，三星在第三代4nm工藝的進步可能超出外界預期，從之前的60%提高到70%以上。
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此次合作將首先聚焦于移動SoC的設計，未來有望擴展到汽車、物聯網、數據中心、航空和政府應用領域。此次合作也代表半導體行業兩個巨頭之間產生新的重要合作關系，有可能對全球芯片制造市場產生重大影響。
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