電子集成技術分為三個層次，芯片上的集成，封裝內的集成，PCB板級集成，其代表技術分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱為SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D為主，晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面；同樣，PCB上的集成也是以2D為主，電子元器件平鋪安裝在PCB表面，因此，二者都屬于2D集成。而針對于封裝內的集成，情況就要復雜得多。電子集成技術分類的兩個重要依據：1.物理結構，2.電氣連接(電氣互連)。目前先進封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類型。2D封裝012D封裝是指在基板的表
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電子集成 工藝 制程
5月6日消息，據報道，臺積電的2nm制程技術正在引發前所未有的市場需求，有望成為該公司下一個"淘金熱"。報道稱，臺積電的2nm節點需求遠超以往任何制程，甚至在大規模量產之前就已經展現出強勁的吸引力，有望超越目前極為成功的3nm節點。臺積電的2nm制程技術在成熟度上取得了快速進展，其缺陷密度率已與3nm和5nm相當，并采用了新的環繞柵極晶體管（GAAFET）架構。此外，與3nm增強版（N3E）相比，2nm制程的速度提升了10%至15%。在市場需求方面，蘋果被認為是2nm制程的最大客戶，可
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臺積電 2nm 制程 蘋果 NVIDIA AMD
據日本共同通信社和日經新聞報道，日本政府計劃在2025年下半年對半導體企業Rapidus出資1,000億日元，并成為其股東。這一計劃的法律基礎已經確立，日本參議院于4月25日通過了《信息處理促進法》等修正案，正式為相關支持鋪平道路。日本經濟產業省（經產省）主管的信息處理推進機構（IPA）將新增金融業務，向民間金融機構為下一代半導體企業提供債務擔保。這一機制將使日本政府能夠通過IPA對Rapidus進行出資，出資對象將通過公開招募選定，預計為Rapidus。經產省已在2025年度預算中預留了1,000億日元
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制程 Rapidus 晶圓代工
作為全球晶圓代工產業的龍頭，2024年臺積電全年合并營收達900億美元，同比增長30%；稅后凈利達365億美元，同比大幅增長35.9%。毛利率達到56.1%，營業利益率達45.7%，皆創歷史新高。2025年首季，臺積電的營運表現遠超市場預期。據晶圓代工業內人士透露，臺積電首季毛利率達58.8%，且預計第二季毛利率有望介于57%-59%的高位區間；美元營收有望實現環比增長13%、同比增長近40%。與之形成鮮明對比的是，二線代工廠首季營運并未出現明顯回暖跡象。具體來看，聯電2025年首季合并營收為新臺幣578
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臺積電 市場分析 EDA 制程
4月15日，AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC處理器「Venice」正式完成投片（tape out），成為業界首款采用臺積電2nm（N2）制程技術的高效能運算（HPC）處理器，預計將于明年上市。這也是AMD首次拿下臺積電最新制程工藝的首發，而以往則都是由蘋果公司的芯片首發。N2是臺積電首個依賴于全環繞柵極晶體管（Gate All Around，GAA）的工藝技術，預計與N3（3nm）相比，可將功耗降低24%至35%，或者在相同運行電壓下的性能提高15%，同時晶體管密度是N3的1.15倍，這些提升主要得
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AMD N2 制程 臺積電
英特爾的代工服務高級副總裁 Kevin O'Buckley 在 2025 年愿景大會上宣布了公司 18A 工藝節點的進展。?在 2025 年愿景會議上，英特爾今天宣布已進入其 18A 工藝節點的風險生產，這是一個關鍵的生產里程碑，標志著該節點現在處于小批量測試制造運行的早期階段。英特爾的代工服務高級副總裁 Kevin O'Buckley 宣布了這一消息，因為英特爾即將完全完成其“四年五個節點”（5N4Y） 計劃，該計劃最初由前首席執行官帕特·基辛格 （Pat Gelsinger）
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英特爾 18A 制程
3月24日消息，中國科學院（CAS）研究人員成功研發突破性的固態深紫外（DUV）激光，能發射 193 納米的相干光（Coherent Light），與當前被廣泛采用的DUV曝光技術的光源波長一致。相關論壇已經于本月初被披露在了國際光電工程學會（SPIE）的官網上。目前，全球主要的DUV光刻機制造商如ASML、Canon和Nikon，均采用氟化氬（ArF）準分子激光技術。這種技術通過氬（Ar）和氟（F）氣體混合物在高壓電場下生成不穩定分子，釋放出193納米波長的光子。這些光子以短脈沖、高能量形式發射，輸出功
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制程 DUV光刻機
在半導體制程技術的競賽中，2納米制程成為各大廠商爭奪的下一個重要里程碑。 臺積電（TSMC）正在積極研發2納米制程，于2024年開始試產，并計劃于2025年實現量產。 臺積電將在2納米節點引入GAA（環繞柵極）納米片晶體管技術，這是從傳統的FinFET轉向新一代晶體管架構的重大轉變。 臺積電也計劃興建2納米晶圓廠，以滿足未來的生產需求。臺積電在制程技術上一直保持領先，擁有穩定的制造流程和廣泛的客戶基礎。 與蘋果、AMD、高通等大客戶的緊密合作，使其在市場上具有強大的影響力。 且需面對來自三星和英特爾在GA
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2納米 制程 臺積電
近日，英特爾宣布，其18A制程節點（1.8納米）已經準備就緒，并計劃在今年上半年開始設計定案。該制程將導入多項先進半導體技術。18A制程相較于英特爾3nm制程，可將芯片密度提升30%，并提高每瓦性能約15%。英特爾計劃將18A制程應用于即將推出的Panther
Lake筆電處理器與Clearwater Forest服務器CPU，這兩款產品預計將于年底前上市。18A制程的一大突破是PowerVia背面供電技術。該技術透過將粗間距金屬層與凸塊移至芯片背面，并采用納米級硅穿孔（through-silicon
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英特爾 18A 制程
2月13日消息，雖然受到美國制裁，但中國一直是以光刻機為主的晶圓/芯片制造設備的最大采購國，而根據半導體研究機構TechInsights的最新報告，2025年中國半導體廠商的采購將首次出現大幅下降。報告稱，2024年，中國對半導體制造設備的采購額為410億美元，而在2025年預計會降至380億美元，降幅超過7％。TechInsights認為，這一方面是美國的出口管制政策越發收緊，另一方面是中國半導體本身不斷取得突破，同時芯片供應超過了需求。30億美元的下降很大，不過380億美元的采購規模，仍然讓中國穩居世
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12nm 芯片代工 芯片制造 制程
12月25日消息，據媒體報道，三星正計劃對其先進半導體封裝供應鏈進行全面整頓，以加強技術競爭力。這一舉措將從材料、零部件到設備進行全面的“從零檢討”，預計將對國內外半導體產業帶來重大影響。報道稱，三星已經開始審查現有供應鏈，并計劃建立一個新的供應鏈體系，優先關注設備，并以性能為首要要求，不考慮現有業務關系或合作。三星甚至正在考慮退回已采購的設備，并重新評估其性能和適用性，目標是推動供應鏈多元化，包括更換現有的供應鏈。三星過去一直執行“聯合開發計劃”與單一供應商合作開發下一代產品，然而，由于半導體技術日益復
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三星 制程 封裝
在歐洲開放創新平臺（OIP）論壇上，臺積電表示電子設計自動化（EDA）工具和第三方IP模塊已為性能增強型N2P/N2X制程技術做好準備。目前，Cadence和Synopsys的所有主要工具以及Siemens EDA和Ansys的仿真和電遷移工具，都已經通過N2P工藝開發套件（PDK）版本0.9的認證，該版本PDK被認為足夠成熟。這意味著各種芯片設計廠商現在可以基于臺積電第二代2nm制程節點開發芯片。據悉，臺積電計劃在2025年末開始大規模量產N2工藝，同時A16工藝計劃在2026年末開始投產。臺積電N2系
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臺積電 2nm 制程 設計平臺
據外媒報道，美國商務部已向臺積電發函，對7nm及以下制程的芯片實施更為嚴格的出口管控措施，特別是針對人工智能（AI）和圖形處理器（GPU）領域。對此臺積電計劃提高與客戶洽談與投片的審核標準，擴大產品審查范圍 —— 同時，已通知中國大陸的部分芯片設計公司，從即日起暫停向它們提供7nm或以下制程的芯片。臺積電回應稱，對于傳言不予置評。從最新的傳聞來看，雖然美國目前尚未正式出臺相關的限制細則，但三星似乎也受到了來自美國商務部的壓力，不得不采取與臺積電類似的舉措。有消息稱，三星與臺積電近日向他所投資的企業發送郵件
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三星 臺積電 7nm 制程 芯片
10 月 24 日消息，根據 TrendForce 集邦咨詢最新調查，受國產化浪潮影響，2025 年國內晶圓代工廠將成為成熟制程增量主力，預估 2025 年全球前十大成熟制程代工廠的產能將提升 6%，但價格走勢將受壓制。TrendForce 集邦咨詢表示，目前先進制程與成熟制程需求呈現兩極化，5/4nm、3nm 因 AI 服務器、PC / 筆電 HPC 芯片和智能手機新品主芯片推動，2024 年產能利用率滿載至 2024 年底。28nm (含) 以上成熟制程僅溫和復蘇，今年下半年平均產能利用率較上半年增加
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晶圓代工 制程 市場分析
市場消息傳出，臺積電正在提前試產2nm芯片，預期將在明年iPhone17上首度亮相，但也面臨一些挑戰。兩位消息人士透露，臺積電去年12月已向蘋果和NVIDIA在內的最大客戶展示首款「N2」原型的制程測試結果；2nm制造設備已于第二季開始進駐寶山廠并進行安裝、于第三季試產，比市場預期的第四季還早。市場解讀，臺積電在量產前加快速度是為了確保良率穩定。有報導稱，蘋果可能已預留臺積電所有2nm產能，和首次用于iPhone 15 Pro 的3nm芯片一樣。雖然臺積電能制造芯片，但需要其他供應商協助，2nm更是凸顯出
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iPhone17 Pro 2nm 制程 臺積電
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