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IC Insights: 先進(jìn)制程是晶圓代工的營(yíng)收關(guān)鍵
- 國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights最新的報(bào)告指出，四個(gè)最大的純晶圓代工廠(臺(tái)積電，GlobalFoundries，聯(lián)華電子和中芯國(guó)際)的晶圓代工的平均收入預(yù)計(jì)在2018年為11億3千8百美元， 以200mm等效晶圓表示，與2017年的11億3千6百萬(wàn)美元基本持平。 其中，臺(tái)積電是四大中唯一一家在2018年將比2013年產(chǎn)生更高的每晶圓收入(9%以上)的晶圓代工廠，其余將是下滑的局面。 IC Insights指出，臺(tái)積電2018年平均每晶圓收入預(yù)計(jì)為1,382美元，比GlobalFoundr
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三星在工藝制程上再次取得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，或奪高通驍龍855訂單
- 三星和臺(tái)積電在工藝制程上的競(jìng)爭(zhēng)一直都異常激烈，近日其宣布采用EUV技術(shù)的7nm工藝量產(chǎn)，再次取得對(duì)臺(tái)積電的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，而臺(tái)積電曾宣稱已取得高通驍龍855訂單一事估計(jì)要黃了。 在近幾年來(lái)，三星在先進(jìn)制程工藝方面一再取得對(duì)臺(tái)積電的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，14/16nmFinFET、10nm工藝均先于臺(tái)積電投產(chǎn)，也正是因?yàn)樗谙冗M(jìn)工藝制程上所取得的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)這幾年它都一再取得高通高端芯片的訂單。 近日三星采用EUV技術(shù)的7nm工藝投產(chǎn)，而臺(tái)積電當(dāng)下投產(chǎn)的7nm工藝并沒(méi)采用EUV技術(shù)，其預(yù)計(jì)到明
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格芯技術(shù)大會(huì)攜最新技術(shù)突出中國(guó)市場(chǎng)重要地位
- 近日，格芯2017技術(shù)大會(huì)（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數(shù)百位半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會(huì)者準(zhǔn)備了公司的核心業(yè)務(wù)、市場(chǎng)推進(jìn)方向與創(chuàng)新成果，以及包括制程工藝、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進(jìn)展，共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時(shí)代的技術(shù)解決方案。作為格芯的年度技術(shù)盛會(huì)，本次大會(huì)格芯分享的技術(shù)主題十分廣泛，包括FDX?設(shè)計(jì)和生態(tài)系統(tǒng)、IoT，5G/網(wǎng)絡(luò)和汽車解決方案智能應(yīng)用，F(xiàn)DX?、Fi
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聯(lián)電：暫不參與先進(jìn)制程競(jìng)賽 專注提升28和14納米競(jìng)爭(zhēng)力
- 晶圓代工二哥聯(lián)電暫不參與先進(jìn)制程競(jìng)賽，專注提升28納米和14納米制程的競(jìng)爭(zhēng)力。共同總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰指出，將以追求特定領(lǐng)域的市占率進(jìn)入前兩名為目標(biāo)，預(yù)估28納米對(duì)營(yíng)收貢獻(xiàn)可于三至四季內(nèi)回到兩成水準(zhǔn)。 聯(lián)電為晶圓雙雄之一，面臨國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)和臺(tái)積電的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，仍積極布局短、中、長(zhǎng)期發(fā)展策略。簡(jiǎn)山杰指出，公司策略目標(biāo)為創(chuàng)造獲利和擴(kuò)大市占率，決定暫時(shí)不再追求先進(jìn)制程，避免折舊攤提持續(xù)處于高峰而影響獲利目標(biāo)。 簡(jiǎn)山杰認(rèn)為，無(wú)論是5G或物聯(lián)網(wǎng)等，對(duì)于芯片需求仍相當(dāng)巨大
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先進(jìn)制程將成晶圓代工成長(zhǎng)動(dòng)力來(lái)源
- 據(jù)IC Insights最新數(shù)據(jù)預(yù)估，整體來(lái)說(shuō)，2017年純晶圓代工市場(chǎng)的營(yíng)收規(guī)模將成長(zhǎng)7%，但成長(zhǎng)動(dòng)能幾乎全部來(lái)自40奈米以下先進(jìn)制程。 2017年40奈米以下先進(jìn)制程的營(yíng)收料將達(dá)到215億美元，比2016年成長(zhǎng)18%;40奈米以上(含)成熟制程的市場(chǎng)只會(huì)成長(zhǎng)不到1%，達(dá)323億美元。 雖然40奈米以上成熟制程對(duì)晶圓代工業(yè)者營(yíng)收的貢獻(xiàn)度達(dá)到6成，但對(duì)絕大多數(shù)晶圓代工業(yè)者而言，40奈米以上成熟制程的利潤(rùn)空間已經(jīng)相當(dāng)有限。 40奈米以下先進(jìn)制程才是晶圓代工業(yè)者的金雞母。 以個(gè)別廠商來(lái)看，臺(tái)積
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英特爾：全球制程工藝創(chuàng)新者和引領(lǐng)者
- 智能互聯(lián)時(shí)代，數(shù)據(jù)洪流洶涌而生，對(duì)計(jì)算力的需求前所未有。英特爾始終以領(lǐng)先的制程工藝提供不斷躍升的計(jì)算力，并將晶體管密度作為引領(lǐng)制程工藝發(fā)展的首要準(zhǔn)則。英特爾以突破性技術(shù)和持續(xù)創(chuàng)新不斷打破摩爾定律失效“魔咒”，過(guò)去15年里在業(yè)界廣泛應(yīng)用的主要制程工藝創(chuàng)新都由英特爾推動(dòng)，并始終擁有至少三年的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。 晶體管密度： 衡量制程工藝領(lǐng)先性的首要準(zhǔn)則 目前一些競(jìng)爭(zhēng)友商公司的制程節(jié)點(diǎn)名稱并不準(zhǔn)確，無(wú)法正確體現(xiàn)這個(gè)制程位于摩爾定律曲線的哪個(gè)位置。摩爾定律是指每一代制程工藝的晶體管密度加倍，縱觀發(fā)展史，業(yè)界在命
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Entegris攜最新產(chǎn)品亮相Semicon Taiwan，提供整合解決方案應(yīng)對(duì)未來(lái)制造挑戰(zhàn)
- 隨著先進(jìn)制程的不斷推進(jìn)，從14nm、10nm到將來(lái)的7nm、3nm，在生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的微粒也越來(lái)越小，怎樣去找到這些極微小的微粒將是未來(lái)半導(dǎo)體制造商面臨的一個(gè)非常大的挑戰(zhàn)。近日，領(lǐng)先特殊材料供應(yīng)商Entegris參加了在Semicon Taiwan，同時(shí)發(fā)布了幾款全新產(chǎn)品，其全球銷售副總裁謝俊安也與臺(tái)灣媒體進(jìn)行了交流。 謝俊安首先介紹了Entegris的三個(gè)主要事業(yè)部，分別為電子材料部分，主要提供尖端氣體、沉積的解決方案以及一些化學(xué)清洗類產(chǎn)品;第二個(gè)是微污染控制，主要的產(chǎn)品為用于水、氣體以
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臺(tái)積電先進(jìn)制程持續(xù)投資，引領(lǐng)國(guó)外設(shè)備材料商紛紛靠攏
- 即將步入創(chuàng)業(yè)第30個(gè)年頭的晶圓代工龍頭臺(tái)積電，持續(xù)不斷在先進(jìn)制程5納米及3納米等投資，也吸引全球半導(dǎo)體設(shè)備商來(lái)臺(tái)搶食相關(guān)大餅。才剛進(jìn)入9月，陸續(xù)有材料大廠默克(Merck)、設(shè)備廠美商科林研發(fā)(LamResearch)、先進(jìn)半導(dǎo)體微污染控制設(shè)備商美商英特格(Entegris)等企業(yè)陸續(xù)來(lái)臺(tái)設(shè)點(diǎn)，或發(fā)表新產(chǎn)品。顯示由臺(tái)積電帶動(dòng)的國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資潮，已經(jīng)引起全球相關(guān)廠商關(guān)注。 根據(jù)臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家日前在第2季法人說(shuō)明會(huì)報(bào)告，臺(tái)積電在7納米制程的發(fā)展，2017年4月已通過(guò)客戶認(rèn)證，良率比預(yù)期高
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臺(tái)積電通吃中低端制程商機(jī)
- 晶圓代工龍頭臺(tái)積電昨日表示，第2季營(yíng)運(yùn)能否達(dá)到財(cái)測(cè)目標(biāo)，新臺(tái)幣兌美元匯率將是唯一因素。意味著6月?tīng)I(yíng)收將持續(xù)揚(yáng)升，且以美元計(jì)價(jià)，仍可達(dá)標(biāo)。法人指出，臺(tái)積電第3季迎接強(qiáng)勁拉貨潮，預(yù)期五大產(chǎn)品訂單同增，單季營(yíng)運(yùn)有望創(chuàng)歷史新高。 臺(tái)積電ADR上周五受美科技股重挫拖累，同步收黑，收盤(pán)跌幅2.82%。但法人指出，臺(tái)積電即將在26日除息，每股發(fā)放現(xiàn)金股利7元，外資長(zhǎng)期持有臺(tái)積即是看好其穩(wěn)定股利，再加上新臺(tái)幣維持相對(duì)強(qiáng)勢(shì)，更重要的是營(yíng)運(yùn)進(jìn)入旺季，因此即使費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)重挫，沖擊不致過(guò)大。 臺(tái)積電表示，不對(duì)
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美國(guó)科研人員實(shí)現(xiàn)1nm 制程工藝
- Intel、TSMC及三星三大半導(dǎo)體工廠今年將量產(chǎn)10nm工藝,他們中進(jìn)度快的甚至準(zhǔn)備在明年上馬7nm工藝,2020年前后則要推出5nm工藝。但是隨著制程工藝的升級(jí),半導(dǎo)體工藝也越來(lái)越逼近極限了,制造難度越來(lái)越大,5nm之后的工藝到現(xiàn)在為止都沒(méi)有明確的結(jié)論,晶體管材料、工藝都需要更新。在這一點(diǎn)上,美國(guó)又走在了前列,美國(guó)布魯克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的科研人員日前宣布實(shí)現(xiàn)了1nm工藝制造。 來(lái)自EETimes的報(bào)道稱，美國(guó)能源部(DOE)下屬的布魯克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的科研人員日前宣布創(chuàng)造了新的世界記錄，他們成
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高端制程壓力大 中芯國(guó)際憂患多
- 4月14日，全球最大的芯片代工制造商臺(tái)積電公布了截至3月31日的2017財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，臺(tái)積電第一季度總營(yíng)收為2339.1億新臺(tái)幣(約人民幣530億元，單位下同)，凈利潤(rùn)達(dá)到198.54億元，同比增長(zhǎng)高達(dá)35.3%，充分顯示了其全球晶圓代工的霸主地位。 按制程看，臺(tái)積電28nm以下先進(jìn)制程工藝占據(jù)晶圓代工收益的56%，其中16/20nm工藝、28nm工藝占營(yíng)收的比重為31%、25%。 中芯國(guó)際28nm尚待放量 而反觀大陸28nm進(jìn)展最快的中芯國(guó)際，其2016年第四
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高端制程壓力大 中芯國(guó)際憂患多
- 4月14日，全球最大的芯片代工制造商臺(tái)積電公布了截至3月31日的2017財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，臺(tái)積電第一季度總營(yíng)收為2339.1億新臺(tái)幣(約人民幣530億元，單位下同)，凈利潤(rùn)達(dá)到198.54億元，同比增長(zhǎng)高達(dá)35.3%，充分顯示了其全球晶圓代工的霸主地位。 按制程看，臺(tái)積電28nm以下先進(jìn)制程工藝占據(jù)晶圓代工收益的56%，其中16/20nm工藝、28nm工藝占營(yíng)收的比重為31%、25%。 中芯國(guó)際28nm尚待放量 而反觀大陸28nm進(jìn)展最快的中芯國(guó)際，其2016年第四
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制程介紹
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