計劃上半年流片，英特爾18A制程準備就緒

近日，英特爾宣布，其18A制程節點（1.8納米）已經準備就緒，并計劃在今年上半年開始設計定案。

該制程將導入多項先進半導體技術。18A制程相較于英特爾3nm制程，可將芯片密度提升30%，并提高每瓦性能約15%。英特爾計劃將18A制程應用于即將推出的Panther Lake筆電處理器與Clearwater Forest服務器CPU，這兩款產品預計將于年底前上市。

18A制程的一大突破是PowerVia背面供電技術。該技術透過將粗間距金屬層與凸塊移至芯片背面，并采用納米級硅穿孔（through-silicon vias，TSV），以提高供電效率。英特爾表示，這項技術可提升ISO功耗效能4%，并增加標準單元利用率5%至10%。

另一項關鍵技術是RibbonFET，這是英特爾的全柵極晶體管（GAA）設計。與傳統鰭式場效晶體管（FinFET）相比，RibbonFET可更精細地控制電流流動，并有效降低功耗與漏電，這對于高密度、小型化的芯片來說尤為重要。

提起英特爾，外界大多會想到近年來該公司面臨重大財務壓力，英特爾在2024年的財務報告中顯示虧損了130億美元。由于英特爾連年虧損，市場上關于該公司可能進行業務拆分或出售部分代工業務的猜測不斷增加。

隨著美國政府推動半導體本土化，英特爾18A制程的成敗，將成為美國半導體產業競爭力的重要指標。