- 行動運算產品市場持續(xù)朝產品薄化方向設計，目前相關設計多使用整合晶片減少元件用量，對于異質核心的封裝整合，若仍使用舊有的封裝技術將會造成成品元件仍具一定程度占位面積，必須利用堆疊與更復雜的3DIC技術進行元件整合的積極微縮設計…
矽晶片的制程技術，一直是推進行動終端產品躍進式升級、改善的關鍵驅動力，以往透過SoC(systemonachip)將不同用途的異質核心進行整合，目前已經產生簡化料件、縮減關鍵元件占位面積的目的，但隨著使用者對于行動裝置或可攜式裝置的薄化、小型化要求越來越高，
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3D 制程 矽穿孔
- 就在市場普遍關注晶圓代工廠的28納米制程競爭之際，晶圓代工龍頭臺積電(2330)仍積極將現有技術升級為特殊技術制程產能，原因就是持續(xù)看好行動裝置及智能穿戴裝置的強勁成長動能，包括嵌入式快閃存儲器(eFlash)、CMOS影像傳感器、指紋辨識元件、微機電及光感測元件等，都是臺積電未來2～3年的布局重點。
臺積電董事長張忠謀在上周法說會中，特別提及特殊技術重要性，因為行動裝置及智能穿戴裝置的ARM架構核心處理器芯片，會大量用到28納米以下先進制程，但其它的類比或感測芯片同樣重要，而這些芯片雖不需應用
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臺積電 制程 NFC
- 自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后，無不加快自己在制程技術上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過當然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術進度。對ARM來說，去年年底宣布成功試產(Tape Out)14nm FinFET制程技術的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關鍵，但目前仍有技術上的問題必須克服。
日前ARM已正式對外公布2013年Q1財報，營收同樣繼續(xù)維持成長，主要營收的大多比重皆是來自于IP技術授權(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術)。而低功耗一直以來都
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ARM 制程 14nm
- 在LED制程中，藍寶石基板雖然受到來自Si與GaN基板的挑戰(zhàn)，但是考慮到成本與良率，藍寶石在近兩年內仍然具有優(yōu)勢，可以預見接下來藍寶石基板的發(fā)展方向是大尺寸與圖案化(PSS)。由于藍寶石硬度僅次于鉆石，因此對它進行
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LED 基板 芯片 制程
- 繼日前與臺積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場效電晶體(FinFET)技術的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)展新一代Mali繪圖處理器(GPU)核心。
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ARM 制程 晶體
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問:作為中國本土的旗艦型制造企業(yè)，您認為中國制造型企業(yè)，應該如何用創(chuàng)新去應對調整？如何走特色發(fā)展的道路？
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答：首先從工藝方面來看，這15年是非常特殊的時期，發(fā)展速度很快。我記得我們在做90nm的時候，我們就有一種想法，覺得做到40、45nm的時候就差不多了，不過后來又發(fā)現還在演進。所以我相信，尤其我們年輕一代，用創(chuàng)新精神會繼續(xù)往下做。
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中芯國際 工藝 制程
- 今天來探討LED晶圓的生長制程，早期在小積體電路時代，每一個6英寸的晶圓上制作數以千計的晶粒，現在次微米線寬的...
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LED 晶圓 生長 制程
- 臺積電公司今(10)日公布2009年十月營收報告，就非合并財務報表方面，營收約為新臺幣291億8,100萬元，較今年九月增加了4.1%，較去年同期增加了2.9%。累計2009年一至十月營收約為新臺幣2,259億2,700萬元，較去年同期減少了21.9%。
就合并財務報表方面，2009年十月營收約為新臺幣302億1,900萬元，較今年九月增加了4.4%，較去年同期增加了2.5%。累計2009年一至十月營收約為新臺幣2,338億6,600萬元，較去年同期減少了21.5%。
臺積電營收報告(非合
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臺積電 40nm 制程
- 據業(yè)界分析，臺積電的40nm制程目前仍然存在著良率不足的問題。今年早些時候，臺積電曾公開承認此問題，但后來他們宣稱已解決先前大部分良率問題。不過，根據本周四Nvidia公司舉辦的一次會議的內容，我們可以看出Nvidia公司內部對臺積電的40nm產能及良率方面仍然存在較大的擔憂。而另外一 家廠商AMD也是深受其害。
不過并非所有廠商的情況均是如此，比如Altera公司便表示其委托臺積電代工的40nm FPGA產品“良率數據良好。”
相比之下，Nvidia則對臺積電的4
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臺積電 40nm 制程
- 市場研究公司iSuppli指出，IC市場低迷很可能縮小第一階純代工廠商陣營，未來第一階代工廠商的數量可能減少至3家。
“2009年是代工廠商希望趕緊過去的一年。”iSuppli分析師Len Jelinek在一份聲明中表示，“然而，明年很可能出現新的挑戰(zhàn)，競爭成本的增長將使玩家數量減少。”
2009年全球純代工廠商收入預計為178億美元，減少10.9%，明年將增長21%至216億美元。
“開發(fā)實現下一代制程的成本迅速增長。想在
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- 臺積電近日表示，雖然尚未公布今年的資本支出計劃，但仍將持續(xù)進行設備采購，并以提升45、40納米的先進制程產能為主。
臺積電本周連續(xù)公告自AMAT等廠商購入設備，金額累計達54.8億臺幣。據悉，第二季臺積電投資設備金額將超過100億臺幣。對此，臺積電代理發(fā)言人曾晉皓對表示，“設備采購基本上以45、40納米的先進制程為主，我們在這方面較缺乏，至于投入多少要以市場需要而定。”他并指出，公司今年資本支出還沒決定，但還沒決定不代表不買設備。
雖然臺積電未說明在45、40納米先
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- 臺積電今（24）日表示，領先專業(yè)集成電路制造服務領域推出40納米制程。此一新世代制程包括提供高效能優(yōu)勢的40納米泛用型制程（40G）以及提供低耗電量優(yōu)勢的40納米低耗電制程（40LP）；同時提供完備的40納米設計服務套件及包括經過制程驗證的合作廠商硅智材、設計自動化工具，以及臺積公司的電性參數模型（SPICE Model）及核心基礎硅智材的完整設計生態(tài)環(huán)境。而首批客戶產品預計于2008年第二季產出。
臺積公司40納米制程重點：
?芯片閘密度（Raw gate density）是65納米制
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- IBM聯(lián)盟開發(fā)出可在32納米芯片中加速實現一種被稱為“high-k/metal gate(高電介質金屬柵極)”的突破性材料。這種新方法是基于被稱為“high-k gate-first(高電介質先加工柵極)”加工工藝的方法，為客戶轉向高電介質金屬柵極技術提供了一種更加簡單和更省時間的途徑，由此而能夠帶來的益處包括性能的提高和功耗的降低。通過使用高電介質金屬柵極，IBM與聯(lián)盟合作伙伴成功地開發(fā)出比上一代技術體積小50%的芯片，同時提高了眾多性能。使用這種新技術的
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制程 工藝
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2008年1月15日，中國北京-全球領先的可編程邏輯器件（PLD）供應商賽靈思公司（Xilinx, Inc. (NASDAQ: XLNX)）宣布推出其最新的90nm低成本Spartan™-3A FPGA器件。針對數字顯示、機頂盒以及無線路由器等應用而優(yōu)化的這些小封裝器件滿足了業(yè)界對更小器件封裝尺寸的需求，為成本極為敏感的消費電子設計提供將更好的支持。
Spartan-3系列平臺:低成本消費應用的首選
賽靈思在大批量消費應用領域所取
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Xilinx FPGA 其他IC 制程
- 近年來，消費電子產品的成長勢頭強勁，更小、更快、更省電的芯片日益得到市場的青睞。同時，半導體產業(yè)也面臨著非常嚴峻的挑戰(zhàn)和壓力，包括不斷上漲的研發(fā)費用、產品生命周期管理和消費者變化多端的個性化需求。在與半導體產業(yè)的研發(fā)緊密關聯(lián)的電子自動化解決方案(EDA)領域，也同半導體產業(yè)一樣，面臨著日益激烈的競爭。合作成為各大公司發(fā)展的必然，而工藝技術從65nm到45nm進而向32nm的演進，集成化的完整的端到段端的設計解決方案將成為2008年EDA供應商的追求。 消費類芯片是中國市場最大熱點 Synopsys中國
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