- 華潤微電子公布，截至2009年6月30日止中期轉盈為虧至8,334.8萬港元，公司不派中期息。
華潤微電子(00597)9月9日發布公告稱，截至2009年6月30日止中期業績，取得股東應占虧損8,334.8萬港元，每股虧損0.0134港元，公司不派中期息。該公司2008年同期取得純利9,634.5萬港元。
受環球金融危機影響，華潤微電子截至2009年6月30日止6個月的綜合營業額及毛利均倒退，然而，集團于第二季度的產能使用率有所提升，加上應對金融海嘯措施見效，令公司于第二季度成功扭虧為盈。
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華潤微電子 晶圓
- 新聞事件：
加拿大將向MEMS及三維封裝研究項目投入1億7800萬美元
事件影響：
通過MEMS技術以及晶圓級三維層疊封裝技術，為硅元件帶來創新
加拿大政府和加拿大魁北克省政府將向MEMS及三維層疊尖端封裝領域的研究投入總額為1億7800萬美元的資金。目的是通過MEMS技術以及晶圓級三維層疊封裝技術，為硅元件帶來創新。
兩政府將向位于魁北克省布羅蒙特(Bromont)的希爾布魯克大學(University de Sherbrooke)補助1億780
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MEMS 晶圓 三維封裝
- SEMI World Fab Forecast預測，2010年全球晶圓廠支出將達到240億美元。其中很大一部分(約140億美元)將來自6家已制定激進投資計劃的公司。
這六家公司分別是：TSMC, GlobalFoundries, Toshiba, Samsung, Intel和Inotera。2010年這六家公司的晶圓廠資本支出將超過全球總額的一半。2010年資本支出增長率預計為64%，看起來挺高，但2009年是歷史低點。
SEMI資深分析師Christian Dieseldorff指出：
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GlobalFoundries 晶圓
- 韓國三星電子計畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產DRAM，將DRAM的生產全數轉為使用12寸晶圓，以藉由使用產能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競爭力。
報導指出，三星電子計畫于10月底前停止在美國德州奧斯丁(Austin)半導體工廠內生產使用8寸晶圓的DRAM，加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產，故待奧斯丁工廠停止生產后，三星電子的DRAM生產將全數轉為使用12寸晶圓。
彭博社曾于日前轉述韓國網路媒體“E-Daily”報導指
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三星 DRAM 晶圓 NAND
- 日、韓面板大廠將至中國設面板8代廠，面板雙虎友達與奇美也急著西進設廠，不過，德意志證券最新出爐的報告則認為，國際面板大廠一窩蜂地赴大陸設廠，恐怕將會重蹈晶圓廠過度投資的覆轍，對友達和奇美維持賣出評等，目標價分別為33.75元新臺幣和16.35元新臺幣。
根據德意志證券科技產業分析師Matt Cleary指出，中國需要更多法規來管理面板擴廠問題，以免產能過剩，面板投資者未顧慮時機，紛紛搶進大陸，拖累2010年的經濟復蘇。
不過，德意志證券也認為，由于Samsung、Sharp在中國大陸設置晶
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奇美 晶圓 面板 LCD
- 為了加強歐洲半導體行業的競爭力，歐洲35家機構攜手開展了聯合研究項目“IMPROVE”(“采用制造科學解決方案提高設備生產率和晶圓廠業績”)。該項目從2009年持續到2011年年底，目的是提高半導體制造業的生產效率，同時降低成本，縮短加工時間。歐洲“IMPROVE”聯合研究項目的參與者包括軟件企業、在歐洲擁有生產基地的半導體公司、芯片晶圓設備供應商以及來自奧地利、法國、德國、愛爾蘭、意大利和葡萄牙的學術機構。英飛凌科技股份公司作為
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英飛凌 半導體制造 晶圓
- 非揮發性內存大廠恒憶(Numonyx)總裁暨執行長Brian Harrison表示，基于財務風險考慮，近期之內，公司并不打算自己投入發展12吋晶圓廠，而會持續與爾必達(Elpida)、海力士(Hynix)等大廠進行策略聯盟合作，后段組裝、封測等部份則會將約40%的需求外包。
過去飛索(Spansion)因投入過多資源在發展12吋制程，因必須承擔龐大的固定資本支出，在大環境景氣急速反轉下，財務狀況出現嚴重問題，也成為公司必須聲請破產的主要因素之一，近期公司對外也明顯表態將淡出12吋制程。
反
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Numonyx 晶圓
- SUSS MicroTec是半導體業界創新工藝和測試方案提供商。SUSS MicroTec向日本發運了一臺LithoPack300光刻一體機，用于三維集成技術開發，并已成功安裝。該一體機擁有涂膠、烘烤、曝光、顯影模塊，可用于最大直徑為300毫米的晶圓片。對于難度較高的TSV硅通孔生產和三維集成的背面RDL再布線層，該一體機是一個高性價比的解決方案，再加上永久和臨時晶圓片鍵合，SUSS MicroTec可以提供一整套的工藝和技術方案，用于三維集成。SUSS MicroTec近期參與了一系列三維集成工藝的
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SUSS 晶圓 測試 光刻一體機
- 繼臺積電成立新事業組織(NBDO)之后，聯電24日董事會決議，成立新事業發展中心(NBDC)，更以新臺幣15億元成立聯電100%持股的「聯電新投資事業公司」投入節能事業如太陽能、LED領域投資。由于額度與臺積電日前公布的16.5億元相當，加上兩家組織名稱、投資標的都極為相近，顯示臺積電、聯電在節能投資領域的投資競逐戰已然展開。
聯電表示，24日董事會通過成立新事業發展中心，將由資深副總陳文洋當責，此新事業中心也將成立由聯電100%持股的轉投資「聯電新投資事業公司」，初期預定資本額約15億元，新公
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聯電 薄膜太陽能 LED 晶圓
- 機遇與挑戰：
2000~2008年間，我國半導體產業飛速發展，基礎相對雄厚
國際金融危機的硝煙仍未消散，半導體行業仍在困境中掙扎
我國的半導體產業在國際上已經占有重要地位
中國半導體區域、競爭格局與國際趨勢相吻合，發展趨勢良好
我國半導體受經濟危機的影響要低于國際半導體產業
市場數據：
中國在世界半導體發展中一直有重要地位，對世界半導體行業的增長率貢獻超過70%
商業比重成分集成電路設計占18.9%芯片占31.5%封裝測試業占仍然偏大，占49.6%
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集成電路 封裝 晶圓
- 據媒體報道，臺積電日前召開董事會，決定投資11億1680萬美元，以擴充12英寸晶圓廠的45納米制程產能，與設置32納米制程產能;至于市場關注的太陽能投資，臺積電并未宣布投資對象，但將先投入0.5億美元在太陽能相關產業。
據臺灣媒體報道，臺積電發言人何麗梅表示，董事會決議通過人事變動，任命杜隆欽擔任人力資源組織副總經理;調任張秉衡擔任資材暨風險管理組織副總經理。
其次，資本支出部分，臺積電董事會核準資本預算11.168億美元，以擴充12英寸晶圓廠的45奈米制程產能與設置32奈米制程產能。同時
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臺積電 晶圓 32納米
- 徐州中能硅業母公司─協鑫光伏，首席執行官江游指出，因太陽能電池需求加溫，近來上游的多晶硅已有供給告急壓力，加上國內開始限制海外晶圓的進口，而2010年招標的項目目前也已達到2GW(20億瓦)，因此估計太陽能電池缺料的問題將會延續下去，而多晶硅的價格年底前也都能持穩。
太陽能電池產業在全球性金融危機爆發后需求下跌，直到今年第三季，進入產業旺季后，歐洲、美國需求轉強，加上國內加碼對太陽能電池產業的扶持，繼推出太陽能屋頂補貼計劃、規劃在敦煌、內蒙和新疆等偏遠地區蓋太陽能發電廠后，更于7月公布關于實施金
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太陽能電池 晶圓 多晶硅
- Intel日本分公司在筑波市舉行了一次技術會議，內容頗為豐富，涉及半導體技術現狀與未來、Nehalem微架構、ATM主動管理技術、Anti-Thefe防盜技術、My WiFi無線技術等等。
其中有關半導體制造工藝的展望引起了我們的特別關注。近十幾年來，Intel以每兩年升級一次的速度從0.25微米(um)一路走到了45納米(nm)，中間歷經了0.18微米、0.13微米、90納米、65nm等四個世代，并帶來了多種技術革新，比如晶圓尺寸從200毫米到300毫米、內部互聯材料從鋁到銅、通道從硅到應變硅
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- 晶圓雙雄太陽能競賽日益白熱化，繼臺積電董事會通過設置5,000 萬美元專款發展節能事業后，聯電搶先一步規劃進軍大陸，旗下薄膜太陽能電池廠聯相光電日前前往山東考察，評估在當地設廠事宜。
業界認為，在臺積電尚未明確出手投資太陽能標的或興建產能下，聯電集團在太陽能領域企圖心強烈，考慮大陸太陽能內需市場龐大，若能透過聯相插旗大陸，將可享地利之便，趁機搶食大陸太陽能的商機，并拉大與臺積電之間的距離。
聯電在太陽能事業布局領先臺積電，早在2005年11月便成立聯相(原名晶能)，作為進軍太陽能的試金石。
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聯電 晶圓 薄膜太陽能電池
- 基于極其成功的Galaxy印刷設備，得可已利用卓越的精準技術開發了專門處理超薄晶圓的系統。新的Galaxy薄晶圓系統提供杰出的穩定性、工藝能力提高到Cp>2@+/-12.5μm、并擁有先進的速度和加速控制，確保強健地處理當今易損的晶圓產品。
Galaxy薄晶圓系統的杰出工藝能力核心是專業設計的晶圓托盤，提供輸送和加工75微米薄晶圓時正確固定晶圓所需的支撐和穩定性。約400毫米見方的得可晶圓托盤，平整度小于10微米，且能容納300毫米大的晶圓。仔細的選擇和多孔材料的使用確保薄晶圓的安全
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Galaxy 晶圓 托盤
晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [
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