可用面積達12吋晶圓3.7倍，臺積電發力面板級先進封裝技術

6月21日消息，據日媒報道，在CoWoS訂單滿載、積極擴產之際，臺積電也準備要切入產出量比現有先進封裝技術高數倍的面板級扇出型封裝技術。而在此之前，英特爾、三星等都已經在積極的布局面板級封裝技術以及玻璃基板技術。

報道稱，為應對未來AI需求趨勢，臺積電正與設備和原料供應商合作，準備研發新的先進封裝技術，計劃是利用類似矩形面板的基板進行封裝，取代目前所采用的傳統圓形晶圓，從而能以在單片基板上放置更多芯片組。

資料顯示，扇出面板級封裝（FOPLP）是基于重新布線層（RDL）工藝，將芯片重新分布在大面板上進行互連的先進封裝技術，能夠將多個芯片、無源元件和互連集成在一個封裝內。FOPLP與傳統封裝方法相比，提供了更大的靈活性、可擴展性和成本效益。

據Yole的報告顯示，FOWLP技術的面積使用率<85%，FOPLP面積使用率>95%，這使得300mm×300mm的面板比同尺寸12英寸的晶圓可以多容納1.64倍的die。如果采用600mm×600mm的面板，那么可能將會帶來近5倍的提升。

消息人士稱，臺積電目前的試驗是采用515mm×510mm的矩形基板，可用面積將會是目前的12英寸晶圓的三倍多，矩形基板也將使得邊緣留下的未用面積減少。

臺積電目前主要以CoWoS為高性能計算（HPC）芯片客戶提供先進封裝服務，并正擴張CoWoS產能，最新的廠區落腳南科嘉義園區。

臺積電的CoWoS先進封裝技術能合并兩組英偉達的Balckwell GPU芯片、以及八組高帶寬內存（HBM）芯片，但隨著單組芯片要容納更多晶體管、整合更多HBM，產業的現行標準的12英寸晶圓可能在兩年后就不足以用來封裝先進芯片，因此需要產出性能比現有先進封裝技術高數倍的面板級扇出型封裝。

三星、英特爾也早已意識到上述問題，紛紛投入新一代的先進封裝技術。三星現有自家先進封裝服務包含I-Cube 2.5D封裝以及X-Cube 3D IC封裝、2D FOPKG封裝等。對于移動手機或穿戴式裝置等需要低功耗內存整合的應用，三星已提供面板級扇出型封裝和晶圓級扇出型封裝等平臺。

英特爾也規劃推出業界首款、用于下一代先進封裝的玻璃基板方案，規劃2026年至2030年量產，并預期需要更大體積封裝、更高速應用及工作負載的數據中心、AI、GPU等領域，將是最先導入的市場。本月初，據日經新聞報導，英特爾近期和14家日本合作伙伴攜手，計劃租用夏普閑置的液晶面板廠作為先進半導體技術的研發中心，或將為研發面板級封裝技術。

編輯：芯智訊-浪客劍