- 8月12日消息,臺積電周二召開董事會,決定投資11億1680萬美元,以擴充12英寸晶圓廠的45奈米制程產能,與設置32奈米制程產能;至于市場關注的太陽能投資,臺積電并未宣布投資對象,但將先投入0.5億美元在太陽能相關產業。
據臺灣媒體報道,臺積電發言人何麗梅表示,董事會決議通過人事變動,任命杜隆欽擔任人力資源組織副總經理;調任張秉衡擔任資材暨風險管理組織副總經理。
其次,資本支出部分,臺積電董事會核準資本預算11.168億美元,以擴充12英寸晶圓廠的45奈米制程產能與設置32奈米制程產能。
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晶圓 32納米 太陽能
- 上個月,GlobalFoundries紐約州晶圓廠Fab 2正式破土動工,相隔幾周后,GlobalFoundries宣布,他們將盡快著手Fab 3計劃。
隨著紐約州晶圓廠的破土動工,GlobalFoundries的信心也更加充足,GlobalFoundries主席Hector Ruiz表示:“GlobalFoundries的目標是成為半導體制造行業的領軍者,我們也將盡快著手Fab 3工廠計劃。”
雖然現在還不清楚Fab 3的具體規劃,也不知道它的開工時間,但是既然G
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GlobalFoundries 晶圓 顯卡
- 曾經是歐洲最大內存廠的奇夢達進入資產拍賣階段,而此舉剛好給了大陸切入內存產業領域的大好時機!浪潮集團將于8月中收購奇夢達西安研發中心,至于蘇州封測也傳出將由華潤集團接手,而這些收購公司背后都有國資背景,顯見在官方撐腰并下指導棋的情況下,大陸內存產業鏈終于完備。
德國內存龍頭廠奇夢達確定遭到市場淘汰,并已正式進入資產拍賣階段。目前奇夢達的資產包括6大研發中心、美國的弗吉尼亞與德國的德勒斯登12吋晶圓廠,以及大陸、葡萄牙、馬來西亞的后段封測廠。至于奇夢達在大陸的基地,只有西安的研發中心與蘇州的內存后
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奇夢達 晶圓 服務器 DRAM NAND
- 數碼媒體體驗開發混合信號集成電路廠商美國IDT公司與臺灣積體電路制造股份有限公司6日宣布簽訂制造協議, IDT公司將其位于美國奧瑞岡州半導體廠的工藝及產品制造移轉給臺積電。此項協議預計在兩年內完成所有產品的移轉,目前已獲得雙方公司與IDT公司董事會的同意。
IDT公司全球制造副總經理Mike Hunter表示:“過去一年來,我們已逐漸轉型為專為通訊、電腦與消費性電子市場開發特定應用解決方案的公司。與臺積電達成的協議讓我們能充分利用臺積電各個工藝世代的尖端技術,是我們轉型之路中必然的下
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IDT 晶圓 IC設計
- 市場研究公司iSuppli指出,隨著市場需求復蘇,在已經公布第二季度業績的半導體公司中有多數都有不錯的業績。
在15家已公布第二季度業績的公司中,有11家表示該季度公司的“庫存天數(DOI)”低于過去三年的平均值,有8家公司與三年平均值的差距為兩位數百分比。
“半導體公司的最新業績報告驗證了iSuppli的觀點,庫存已從過剩降至合適水平。”iSuppli財務分析師Carlo Ciriello說道,“庫存水平是低的,但結合當前的收入
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Intel 晶圓 半導體
- 最近Globalfoundries公司可謂喜事連連,繼紐約Fab2工廠正式奠基后,又與意法半導體成功簽約。不過按GF公司主席Hector Ruiz的說法,他們現在已經開始籌劃第三間制造廠Fab3的項目。目前在建的Fab2將采用300mm技術生產晶圓,建成初期的2012年,將采用 28nm制程技術進行生產,隨后轉向22nm制程。
目前外界很難猜測Fab3項目的細節,更不用說興建計劃的日期了。不過此舉至少說明GF對自己的Fab1/Fab2工廠充滿信心,并對公司的發展前景非常樂觀。
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Globalfoundries 晶圓 22nm 28nm
- 8月6日消息,臺積電今日表示,美國半導體廠商IDT決定將位于奧瑞岡州半導體廠的芯片制造業務移轉給臺積電,并在移轉完成之后關閉這座晶圓廠,并已聘請第三人在市場上尋求潛在接手者。
臺積電在一份聲明中稱,IDT預計在兩年內完成0.13微米及以上的制程及產品的移轉,并將經營模式從輕晶圓廠(fab-lite)轉型到無晶圓廠制造模式(fabless)。
臺積電并未說明該項制程及產品移轉計劃可能帶來的業績影響。
臺積電今日下跌0.18%報收56.8臺幣,大盤加權股價指數.TWII則微漲0.30%報
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IDT 晶圓 fabless
- 8月6日消息,日本芯片制造業龍頭東芝(Toshiba)周三表示,由于公司芯片業務資本支出增長將減緩,并尋求擴張核能發電及智能型電網業務,3年后其電力及基礎建設業務的獲利,將達電子產品部的2倍。
東芝的半導體部門已連續3季出現營業虧損,使其減緩該部門支出,并在其它領域尋求固定營收來源,例如健康醫療及水處理等。
東芝目前預期,包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產品部門于2012年3月底結束的會計年度,獲利將達約1000億日元(10億美元);而屆時社會基礎建設業務獲利則可達2000億
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東芝 NAND 晶圓
- 隨著Globalfoundries紐約廠的破土動工,半導體行業的競爭也愈加激烈。近日,臺積電CEO張忠謀在接受記者采訪時就將他們和Globalfoundries的競爭比作是一場戰爭,把自己比作是斯大林,同時認為他們將取得最終的勝利。
張忠謀說:“我們把Globalfoundries看作是很有競爭力的對手,這場戰爭將十分慘烈,我的任務就是將我們的損失降到最低。”
他認為,Globalfoundries花費42億美元在紐約建立Fab 2晶圓廠就是在宣戰,Globalfo
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Globalfoundries 晶圓
- 臺積電等臺灣大型半導體生產企業最近陸續宣布調高今年的資本支出計劃。除了經濟復蘇情況好于預期外,市場變化是促使半導體業者擴大投資的主要因素。
據臺灣媒體報道,聯電決定將資本支出從原來的不到4億美元調高至5億美元;臺積電更是二度調高今年資本支出計劃,將資本支出自最初的15億美元調高至18億美元后,再進一步調高至23億美元。
日月光也將資本支出自1.5億美元調高至2億美元;力成將資本支出自30億元新臺幣上調至50億元新臺幣。矽品雖將資本支出維持原訂的40億元新臺幣,不過,董事長林文伯表示,在新興
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臺積電 晶圓 封測
- 一些反對者和懷疑主義者認為,電子和半導體產業也許需要兩年甚至更久的時間,才能回到2007年的銷售水平,甚至不會再出現兩位數的成長。但Semico公司持不同看法。SemicoResearch公司總裁JimFeldhan指出,消費者的購買模式正在產生變化。而這種變化將對整個電子產業帶來深遠影響。
Feldhan表示,未來,我們可能不會花大筆金錢買房子,但仍會購買可提高生活質量的產品,如智能型手機或小筆電(Netbook)。
Semico長期追蹤40多個終端市場,包括消費、計算、有線和無線通訊,
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內存 邏輯芯片 Netbook 晶圓 65nm
- 臺灣積體電路制造股份有限公司今(30)日公布2009年第二季財務報告,合并營收為新臺幣742.1億元,稅后純益為新臺幣244.4億元,每股盈余為新臺幣0.94元(換算成美國存托憑證每單位為0.14美元)。
與2008年同期相較,2009年第二季營收減少15.8%,稅后純益減少15%,每股盈余則減少了13.9%。與前一季相較,2009年第二季營收增加了87.9%,稅后純益增加1467.9%,每股盈余則增加了1466.5%。這些財務數字皆為合并財務報表數字,并系依照中華民國一般公認會計準則所編制。
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臺積電 晶圓 40納米
- 臺積電7月30日公布2009年第二季財務報告,合并營收為新臺幣742.1億元,稅后純益為新臺幣244.4億元,每股盈余為新臺幣0.94元。
與2008年同期相較,2009年第二季營收減少15.8%,稅后純益減少15%,每股盈余則減少了13.9%。與前一季相較,2009年第二季營收增加了87.9%,稅后純益增加1467.9%,每股盈余則增加了1466.5%。這些財務數字皆為合并財務報表數字,并系依照中華民國一般公認會計準則所編制。
2009年第二季毛利率為46.2%,營業利益率為33.9%,
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臺積電 65納米 晶圓 40納米
- 機構iSuppli近日報告指出,全球太陽能產業在2008年底面臨需求疲軟后,至今未能有效抑制產能過剩的問題,導致價格持續下滑。資料顯示,2009年第1季整體太陽能產業的平均庫存天數達到122天,比2008年同期增加48天,增幅高達65%。
iSuppli分析師Henning Wicht表示,上述65%的平均庫存天數增幅相當于全球太陽能產業在1年內多出了1個半月的庫存量。照目前趨勢看來,往后將有更多業者投入太陽能產業,屆時產能過剩的情況恐怕更加嚴重,預計價格短期內無法回升。
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太陽能 多晶硅 晶圓
- 據臺灣媒體報道,東芝日前發生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件,盡管NAND Flash產能并未受到影響,然令業界意外的是,由于該廠房主要生產包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產品,因此,使得東芝microSD卡供應量驟降,帶動近期microSD卡價格上漲逾10%。
內存業者認為,過去記憶卡價格一直嚴重偏低,業界趁此機會調漲終端記憶卡售價,但NAND Flash芯片價格上漲機率則不高。
業內人士表示,2009年初NAND Flash芯片價格持續上漲,記憶卡價格卻沒有跟上來,導致NAND Flas
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東芝 NAND 晶圓
晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解,再于融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅 [
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