三星電子計劃將DRAM生產全數轉為使用12寸晶圓

　　韓國三星電子計畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產DRAM，將DRAM的生產全數轉為使用12寸晶圓，以藉由使用產能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競爭力。

　　報導指出，三星電子計畫于10月底前停止在美國德州奧斯丁(Austin)半導體工廠內生產使用8寸晶圓的DRAM，加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產，故待奧斯丁工廠停止生產后，三星電子的DRAM生產將全數轉為使用12寸晶圓。

　　彭博社曾于日前轉述韓國網路媒體“E-Daily”報導指出，三星電子擬在停止奧斯丁工廠的DRAM生產后，投下5億美元(約473億日圓)改良生產線，于明(2010)年后半開始生產NAND Flash。