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全球晶圓代工產(chǎn)能排名：中國(guó)超越韓國(guó)，躍居第二
- 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Group最新發(fā)布的《半導(dǎo)體晶圓代工產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀報(bào)告》顯示，2024年全球晶圓代工產(chǎn)能分布發(fā)生顯著變化：中國(guó)臺(tái)灣以23%的市占率位居第一，中國(guó)大陸（21%）緊隨其后，超越韓國(guó)（19%）、日本（13%）、美國(guó)（10%）和歐洲（8%），成為全球第二大晶圓制造基地。晶圓代工產(chǎn)能代表半導(dǎo)體生產(chǎn)的理論最大值，與實(shí)際訂單量或工廠利用率無(wú)關(guān)。近年來(lái)，在中美科技競(jìng)爭(zhēng)加劇的背景下，美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制裁不斷升級(jí)，迫使中國(guó)加速本土產(chǎn)能建設(shè)，以減少對(duì)海外代工的依賴，保障供應(yīng)鏈安全。中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)非但沒(méi)有“熄
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晶圓代工格局生變：中芯國(guó)際緊追三星
- 在全球芯片代工市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，格局正發(fā)生深刻變化。雖然臺(tái)積電一直保持著其主導(dǎo)地位，但曾經(jīng)穩(wěn)居第二的三星電子如今面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，中芯國(guó)際展現(xiàn)出強(qiáng)勁勢(shì)頭正在追趕這家韓國(guó)巨頭。調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布的報(bào)告顯示，2025年第一季度，全球前十大晶圓代工廠中，臺(tái)積電憑借先進(jìn)制程導(dǎo)入速度和良率控制方面的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，以67.6%的份額穩(wěn)居榜首。值得注意的是，中芯國(guó)際正以驚人的速度追趕三星電子，其市場(chǎng)份額已攀升至6%并持續(xù)增長(zhǎng)，而三星電子的市場(chǎng)份額已降至7.7%。第四名至第十名分別為聯(lián)電 (UMC)、格芯 (Glo
- 關(guān)鍵字： 晶圓 代工 中芯國(guó)際 三星 臺(tái)積電 華虹集團(tuán) 合肥晶合
臺(tái)積電美國(guó)廠首批4nm晶圓送往臺(tái)灣封裝
- 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州的晶圓廠已經(jīng)完成了為蘋(píng)果、英偉達(dá)（NVIDIA）和AMD制造的第一批芯片，數(shù)量達(dá)到了2萬(wàn)片晶圓，目前這些芯片已經(jīng)送往中國(guó)臺(tái)灣進(jìn)行封裝。這批在臺(tái)積電亞利桑那州晶圓廠生產(chǎn)的4nm制程晶圓，其中包括了英偉達(dá)Blackwell AI GPU、蘋(píng)果公司面向iPhone的A系列處理器和AMD第五代EPYC數(shù)據(jù)中心處理器。由于臺(tái)積電目前在美國(guó)沒(méi)有封裝廠，因此這些晶圓還需要發(fā)送到中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電的先進(jìn)封裝廠利用CoWoS技術(shù)進(jìn)行先進(jìn)封裝。雖然臺(tái)積電也計(jì)劃在美國(guó)建設(shè)兩座先進(jìn)封裝廠，但是目
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臺(tái)積電2nm良率曝光
- 在技術(shù)驅(qū)動(dòng)型產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體行業(yè)始終走在全球科技變革的最前沿。2024年，臺(tái)積電（TSMC）正式啟動(dòng)2nm制程（N2）試產(chǎn)，每片晶圓的代工報(bào)價(jià)高達(dá)3萬(wàn)美元，再次引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。最新數(shù)據(jù)顯示，得益于存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)化，臺(tái)積電2nm制程自去年7月在新竹寶山晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)以來(lái)，良率從去年底的60%快速攀升至當(dāng)前的90%（256Mb SRAM）。從3nm節(jié)點(diǎn)的初期投產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)看，良率爬坡是一大挑戰(zhàn)。但憑借3nm節(jié)點(diǎn)200萬(wàn)片晶圓的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，將2nm工藝開(kāi)發(fā)周期壓縮至18個(gè)月，良率僅用9個(gè)月便從30%提升至60%，
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臺(tái)積電可能對(duì)1.6nm工藝晶圓漲價(jià)5成
- 隨著臺(tái)積電準(zhǔn)備在今年晚些時(shí)候開(kāi)始采用其 N2（2nm 級(jí)）工藝技術(shù)制造芯片，關(guān)于 N2 晶圓定價(jià)以及后續(xù)節(jié)點(diǎn)定價(jià)的傳言已經(jīng)出現(xiàn)。我們已經(jīng)知道，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃對(duì)使用其 N30,000 技術(shù)加工的晶圓收取高達(dá) 2 美元的費(fèi)用，但現(xiàn)在《中國(guó)時(shí)報(bào)》報(bào)道稱，該公司將對(duì)“更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)”收取每片晶圓高達(dá) 45,000 美元的費(fèi)用，據(jù)稱這指向該公司的 A16（1.6nm 級(jí)）節(jié)點(diǎn)。2nm 生產(chǎn)成本高“臺(tái)積電的 2nm 芯片晶圓代工價(jià)格已飆升至每片晶圓 30,000 美元，據(jù)傳 [更多] 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)將達(dá)到 45,000
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三星美國(guó)工廠進(jìn)退兩難
- 由于全球芯片供應(yīng)過(guò)剩削弱了早期的樂(lè)觀預(yù)期，三星計(jì)劃在美國(guó)德克薩斯州投資超過(guò)370億美元的半導(dǎo)體制造項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度滯后。據(jù)韓國(guó)業(yè)界消息，截至4月22日，三星電子位于德州泰勒市的工廠建設(shè)進(jìn)度已達(dá)99.6%，通常情況下應(yīng)開(kāi)始搬入設(shè)備，但三星目前仍在猶豫是否下單。自2022年動(dòng)工以來(lái)，泰勒工廠的建設(shè)時(shí)間表已多次推遲。該廠最初計(jì)劃于2024年下半年投入運(yùn)營(yíng)，后調(diào)整至2025年，2025年初又進(jìn)一步推遲至2026年。同時(shí)，三星在本土也推遲了部分工廠建設(shè)進(jìn)度，并在整體需求低迷的背景下縮減了投資。補(bǔ)貼面臨不確定性三星的泰勒
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傳臺(tái)積電2nm晶圓將飆升至每單位30美元，CSP巨頭急于2027之前采用
- 據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，隨著臺(tái)積電準(zhǔn)備在 2H25 年量產(chǎn) 2nm，據(jù)報(bào)道，2nm 晶圓價(jià)格已達(dá)到每單位 30,000 美元，未來(lái)節(jié)點(diǎn)的價(jià)格可能會(huì)飆升至 45,000 美元。報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，盡管成本高昂，但主要 CSP 將在未來(lái) 2 年內(nèi)效仿 AMD、NVIDIA 和 Broadcom 采用該節(jié)點(diǎn)。商業(yè)時(shí)報(bào)援引供應(yīng)鏈消息人士的話說(shuō)，開(kāi)發(fā)單個(gè) 2nm 芯片——從項(xiàng)目啟動(dòng)到最終輸出——成本高達(dá) 7.25 億美元。盡管如此，頂級(jí)玩家仍在潛入——正如該報(bào)告所指出的，AMD 的下一代 EPYC“Venice”是 4 月份在
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數(shù)字孿生技術(shù)助力晶圓廠，AI 工廠發(fā)展
- 從英偉達(dá)到眾多公司，廣泛采用數(shù)字孿生技術(shù)以推動(dòng)復(fù)雜制造工廠的開(kāi)發(fā)。臺(tái)積電正在使用其晶圓廠的數(shù)字孿生，而雅各布斯公司，包括英國(guó) PA 咨詢公司，正利用其在交通和水利系統(tǒng)方面的數(shù)字孿生專業(yè)知識(shí)來(lái)優(yōu)化人工智能數(shù)據(jù)中心。其他使用該技術(shù)的電子公司包括富士康、大立、緯創(chuàng)和華勤。臺(tái)積電正與一家人工智能驅(qū)動(dòng)的數(shù)字孿生初創(chuàng)公司合作，以優(yōu)化其新工廠的規(guī)劃和建設(shè)。在數(shù)字孿生中可視化這些優(yōu)化的布局，使規(guī)劃團(tuán)隊(duì)能夠主動(dòng)識(shí)別和解決設(shè)備碰撞問(wèn)題，理解系統(tǒng)相互依賴關(guān)系，并評(píng)估對(duì)空間和運(yùn)營(yíng)關(guān)鍵績(jī)效指標(biāo)的影響。它正在使用英偉達(dá)的 cuOpt
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晶圓片上的浪漫
- 清華電子工程系2001級(jí)校友甩出王炸校慶禮，硬核浪漫直接拉滿！8英寸晶圓片上，清華電子系把建系以來(lái)2.8萬(wàn)多個(gè)師生、校友的名字，拼成了電子系系徽。每個(gè)像素點(diǎn)都鐫刻著一個(gè)名字，掃碼就能找到自己名字的位置。來(lái)源｜清華大學(xué)小紅書(shū)該晶圓采用單晶硅襯底材料，晶圓表面通過(guò)金屬刻蝕和特殊薄膜加工工藝呈現(xiàn)出紫色的電子系系徽?qǐng)D案。在顯微鏡下可以看到，組成系徽?qǐng)D案的每個(gè)點(diǎn)實(shí)際上由電子系建系以來(lái)所有師生的一個(gè)個(gè)名字組成的。來(lái)源｜微信公眾號(hào)霧里發(fā)電
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臺(tái)積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國(guó)，以滿足當(dāng)?shù)乜蛻舻男枨?/a>
- 上個(gè)月臺(tái)積電（TSMC）宣布，有意增加1000億美元投資于美國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體制造，擴(kuò)大投資計(jì)劃包括了三座新建晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝設(shè)施、以及一間主要的研發(fā)團(tuán)隊(duì)中心。臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠名為Fab 21，前后花了大概五年時(shí)間才完成第一間晶圓廠。不過(guò)隨著項(xiàng)目的推進(jìn)，臺(tái)積電在當(dāng)?shù)氐脑O(shè)施建造速度變得更快。據(jù)TrendForce報(bào)道，臺(tái)積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國(guó)，以滿足當(dāng)?shù)乜蛻羧找嬖鲩L(zhǎng)的需求。臺(tái)積電正在確定FOPLP封裝的最終規(guī)格，以加快大規(guī)模生產(chǎn)的時(shí)間表。初代產(chǎn)品預(yù)計(jì)采用300mm x
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臺(tái)積電2nm馬上量產(chǎn)：工廠火力全開(kāi) 蘋(píng)果首發(fā)
- 3月31日消息，據(jù)媒體報(bào)道，位于新竹和高雄的兩大臺(tái)積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產(chǎn)基地，預(yù)計(jì)今年下半年正式進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。在前期試產(chǎn)中，臺(tái)積電已經(jīng)做到了高達(dá)60%的良率表現(xiàn)，待兩大工廠同步投產(chǎn)之后，月產(chǎn)能將攀升至5萬(wàn)片晶圓，最大設(shè)計(jì)產(chǎn)能更可達(dá)8萬(wàn)片。與此同時(shí)，市場(chǎng)對(duì)2nm芯片的需求持續(xù)高漲，最新報(bào)告顯示，僅2025年第三、四季度，臺(tái)積電2納米工藝即可創(chuàng)造301億美元的營(yíng)收，這一數(shù)字凸顯先進(jìn)制程在AI、高性能計(jì)算等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求。作為臺(tái)積電的核心客戶，蘋(píng)果將是臺(tái)積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者，預(yù)計(jì)iP
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 2nm 量產(chǎn) 蘋(píng)果首發(fā) 晶圓 GAAFET架構(gòu) 3nm FinFET
4月1日，臺(tái)積電正式接受2nm訂單
- 4月1日起，臺(tái)積電2nm晶圓的訂單通道將正式開(kāi)放，臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家透露，客戶對(duì)于2nm技術(shù)的需求甚至超過(guò)了3nm同期。蘋(píng)果有望率先鎖定首批供應(yīng)，根據(jù)知名蘋(píng)果供應(yīng)鏈分析師郭明錤的最新分析，2026年下半年上市的iPhone 18全系列將搭載的A20處理器或全球首發(fā)2nm工藝。而iPhone 17系列的A19芯片將采用臺(tái)積電第三代3nm工藝（N3P）制造，若A20芯片如期量產(chǎn)，A20芯片在性能和能效方面將有更顯著的提升。業(yè)內(nèi)人士分析，A20性能提升幅度或超歷代芯片迭代，同時(shí)還為蘋(píng)果下一步的折疊屏、屏下Fac
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消息稱臺(tái)積電4月1日開(kāi)放2nm晶圓訂單通道，目標(biāo)年底實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)5萬(wàn)片
- 3 月 24 日消息，據(jù)臺(tái)灣地區(qū)《中國(guó)時(shí)報(bào)》今日?qǐng)?bào)道，臺(tái)積電正在全力提升 2nm 產(chǎn)能，其位于高雄和寶山的工廠將是關(guān)鍵基地。高雄廠將于 3 月 31 日舉行擴(kuò)產(chǎn)典禮，首批晶圓預(yù)計(jì) 4 月底送達(dá)新竹寶山。4 月 1 日起，2nm 工藝的訂單通道將正式開(kāi)放，蘋(píng)果有望率先鎖定首批供應(yīng)，這一趨勢(shì)符合過(guò)往經(jīng)驗(yàn)。蘋(píng)果計(jì)劃采用臺(tái)積電 2nm 工藝打造 A20 芯片，該芯片將專為 iPhone 18 設(shè)計(jì)，并預(yù)計(jì)于 2026 年下半年發(fā)布。此外，包括 AMD、英特爾、博通和 AWS 在內(nèi)的眾多客戶也在排隊(duì)等待 2nm 產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 2nm 晶圓 蘋(píng)果 A20 iPhone 18 AMD 英特爾 博通 AWS
Intel首批18A工藝晶圓投產(chǎn)，大批量生產(chǎn)可能比預(yù)期更早
- Intel新CEO陳立武上任之際，Intel工廠傳出了捷報(bào)，位于亞利桑那州的新晶圓廠的Intel 18A工藝開(kāi)始初始批量生成，新工藝的量產(chǎn)計(jì)劃有望提早實(shí)現(xiàn)。Intel工程經(jīng)理Pankaj Marria在LinkedIn的帖子中以“雄鷹已著陸”為喻，強(qiáng)調(diào)這一節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)是先進(jìn)制程研發(fā)的重要里程碑。從中我們了解到Intel 18A節(jié)點(diǎn)已開(kāi)始批量生產(chǎn)首批晶圓，供客戶進(jìn)行測(cè)試與評(píng)估。這標(biāo)志著英特爾18A節(jié)點(diǎn)的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）正式進(jìn)入1.0版本，客戶已開(kāi)始利用該套件進(jìn)行定制芯片的測(cè)試。Intel 18
- 關(guān)鍵字： Intel 18A 晶圓
英特爾兩臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)已投產(chǎn)，單季完成3萬(wàn)片晶圓
- 據(jù)路透社2月24日?qǐng)?bào)道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國(guó)在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場(chǎng)會(huì)議上表示，英特爾已經(jīng)安裝的兩臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)正在其晶圓廠生產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)表明它們的可靠性大約是上一代光刻機(jī)的兩倍。Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻機(jī)能以更少曝光次數(shù)完成與早期設(shè)備相同的工作，從而節(jié)省時(shí)間和成本。英特爾工廠的早期結(jié)果顯示，High NA EUV 機(jī)器只需要一次曝光和“個(gè)位數(shù)”的處理步驟，即可完成早期機(jī)器需要三次曝光和約40個(gè)處
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]
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