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        晶圓 文章 最新資訊

        晶圓的另一面:背面供電領(lǐng)域的最新發(fā)展 探討晶圓背面的半導(dǎo)體新機(jī)遇

        • 至少出于性能原因,器件晶圓背面的空間看起來(lái)很有發(fā)展?jié)摿Α0央娫窜墢那岸艘频奖趁婵梢跃徑饩A正面的擁塞,實(shí)現(xiàn)單元微縮并減少電壓降。領(lǐng)先的半導(dǎo)體邏輯企業(yè)深知背面供電的優(yōu)勢(shì),正積極開發(fā)背面分布網(wǎng)絡(luò)。 ?作者:泛林集團(tuán) Semiverse? Solutions 半導(dǎo)體和工藝整合工程師 Sandy Wen
        • 關(guān)鍵字: 晶圓  薄膜  

        SEMI報(bào)告:2026年全球200mm晶圓廠產(chǎn)能將創(chuàng)記錄新高

        • 美國(guó)加州時(shí)間2023年9月19日,SEMI發(fā)布的《2026年200mm晶圓廠展望報(bào)告》(200mm Fab Outlook to 2026)顯示,預(yù)計(jì)在2023年到2026年,全球半導(dǎo)體制造商200mm晶圓廠產(chǎn)能將增加14%,新增12個(gè)200mm晶圓廠(不包括EPI),達(dá)到每月770多萬(wàn)片晶圓的歷史新高。功率化合物半導(dǎo)體對(duì)消費(fèi)、汽車和工業(yè)領(lǐng)域至關(guān)重要,是200mm投資的最大驅(qū)動(dòng)力。特別是電動(dòng)汽車的動(dòng)力總成逆變器和充電站的發(fā)展,預(yù)計(jì)隨著電動(dòng)汽車采用率的持續(xù)上升,將推動(dòng)全球200mm晶圓產(chǎn)能的增長(zhǎng)。SEMI總
        • 關(guān)鍵字: SEMI  晶圓  半導(dǎo)體  

        晶圓的另一面:背面供電領(lǐng)域的最新發(fā)展

        • 在我從事半導(dǎo)體設(shè)備的職業(yè)生涯之初,晶圓背面是個(gè)麻煩問(wèn)題。當(dāng)時(shí)發(fā)生了一件令我記憶深刻的事:在晶圓傳送的過(guò)程中,幾片晶圓從機(jī)器人刀片上飛了出來(lái)。收拾完殘局后,我們想到,可以在晶圓背面沉積各種薄膜,從而降低其摩擦系數(shù)。放慢晶圓傳送速度幫助我們解決了這個(gè)問(wèn)題,但我們的客戶經(jīng)理不太高興,因?yàn)樗麄儾坏貌幌蚩蛻艚忉層纱藢?dǎo)致的產(chǎn)量減少的原因。盡管初識(shí)晶圓背面的過(guò)程不太順利,但當(dāng)2010年代早期Xilinx Virtex-7系列FPGA發(fā)布時(shí),我開始更加關(guān)注這個(gè)領(lǐng)域。Xilinx的產(chǎn)品是首批采用“堆疊硅互連技術(shù)”的異構(gòu)集成
        • 關(guān)鍵字: 晶圓  背面供電  泛林  

        為下一代半導(dǎo)體鋪路,日本科學(xué)家用激光解決金剛石晶圓切片難題

        • IT之家 8 月 3 日消息,金剛石(鉆石的原石)是半導(dǎo)體行業(yè)有前景的材料之一,但由于將其切割成薄晶圓具有挑戰(zhàn)性,因此一直沒有大規(guī)模應(yīng)用。當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二,日本千葉大學(xué)官網(wǎng)發(fā)布消息,介紹了一項(xiàng)被稱為金剛石半導(dǎo)體新型激光切片技術(shù)的突破,使用激光脈沖將金剛石切割成薄片,號(hào)稱“為下一代半導(dǎo)體材料鋪平了道路”。千葉大學(xué)的一個(gè)研究小組開發(fā)了一種新的基于激光的技術(shù),號(hào)稱“可以毫不費(fèi)力地沿著最佳晶面切割金剛石”,可用于電動(dòng)汽車的高效功率轉(zhuǎn)換和高速通信技術(shù)。▲ 圖源日本千葉大學(xué)官網(wǎng)據(jù)介紹,包括金剛石在內(nèi)的大多數(shù)晶體
        • 關(guān)鍵字: 晶圓  半導(dǎo)體制造  

        ERS進(jìn)入中國(guó)的第六年:實(shí)驗(yàn)室落戶上海

        • 作為半導(dǎo)體從業(yè)者,我們都知道芯片制造程序大致有IC設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝三大環(huán)節(jié),每個(gè)環(huán)節(jié)都會(huì)影響到產(chǎn)品的好壞。總的來(lái)說(shuō),一顆設(shè)計(jì)完好的芯片的良率主要受到晶圓制造和封裝環(huán)節(jié)的影響,所以必須要通過(guò)測(cè)試環(huán)節(jié)來(lái)把控芯片質(zhì)量的優(yōu)劣。而半導(dǎo)體測(cè)試主要包括芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)中的設(shè)計(jì)驗(yàn)證、晶圓制造中的晶圓針測(cè)以及成品測(cè)試。晶圓針測(cè)通常發(fā)生在晶圓加工完成后,封裝工藝進(jìn)行前,主要用到的設(shè)備是探針臺(tái),用于晶圓的輸送與定位,使晶圓上的晶粒依次與探針接觸并逐個(gè)測(cè)試。通過(guò)電學(xué)參數(shù)檢測(cè)等,測(cè)試晶圓上每個(gè)晶粒的有效性,標(biāo)記異常的晶粒,減少后續(xù)
        • 關(guān)鍵字: ERS  封裝  晶圓  測(cè)試  卡盤  

        換號(hào)重練!英特爾的“翻身仗”

        • 英特爾對(duì)外宣布,晶圓代工業(yè)務(wù)將成為獨(dú)立部門。今后其需要在性能和價(jià)格上參與競(jìng)爭(zhēng),而英特爾的各產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門則將能夠自主選擇是否與第三方代工廠進(jìn)行合作。英特爾表示正在調(diào)整企業(yè)結(jié)構(gòu),介紹了內(nèi)部晶圓代工業(yè)務(wù)模式的轉(zhuǎn)變,計(jì)劃明年第一季將把晶圓代工事業(yè)(IFS)獨(dú)立運(yùn)作,在財(cái)報(bào)單獨(dú)列出損益
        • 關(guān)鍵字: 英特爾  晶圓  代工  臺(tái)積電  三星  

        格芯和意法半導(dǎo)體正式簽署法國(guó)12英寸半導(dǎo)體晶圓新廠協(xié)議

        • 中國(guó),2023年6月6日——全球排名前列、提供功能豐富產(chǎn)品技術(shù)的半導(dǎo)體制造商格芯(GlobalFoundries,簡(jiǎn)稱GF;納斯達(dá)克證交所代碼:GFS)和服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布,雙方于2022年7月公布的將在法國(guó)Crolles新建一個(gè)高產(chǎn)能半導(dǎo)體聯(lián)營(yíng)廠的合作,現(xiàn)正式完成協(xié)議簽署。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield博士表示:“我要向法國(guó)經(jīng)濟(jì)和財(cái)政部長(zhǎng)勒梅爾及其團(tuán)隊(duì)致謝,感謝他
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        3nm貴出天際 多家客戶推遲訂單 臺(tái)積電喊話:別怕漲價(jià) 在想辦法了

        • 5月12日消息,臺(tái)積電去年底已經(jīng)量產(chǎn)了3nm工藝,今年會(huì)大規(guī)模放量,蘋果依然會(huì)首發(fā)3nm,但是臺(tái)積電的3nm工藝代工成本不菲,很多廠商也吃不消。此前數(shù)據(jù)顯示,從10nm開始,臺(tái)積電的每片晶圓價(jià)格開始瘋狂增長(zhǎng),2018年的7nm晶圓每片價(jià)格飆升至10000美元,2020年的5nm工藝晶圓每片價(jià)格突破16000美元。而到了3nm工藝,這個(gè)數(shù)字就達(dá)到了20000美元,約合14萬(wàn)人民幣,而且這還是基準(zhǔn)報(bào)價(jià),訂單量不夠的話價(jià)格會(huì)更高。這也導(dǎo)致除了蘋果之外,其他客戶,如AMD、NVIDIA、高通、聯(lián)發(fā)科等,要么推遲3
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        臺(tái)積電貴出天際 谷歌手機(jī)處理器仍用三星4nm

        • 5月8日消息,臺(tái)積電是全球最大最先進(jìn)的晶圓代工廠,然而代工價(jià)格也是業(yè)界最貴的,特別是先進(jìn)工藝代工,5nm芯片代工要1.7萬(wàn)美元,3nm等下一代工藝更是貴出天際,除了蘋果之外其他廠商很難跟進(jìn)。谷歌的安卓親兒子Pixel系列也使用了三星、谷歌合作的Tensor G系列處理器,今年是Tensor G3系列,基于三星的芯片改進(jìn),生產(chǎn)工藝也是三星的4nm工藝,沒用上臺(tái)積電4nm,盡管后者的能效可能更好。傳聞稱明年的Tensor G4會(huì)改用谷歌自研架構(gòu),并轉(zhuǎn)向臺(tái)積電的4nm工藝代工,再往后的Tensor G5甚至?xí)?/li>
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        AMD將選擇雙晶圓代工廠模式:部分訂單從臺(tái)積電轉(zhuǎn)移到三星

        • AMD已與三星電子簽署協(xié)議,計(jì)劃從臺(tái)積電轉(zhuǎn)移部分4nm處理器業(yè)務(wù)到三星。傳聞AMD正在調(diào)整代號(hào)Phoenix的Ryzen 7040系列的設(shè)計(jì),以適應(yīng)三星的4nm工藝。
        • 關(guān)鍵字: AMD  晶圓  代工  臺(tái)積電  三星  

        (2023.4.3)半導(dǎo)體周要聞-莫大康

        • 半導(dǎo)體周要聞2023.3.27-2023.3.311.  2023華為即將熬過(guò)冬天年報(bào)顯示,華為2022年總營(yíng)收為6423億元,微增0.9%,與去年基本持平;凈利潤(rùn)356億元,同比下降68.7%;研發(fā)費(fèi)用投入約1615億元,占全年收入的25.1%,創(chuàng)歷史新高。受利潤(rùn)下滑及研發(fā)投入持續(xù)加大的影響,華為2022年經(jīng)營(yíng)活動(dòng)現(xiàn)金流大幅下滑,為178億元,同比下降70.2%;凈現(xiàn)金存量共1763億元,同比下降26.9%。華為對(duì)組織管理架構(gòu)進(jìn)行了變革。自2022年1月1日起,華為將以往的三個(gè)經(jīng)營(yíng)分
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  晶圓  華為  

        SEMI:2026 年晶圓代工廠 12 英寸晶圓產(chǎn)能將創(chuàng)歷史新高

        • 全球半導(dǎo)體制造商預(yù)計(jì)將在 2026 年將 300 毫米晶圓廠的產(chǎn)能提高到每月 960 萬(wàn)片晶圓的歷史新高。
        • 關(guān)鍵字: 晶圓  

        美國(guó)晶圓產(chǎn)能要暴漲45倍 占全球9%

        • 隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)需求疲軟,以及多家芯片制造商紛紛削減資本支出,預(yù)計(jì)今年12吋晶圓廠產(chǎn)能增加將趨緩,增幅將只有約6%。不過(guò),從長(zhǎng)期來(lái)看,國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)預(yù)期,到2026 年,全球12吋晶圓月產(chǎn)能將達(dá)達(dá)到960萬(wàn)片,創(chuàng)下歷史新高。其中,美國(guó)產(chǎn)能在全球的占比將自2022年的0.2%,大幅提升45倍至近9%。中國(guó)大陸也將自2022年的22%,提升至25%。SEMI表示,全球12吋晶圓廠產(chǎn)能分別于2021年及2022年強(qiáng)勁成長(zhǎng)11%及9%,2023年因存儲(chǔ)芯片及邏輯元件需求疲軟影響,成長(zhǎng)可能趨緩,增幅將
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  晶圓  芯片  

        本土晶圓缺口大,芯片大廠砸逾450億擴(kuò)產(chǎn)!

        • 據(jù)華虹半導(dǎo)體最新公告,公司、華虹宏力、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金II及無(wú)錫市實(shí)體(無(wú)錫錫虹國(guó)芯投資有限公司)于2023年1月18日訂立了合營(yíng)協(xié)議及合營(yíng)投資協(xié)議。根據(jù)合營(yíng)協(xié)議,華虹半導(dǎo)體、華虹宏力、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金II及無(wú)錫市實(shí)體有條件同意透過(guò)合營(yíng)公司成立合營(yíng)企業(yè)并以現(xiàn)金方式分別向合營(yíng)公司投資8.8億美元、11.7億美元、11.66億美元及8.04億美元。合營(yíng)公司將從事集成電路及采用65/55nm至40nm工藝的12英寸(300mm)晶圓的制造及銷售。其業(yè)務(wù)的總投資將達(dá)到67億美元(約合人民幣454.56億元
        • 關(guān)鍵字: 晶圓  芯片  

        臺(tái)積電的3nm:高通不敢用了

        • 按照正常邏輯,高通下一代驍龍8 Gen3升級(jí)3nm將順利成章,但會(huì)不會(huì)繼續(xù)由口碑很好的臺(tái)積電代工,似乎還懸而未決。其中一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題在于,臺(tái)積電3nm晶圓的報(bào)價(jià)是2萬(wàn)美元/片,比5nm貴了20%。高通測(cè)算后發(fā)現(xiàn),對(duì)于自己這意味著數(shù)百萬(wàn)美元的成本增加。即便高通能接受,其下游客戶也就是手機(jī)廠商們很難吃得消。三星那邊雖然便宜,可還在良率提高一事上苦苦掙扎,能否盡早完成,有待觀察。
        • 關(guān)鍵字: 高通  3nm  驍龍8  晶圓  
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        晶圓介紹

        晶圓  晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解,再于融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]

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