據韓媒報道，根據三星電子晶圓代工業務制定的年度計劃，該部門今年的設備投資預算將僅剩5萬億韓元（約合人民幣254億元），較2024年的10萬億韓元直接砍半。而三星晶圓代工業務在2021~2023年的投資高峰期每年的設備投資規模可達15~20萬億韓元。據了解，三星晶圓代工業務今年的投資重點將放在華城 S3 工廠的 3nm->2nm 工藝轉換和平澤 P2 工廠的 1.4nm 測試線上，還將對美國泰勒市晶圓廠進行小規模基礎設施投資。
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1月13日消息，據媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數據顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據行業消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應，導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施，當時
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世界先進及恩智浦半導體（NXP）于今年9月成立之VSMC合資公司，4日在新加坡淡濱尼舉行12吋晶圓廠動土典禮，該晶圓廠將于2027年開始量產，2029年月產能預計將達5.5萬片12吋晶圓。世界先進暨VSMC董事長方略表示，新加坡不僅是亞洲的經濟樞紐，更是科技創新的高地，世界先進在新加坡興建首座12吋晶圓廠，將延續核心經營理念，提供特殊集成電路晶圓制造的專業服務，并為未來發展奠定堅實基礎。這座新廠不僅將為半導體產業做出貢獻，更將為當地高科技產業注入強勁動能。方略日前也指出，世界先進近年持續策略轉型，氮化鎵今
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據珠海高新區官微消息，近日，珠海華芯微電子有限公司（以下簡稱“華芯微電子”）首條6寸砷化鎵晶圓生產線正式調通，并生產出第一片6寸2um砷化鎵HBT晶圓，將于2025年上半年實現大規模量產。據悉，該晶圓具備高增益、高效能的特性，可應用于先進5G Phase 7/8手機功率放大器模組以及Wi-Fi 6/7等設備。這一產品的成功推出，不僅進一步豐富了華芯微電子的產品線，也為其在射頻芯片國產化制造領域樹立了新的里程碑。華芯微電子于2023年在珠海高新區成立，系華芯（珠海）半導體有限公司旗下子公司，專注于化合物半導
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根據韓國三星證券初步的預測數據顯示，三星3nm GAA制程的良率約為20%，比可達成大規模生產的建議值低了三倍。因訂單量不足關閉代工生產線進入5nm制程時，三星晶圓代工業務就因為無法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Gen 3的獨家代工訂單，高通的訂單全給了臺積電，同樣上個月最新推出的3nm芯片驍龍 8 Gen 4也是由臺積電代工。為了滿足客戶需求，三星并不堅持使用自家代工廠，即將發布的三星Galaxy 25系列手機全系醬搭載驍龍 8 至尊版芯片，放棄自研Exynos2500版本。目前在代工領域，臺積電拿
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據彭博社援引消息稱，臺積電美國亞利桑那州晶圓廠項目首座工廠4nm產線的試產良率已與臺積電位于臺灣地區的南科廠良率相近。臺積電在回應彭博社報道的電子郵件中表示，其亞利桑那州項目“正在按計劃進行，進展良好”。根據此前的信息顯示，臺積電美國亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月中旬完成了第一條生產線的架設，并開始接電并投入基于4nm制程進行工程測試晶圓的生產，而根據彭博社最新的報道來看，基于該生產線的第一批試產的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當，那么表明其后續如果量產，良率將不是問題。根據規劃，臺積電將在美國亞利
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英特爾正在經歷其最艱難的時期，今年第二季度的財報表現糟糕，市值已經跌破1000億美元。相比之下，目前，英偉達市值已接近3萬億美元。為了扭轉不利的處境，在二季度的財報中，英特爾宣布將暫停股息支付、精簡運營、大幅削減支出和員工數量：2024年非美國通用會計準則下的研發、營銷、一般和行政支出將削減至約200億美元，2025年減至約175億美元，預計2026年將繼續削減，作為削減支出計劃一部分的裁員，預計將裁減超過15%的員工，其中的大部分將在今年年底前完成。外媒援引知情人士的透露報道稱，已宣布裁員、削減支出的英
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根據市場調查機構Counterpoint Research最新《晶圓代工季度追蹤》報告指出，2024年第二季度全球晶圓代工行業的營收環比增長9%，同比增長23%。盡管整個邏輯半導體市場復蘇相對緩慢，但全球晶圓代工市場數據已有明顯的復蘇跡象。
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8月12日消息，作為美國最大的芯片制造商，英特爾可能依然能夠生存下去，但具體以何種形式則尚不明確。到了2024年，盡管英特爾的實力大幅減弱，但作為一個巨大的半導體制造商，它可能還是“大而不能倒”。本月英特爾發布的第二季度財報令人失望，使這家芯片巨頭的困境和不確定的前景更加凸顯。面對關鍵市場銷售額的下滑與制造轉型所需高昂成本的雙重壓力，英特爾不得不采取更為激進的成本控制措施來節省資金。這些措施包括裁減15%的員工、大幅削減用于建設和配備生產設施的資本支出，以及暫停自1992年以來一直發放的股息。英特爾的最新
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消費電子市場的復蘇拉動晶圓代工廠業績進一步回暖。8月8日晚，國內最大的集成電路代工企業中芯國際（688981.SH）公布了第二季度業績。期內，銷售收入
19.013億美元（約136.35億元人民幣），環比增長8.6%，同比增長21.8%；凈利潤1.646億美元（約
11.8億元人民幣），環比增長129.2%，同比減少59.1%。第二季度毛利率為13.9%，今年第一季度毛利率為13.7%。產能利用率也進一步爬升至85.2%，第一季度為80.8%，環比提升四個百分點。中芯國際管理層表示，二季度的銷售收
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8 月 7 日消息，隨著電子設備不斷小型化和性能要求的提升，芯片中的晶體管數量持續增加，尺寸日益縮小，同時也帶來了新的技術挑戰，尤其是在介質材料方面。經過多年研究攻關，中國科學院上海微系統與信息技術研究所成功研制出一種人造藍寶石作為絕緣介質的晶圓，為開發低功耗芯片提供了重要的技術支撐。相關成果今日已發表在國際學術期刊《自然》上（DOI:10.1038/s41586-024-07786-2）。電子芯片中的介質材料主要起到絕緣的作用，但當傳統的介質材料厚度減小到納米級別時，其絕緣性能會顯著下降，導致電流泄漏。
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英特爾在2024年第二季度財報中呈現出全面虧損的態勢，實現營收128.33億美元（低于市場預期的129.4億美元），同比下降1%；凈利潤為-16.54億美元（遠不及市場預期的-5.4億美元），2023年同期凈利潤14.73億美元，同比轉虧；毛利率35.4%，遠低于市場預期（42.1%），而上一季度的毛利率為41%，也低于2023年同期的35.8%。AI PC產品的增加、Intel 4和3芯片晶圓從俄勒岡州工廠過渡至愛爾蘭工廠的成本，以及其他非核心業務的費用等因素是導致毛利率暴跌的主要原因，營收的微降和毛利
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8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現2nm以下先進制程大規模量產的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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6月21日消息，據日媒報道，在CoWoS訂單滿載、積極擴產之際，臺積電也準備要切入產出量比現有先進封裝技術高數倍的面板級扇出型封裝技術。而在此之前，英特爾、三星等都已經在積極的布局面板級封裝技術以及玻璃基板技術。報道稱，為應對未來AI需求趨勢，臺積電正與設備和原料供應商合作，準備研發新的先進封裝技術，計劃是利用類似矩形面板的基板進行封裝，取代目前所采用的傳統圓形晶圓，從而能以在單片基板上放置更多芯片組。資料顯示，扇出面板級封裝（FOPLP）是基于重新布線層（RDL）工藝，將芯片重新分布在大面板上進行互連的
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自比利時微電子研究中心（imec）官網獲悉，6月18日，在2024 IEEE VLSI技術與電路研討會（2024 VLSI）上，imec首次展示了具有堆疊底部和頂部源極/漏極觸點的CMOS CFET器件。雖然這一成果的兩個觸點都是利用正面光刻技術獲得，但imec也展示了將底部觸點轉移至晶圓背面的可能性——這樣可將頂部元件的覆蓋率從11%提升至79%。從imec的邏輯技術路線圖看，其設想在A7節點器件架構中引入CFET技術。若與先進的布線技術相輔相成，CFET有望將標準單元高度從5T降低到4T甚至更低，而不
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [
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