12 月 20 日消息，據 TheElec 報道，韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應 HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱，博通計劃從 SK 海力士采購存儲芯片，并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM，SK 海力士肯定會調整其 DRAM 產能預測。這家公司計劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產能擴大到 14~15 萬片（IT之家注：單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
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存儲芯片 SK海力士 HBM
12 月 5 日消息，據 Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優化。本次調整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據核心職能分工明確責任與權限，業務單元被劃分為包括 AI 基礎設施（CMO）、未來技術研究院（CTO）、研發（CDO）和生產（CPO）在內的五大部門。據介紹，新設的 AI 芯片開發部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發能力，著眼于下一代 AI 內存等
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SK海力士 內存 NAND
12月2日消息，據韓國媒體報道， 在全球內存市場上長期競爭的三星電子和SK海力士，近日出人意料地結成聯盟，共同推動LPDDR6-PIM內存的標準化。這也意味著兩家公司在面對AI內存技術商業化的共同挑戰時，愿意擱置競爭，共同推動行業標準的制定。雙方合作旨在加速專為人工智能優化的低功耗內存技術的標準化進程，以適應設備內AI技術的發展。隨著設備內AI技術的興起，PIM內存技術越來越受到重視。PIM技術通過將存儲和計算結合，直接在存儲單元進行計算，有效解決了傳統芯片在運行AI算法時的“存儲墻”和“功耗墻
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2024年11月21日，SK海力士宣布，開始量產全球最高的321層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND閃存。SK海力士表示：“公司從2023年6月量產當前最高的上一代238層NAND閃存產品，并供應于市場，此次又率先推出了超過300層的NAND閃存，突破了技術界限。計劃從明年上半年起向客戶提供321層產品，由此應對市場需求。”公司在此次產品開發過程中采用了高生產效率的“3-Plug*”工藝技術，克服了堆疊局限。該技術分三次進行通孔工藝流程，隨后經
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SK海力士 321層 NAND閃存
11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內存。該產品可實現 48GB 的單堆棧容量，預計明年初出樣。雖然一般認為 16 層堆疊 HBM 內存直到下一世代 HBM4 才會正式商用，但參考內存領域 IP 企業 Rambus 的文章，HBM3E 也有擴展到 16 層的潛力。此外注意到，SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學術會議準備的論文中也提到了可實現 1280G
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SK海力士 內存 HBM3E
獲悉，周四，SK海力士公布了創紀錄的季度利潤和營收，這反映出市場對與英偉達(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開發的存儲芯片的強勁需求。作為英偉達的供應商，這家韓國存儲芯片巨頭第三季度的營業利潤達到7.03萬億韓元(51億美元)，上年同期為虧損1.8萬億韓元，高于分析師預期的6.9萬億韓元。營收大增94%，達到17.6萬億韓元，而市場預期為18.2萬億韓元。今年以來，SK海力士股價累計上漲逾35%，原因是該公司在設計和供應為英偉達人工智能加速器提供動力的尖端高帶寬內存(HBM)方面擴大了對三星電子(S
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AI HBM SK海力士
SK 海力士宣布，已開始量產 12H HBM3E 芯片，實現了現有 HBM 產品中最大的 36GB 容量。
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SK海力士 HBM3E
設想一下，如果沒有了智能手機、電腦或互聯網，世界會變成怎樣？顯而易見，缺失這些必需品的生活是無法想象的。然而，如果沒有半導體作為推動眾多科技發展的引擎，世界無疑便會陷入無法想象的境地。盡管半導體芯片在生活中很常見，但它們的起源、用途、意義等仍然鮮為人知。時至今日，半導體世界仍有許多知識鮮為人知。作為現代科技的核心，芯片可謂是推動科技發展背后的隱藏力量，然而很少有人目睹這些先進設備是如何在工廠中被精心制造出來的。為了更深入地了解半導體產業和應用領域，本期半導體綜述系列文章將深入探討芯片生產工廠及屬地，并探索
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SK海力士 半導體
2024年9月26日，SK海力士宣布，公司全球率先開始量產12層HBM3E新品，實現了現有HBM*產品中最大**的36GB（千兆字節）容量。公司將在年內向客戶提供產品，繼今年3月全球率先向客戶供應8層HBM3E后，僅時隔6個月再次展現出其壓倒性的技術實力。 SK海力士強調:“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E)，
公司是唯一一家開發并向市場供應全系列HBM產品的企業。公司業界率先成功量產12層堆疊產品，不僅滿足了人工智能企業日益發展的需求，
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SK海力士 12層 堆疊HBM3E
2024年9月23日，SK海力士宣布，公司已將用于優化CXL*（Compute Express Link）存儲器運行的自研軟件異構存儲器軟件開發套件（HMSDK）*中主要功能成功搭載于全球最大的開源操作系統Linux*上。SK海力士表示：“CXL作為繼HBM之后的下一代面向AI的存儲器產品而備受矚目，公司自主研發的CXL優化軟件HMSDK，其性能已獲得國際認可，并成功應用于全球最大的開源操作系統Linux中。這標志著不僅是如HBM等超高性能硬件實力方面，公司的軟件競爭力也獲得廣泛認可，具有重大意義。”未來
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采用第五代PCIe，較上一代產品性能提高一倍，能效提升30%以上· 經客戶驗證后，將于明年第二季度開始量產· 增強數據中心的SSD產品組合，滿足多樣化客戶需求· “不僅在HBM領域，同時在NAND閃存解決方案SSD產品領域，鞏固全球頂級面向AI的存儲器供應商領導者地位”2024年9月11日，SK海力士宣布，公司開發出適用于數據中心的高性能固態硬盤（SSD，Solid State Drive）產品“PEB110 E1.S”（以下簡稱 PEB110）。SK海力士表示：“隨著AI時代的全面到
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SK海力士 數據中心 固態硬盤 PEB110 E1.S
2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士強調：“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c
DDR5 DRAM的量產準備，從明年開始供應產品，引領半導體存儲器市場發展。”公司以1b DRAM
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SK海力士 第六代 10納米級 DDR5 DRAM
8月15日消息，日前，SK海力士副總裁Kang Wook-seong透露，公司已經開始將HBM引入汽車半導體，Waymo已搭載SK海力士的HBM2E。Kang Wook-seong表示，目前，汽車DRAM半導體正在從LPDDR 4轉向LPDDR 5，HBM最快三年內、最遲五年內將成為主流。他預測表示，當自動駕駛L3、L4級普及時，對HBM的需求將迅速增加，更高的計算能力對于L2.5級或更高級別的自動駕駛至關重要，HBM3在一塊芯片上每秒計算1TB，能夠滿足要求。根據外媒報道，SK海力士已向上游設備企業訂購
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三星去年10月就向英偉達提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過一直沒有通過英偉達的測試。此前有報道稱，已從多家供應鏈廠商了解到，三星的HBM3E很快會獲得認證，將在2024年第三季度開始發貨。據The Japan Times報道，三星的HBM3E終于通過了英偉達的所有測試項目，這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達還沒有最終確定供應協議，但是問題不大，預計今年底開始交付。值得一提的是，三星還有更先進的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品
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IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產準備，2026 年二季度正式啟動大規模生產。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現量產。▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業界平均水平。IT之家注：從代際發布間隔
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