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        第六代 文章 進入第六代技術社區

        修改部分設計,三星第六代10納米級1cDRAM延后半年

        • 韓國媒體MeyyToday報導,存儲器大廠三星將第六代10納米級1cDRAM制程開發延后六個月到6月才完成。 三星之前宣稱第六代10納米級1cDRAM制程2024年底開發完并量產,但良率沒有提升,導致時程再延后半年,這會使預定下半年量產的第六代高頻寬存儲器(HBM4)一并延后。報導引用市場人士說法,三星第六代10納米級1c DRAM制程遇到困難。 盡管市場在2024年底左右,獲得了三星送交的第一個測試芯片,但因為無法達到預期的良率,因此將預定開發完成的時間延后六個月。 而在這六個月中,三星
        • 關鍵字: 三星  第六代  10納米  1cDRAM  

        SK海力士成功開發出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM

        • 2024年8月29日,SK海力士宣布,全球首次成功開發出采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展現了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士強調:“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳,微細工藝的難度也隨之加大,但公司以通過業界最高性能得到認可的第五代(1b)技術力為基礎,提高了設計完成度,率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產準備,從明年開始供應產品,引領半導體存儲器市場發展。”公司以1b DRAM
        • 關鍵字: SK海力士  第六代  10納米級  DDR5 DRAM  
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        第六代介紹

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