IT之家?10 月 26 日消息,全球第二大內存芯片制造商 SK 海力士公司表示,人工智能的熱潮將推動芯片利潤增長,該公司在第三季度的虧損比上一季度大幅縮小。該公司在周四表示,用于人工智能的高級芯片的強勁需求,緩解了由于智能手機和電腦等設備中使用的普通芯片需求持續低迷而造成的影響。SK 海力士表示,其銷售用于科技設備的 DRAM 芯片的業務,在第三季度重新盈利,而今年前兩個季度都是虧損的。該芯片制造商在一份聲明中說:“DRAM 業務…… 預計隨著生成型人工智能的繁榮而繼續改善。仍然虧損的 NAN
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SK海力士 人工智能 內存
SK海力士25日宣布,
公司開始推進"LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)
DRAM"的商用化*,其目前移動DRAM中可實現9.6Gbps(每秒9.6千兆)最高速度。SK海力士表示,最近獲得了將LPDDR5T
DRAM適用于美國高通技術公司(Qualcomm Technologies,以下簡稱高通)最新第三代驍龍8移動平臺(Snapdragon?8
Gen 3 Mobile Platform)的業內首次認證。 SK
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SK海力士 LPDDR5T 移動DRAM
10月9日,韓國總統辦公室通報,美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準的情況下,三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導體設備,該決定一經通報即生效。據悉,無限期豁免將通過更新Validated End-User(VEU)清單來取得。若被納入該清單,便無需額外獲得許可,代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示,“通過與相關政府的密切協調,與我們在中國的半導體生產線運營有關的不確定性已大大消除。”SK海力士則表示,“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規定的豁免。我們相信,這一決定將
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三星 SK海力士 NAND DRAM 半導體設備
韓國總統辦公室通報,美國同意無限期豁免三星電子和SK海力士向其在華工廠提供半導體設備,無需其它許可。據央視新聞客戶端,當地時間10月9日,韓國總統辦公室經濟首席秘書崔相穆在記者會上表示,美國同意無限期豁免三星電子和SK海力士向其在華工廠提供半導體設備,無需其它許可。
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三星 SK海力士
因智能手機、PC 需求疲弱,存儲器需求預估將呈現大幅減少、邏輯需求萎縮
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三星 SK海力士
據說 HBM3E DRAM 速度更快、容量更高、散熱更好且易于兼容。
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SK海力士 英偉達
· ASPICE 面向汽車供應商,認證其最佳實踐整合可滿足 OEM 軟件開發質量要求· 西門子 Polarion ALM 應用程序生命周期管理解決方案助力 SK 海力士通過 ASPICE 二級認證,獲得關鍵競爭優勢 西門子數字化工業軟件日前宣布,領先的半導體供應商 SK 海力士通過部署西門子 Polarion? ALM 應用程序生命周期管理解決方案,成功通過韓國首個 ASPICE 汽車半導體軟件質量認證。ASPICE (Au
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5月30日消息,雖然存儲芯片市場不景氣,但人工智能有巨大的需求,這將使三星、SK海力士等公司受益。5月24日,英偉達發布財報,公司市值在兩天內暴漲2070億美元。此前,半導體行業一直處于低迷狀態,這份財報預測給了人們極大的信心和希望。如果人工智能領域迎來騰飛時刻,像微軟這樣的傳統科技巨頭以及OpenAI等初創企業就會尋求三星、SK海力士等公司的幫助。機器學習需要內存芯片來處理大量的數據,分析視頻、音頻和文本,并模擬人類的創造力。實際上,人工智能公司可能會購買比以往更多的DRAM芯片。內存芯片需求如此之大的
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5月4日消息,集邦咨詢最新的一份報告指出,去年10月,美國商務部對中國實施新的禁令,不允許進口18nm及更先進工藝的DRAM內存芯片制造設備,對于廠商的布局也產生了深遠影響。SK海力士位于無錫的工廠雖然獲得了一年的寬限期,但考慮到未來風險,以及市場需求疲軟, SK海力士選擇在2023年第二季度將無錫工廠的月產能削減30%。SK海力士原計劃將無錫工廠的制造工藝從1Ynm升級為1Znm,并減少“成熟工藝”的產能。但在美國禁令發出后, SK海力士選擇了提高21nm成熟工藝的產能,并專注于DD
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受經濟逆風、消費電子需求低迷、存儲芯片價格下跌等因素影響,存儲大廠普遍業績承壓,三星電子公布的最新財報同樣如此。三星存儲業務下滑,DRAM、NAND Flash表現不同4月27日,三星電子公布 2023 年第一季度的財報。一季度三星營業收入為 63.7 萬億韓元,同比下降 18%;營業利潤為6400億韓元,同比下降95%。該季三星DS部門業務收入13.73萬億韓元,同比下滑49%,環比下降32%。其中存儲業務部門收入8.92萬億韓元,同比下降56%,環比下跌27%。三星表示,存儲器業務的業績與上一季度相比
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2023年4月20日, SK海力士宣布,再次超越了現有最高性能DRAM(內存)——HBM3*的技術界限,全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片,成功開發出最高容量24GB(Gigabyte,千兆字節)**的HBM3 DRAM新產品,并正在接受客戶公司的性能驗證。SK海力士強調“公司繼去年6月全球首次量產HBM3 DRAM后,又成功開發出容量提升50%的24GB套裝產品。”,“最近隨著人工智能聊天機器人(AI Chatbot)產業的發展,高端存儲器需求也隨之增長,公司將從今年下半年起將其推向市場,以滿足
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SK海力士 堆疊HBM3 DRAM
AI服務器出貨動能強勁帶動HBM(high bandwidth
memory)需求提升,據TrendForce集邦咨詢研究顯示,2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士(SK
hynix)50%、三星(Samsung)約40%、美光(Micron)約10%。此外,高階深度學習AI
GPU的規格也刺激HBM產品更迭,2023下半年伴隨NVIDIA H100與AMD
MI300的搭載,三大原廠也已規劃相對應規格HBM3的量產。因此,在今年將有更多客戶導入HBM3的預期下,SK海力士作為目
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當地時間4月4日,Rambus宣布,與SK海力士的全面專利許可協議延長10年。據悉,該延長的協議將于2024年7月1日生效,保持類似的財務條款,在2034年中期之前SK海力士可以廣泛使用完整的Rambus專利組合。資料顯示,Rambus是一家知名的芯片IP和芯片提供商,成立于1990年。Rambus創建之初便致力于高端存儲產品的研究與開發,擁有數千項專利。2013年,SK海力士和Rambus簽訂了一個為期5年的專利授權協議,SK海力士向Rambus支付2.4億美元的專利授權費,按照每季度1200萬美元的方
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韓國貿易部周三表示,即使在華盛頓提議的旨在防止美國補貼在中國使用的規則實施之后,但三星電子和 SK 海力士將能夠維護和升級其在中國的制造設施——盡管幅度很小。美國商務部周二宣布,將限制《芯片與科學法案》資金的接受者在包括中國和俄羅斯在內的“相關國家”投資擴大半導體制造。 但該限制并非完全禁止在中國投資,因為該部門允許接受公司將先進芯片的產能擴大 5%,將采用相對較舊制造工藝生產的芯片產能擴大 10%。 貿易、工業和能源部在審查了所謂的芯片護欄細節和去年通過的
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