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        三星8層堆疊HBM3E已通過英偉達所有測試,預計今年底開始交付

        作者: 時間:2024-08-09 來源:超能網 收藏

        去年10月就向提供了8層垂直堆疊的(24GB)樣品,不過一直沒有通過的測試。此前有報道稱,已從多家供應鏈廠商了解到,很快會獲得認證,將在2024年第三季度開始發貨。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202408/461826.htm

        據The Japan Times報道,終于通過了的所有測試項目,這將有利于其與和美光爭奪英偉達計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達還沒有最終確定供應協議,但是問題不大,預計今年底開始交付。

        值得一提的是,三星還有更先進的12層垂直堆疊HBM3E(32GB)樣品,正在努力通過英偉達的驗證測試。有行業專業指出,也準備了12層垂直堆疊的HBM3E產品,三星總體進度上仍然要落后一些。一直是英偉達主要的HBM產品供應商,而美光之前已開始向英偉達供應HBM3E芯片,逐漸提升了市場占有率。

        隨著人工智能()市場的快速增長,HBM技術通過垂直堆疊多個DRAM芯片來顯著提高數據處理速度,已經變得越來越重要。隨著三星的HBM3E開始通過英偉達的驗證,預計至少20%到30%的產能轉移到HBM產品,這將進一步收縮普通DRAM芯片的供應,很可能會推動DDR5內存價格上漲。



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