2月17日消息，據韓國媒體報道，韓國半導體巨頭SK海力士已開始緊急審查其使用的中國半導體電子設計自動化（EDA）軟件，以應對美國可能出臺的新政策。這些政策可能會限制韓國半導體公司使用中國軟件，業界人士透露，SK海力士正在評估其使用的中國EDA軟件是否符合未來政策要求。EDA軟件被稱為“芯片之母”，是芯片設計和制造過程中不可或缺的工具，用于模擬各種電路設計并預測結果。目前，EDA市場主要由美國公司主導，包括新思科技（Synopsys）、益華電腦（Cadence）和Siemens EDA，這些公司的市場占有率
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2月16日消息，據調研機構Counterpoint的最新報告，全球半導體市場（包括存儲產業）在2024年預計將實現強勁復蘇，全年營收同比增長19%，達到6210億美元。這一增長主要得益于人工智能技術需求的大幅增加，尤其是內存市場和GPU需求的持續推動。從廠商來看，三星電子以11.8%的市場份額位居全球第一，隨后分別是SK海力士（7.7%）、高通（5.6%）、博通（5%）、英特爾（4.9%）、美光（4.8%）、英偉達（4.3%）、AMD（4.1%）、聯發科（2.6%）和西部數據（2.5%）。需要注意的是，此
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據報道，NAND閃存在2025年將繼續面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執行減產計劃。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態度。長期的價格疲軟無疑將進一步壓縮企業的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進的減產措施，將NAND閃存產量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時，N
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2月13日消息，據報道，NAND閃存在2025年將繼續面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執行減產計劃。其中三星在去年末已經決定削減西安工廠的NAND閃存產量，減少10%以上，另外還調低了韓國華城12號和17號生產線的產量，以進一步降低整體產量。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態度。長期的價格疲軟無疑將進一步
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全球NAND閃存價格已連續四個月下跌，為應對這一不利局面，廠商開始減產以平衡供求，進而穩定價格。美光率先宣布將減產，隨后三星也被曝出將調整其韓國本土的NAND產量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產量。
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2024財年全年營收為66.1930萬億韓元，營業利潤為23.4673萬億韓元，凈利潤為19.7969萬億韓元·2024年第四季度營收為19.7670萬億韓元，營業利潤為8.0828萬億韓元，凈利潤為8.0065萬億韓元·隨著HBM、eSSD等面向AI的存儲器銷售增長，營收和營業利潤均創下了季度和年度歷史新高·“以差別化的AI應用產品競爭力、盈利為主的經營活動，證實了穩定盈利的可能性”2025年1月23日，SK海力士發布截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務報告。公司2024財年營業收入為
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據韓媒報道，近日，SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產品認證，連續多個以25塊晶圓為單位的批次在質量和良率上均達到要求，預計SK海力士將在2月初正式啟動1c納米DRAM的量產。據了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功實現1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內存開發。SK海力士曾表示，1c工藝技術將應用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進的DRAM主力產品群，進一步鞏固其在內存市場的領先地位。
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1月13日消息，據媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數據顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據行業消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應，導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施，當時
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1 月 3 日消息，SK 海力士今日宣布將參加于當地時間 1 月 7 日至 10 日在美國拉斯維加斯舉行的“國際消費電子產品展覽會（CES 2025）”，屆時展示面向 AI 的存儲器技術實力。據了解，SK 海力士將在 CES2025 展出 HBM、企業級固態硬盤等面向 AI 的代表性存儲器產品，也將展示專為端側 AI 優化的解決方案和下一代面向 AI 的存儲器產品。目前，該公司已率先實現量產并向客戶供應 12 層第五代 HBM（HBM3E），在此展會將展出公司去年 11 月宣布開發完成的 16 層第五代
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華為Mate 70系列旗艦手機12月4日正式開賣，研究公司TechInsights拆解后發現，該款手機采用南韓SK海力士制造內存芯片，主因在于美國禁止對中國大陸出口先進芯片制造設備，而大陸制造的內存芯片選擇受限。《南華早報》報導，根據TechInsights的分析，華為Mate 70 Pro手機搭載SK海力士12GB低功耗行動DRAM及512GB NAND，高階款Mate 70 Pro Plus也采用相同的NAND及SK海力士的16GB DRAM。TechInsights分析師崔貞東（Jeongdong
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12 月 20 日消息，據 TheElec 報道，韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應 HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱，博通計劃從 SK 海力士采購存儲芯片，并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM，SK 海力士肯定會調整其 DRAM 產能預測。這家公司計劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產能擴大到 14~15 萬片（IT之家注：單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
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12 月 5 日消息，據 Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優化。本次調整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據核心職能分工明確責任與權限，業務單元被劃分為包括 AI 基礎設施（CMO）、未來技術研究院（CTO）、研發（CDO）和生產（CPO）在內的五大部門。據介紹，新設的 AI 芯片開發部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發能力，著眼于下一代 AI 內存等
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12月2日消息，據韓國媒體報道， 在全球內存市場上長期競爭的三星電子和SK海力士，近日出人意料地結成聯盟，共同推動LPDDR6-PIM內存的標準化。這也意味著兩家公司在面對AI內存技術商業化的共同挑戰時，愿意擱置競爭，共同推動行業標準的制定。雙方合作旨在加速專為人工智能優化的低功耗內存技術的標準化進程，以適應設備內AI技術的發展。隨著設備內AI技術的興起，PIM內存技術越來越受到重視。PIM技術通過將存儲和計算結合，直接在存儲單元進行計算，有效解決了傳統芯片在運行AI算法時的“存儲墻”和“功耗墻
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2024年11月21日，SK海力士宣布，開始量產全球最高的321層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND閃存。SK海力士表示：“公司從2023年6月量產當前最高的上一代238層NAND閃存產品，并供應于市場，此次又率先推出了超過300層的NAND閃存，突破了技術界限。計劃從明年上半年起向客戶提供321層產品，由此應對市場需求。”公司在此次產品開發過程中采用了高生產效率的“3-Plug*”工藝技術，克服了堆疊局限。該技術分三次進行通孔工藝流程，隨后經
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11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內存。該產品可實現 48GB 的單堆棧容量，預計明年初出樣。雖然一般認為 16 層堆疊 HBM 內存直到下一世代 HBM4 才會正式商用，但參考內存領域 IP 企業 Rambus 的文章，HBM3E 也有擴展到 16 層的潛力。此外注意到，SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學術會議準備的論文中也提到了可實現 1280G
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