- 美國商務部正在考慮撤銷此前授予臺積電、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的許可證——這一舉措可能為它們在中國的運營制造新的障礙，據路透社報道。引自華爾街日報，Wccftech 指出，工業與安全 Under Secretary 詹姆斯·克勒森正推動結束允許美國芯片設備制造商向這些公司中國工廠出售關鍵工具的豁免。報道補充說，這可能導致它們獲取美國制造設備的規定更加嚴格。根據 Tom's Hardware，該審查針對的是在美國于 2022 年底限制向中國出口芯片制造工具后授予非中國芯片制造商
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- 據路透社報道，美國商務部正在考慮撤銷之前授予臺積電、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的許可證，此舉可能會給它們在中國大陸的業務制造新的障礙。
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- 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術以及東京大學持有的數據傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開發并評估量產可行性，目標是在2030年前實現商業化。Saimemory將主要專注于芯片的設計工作以及專利管理，而芯片的制造環節則將交由外部代工廠負責這種分工模式有助于充分發揮
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- 在英偉達H20受到最新出口限制之后，其正在開發該芯片的降級版本，以尋求在有限政策空間內繼續開拓中國市場，最早可能在7月發布。降級版H20性能預計會有較為明顯的下調，尤其是在內存容量方面，據TrendForce報道英偉達可能會用GDDR取代HBM。英偉達HBM3的供應商是SK海力士和三星，其中SK海力士是主要供應商，如果降級版H20選擇換用GDDR，那么可能會對現有的供應鏈產生一定的干擾。同樣，三星和SK海力士也都有與英偉達在GDDR7上合作的經驗，值得注意的是，現階段GDDR7的供應主要由三星提供支持，S
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- 除非SK 海力士出現失誤，美光似乎不太可能迎頭趕上。
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- 隨著存儲器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產品，混合鍵合技術越來越受到關注。根據 ZDNet 的一份報告，韓國三星電子和SK海力士在關鍵專利方面仍然落后。該報告強調，三星和SK海力士披露的混合鍵合相關專利相對較少，大幅低于競爭對手長江存儲。 據報道，三星電子已與長江存儲簽署了一項許可協議，在其下一代NAND中采用混合鍵合技術。此舉反映了三星希望規避長江存儲的專利的挑戰，這些專利被認為難以避免。報告指出，長江存儲在其“Xtacking”品牌下大規模生產基于混合鍵合的NAND已有大約四年
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- 全球存儲器市場近期出現顯著價格上漲，消費級存儲器產品價格持續攀升。 根據最新市場動態，SK海力士消費級DRAM顆粒價格已上漲約12%，落實先前市場的漲價傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發布NAND Flash價格上調通知，自4月1日起，對所有通路商及零售客戶的產品實施價格調整，漲幅將超過10%。市場分析人士指出，存儲器價格近期上漲主要受到全球供應鏈瓶頸、晶圓產能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運算及5G技術的快速發展，持續推動了對高性能內存的強勁需求，存儲器國際大廠集中資源，生
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- 三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產品本月即將停產，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產能削減至其生產份額的20%。這意味著內存制造商正加速產品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產品。ddr4和ddr5的區別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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- 4月24日消息，韓國內存巨頭SK海力士公布2025年Q1財報，Q1營業利潤同比增長158%，為7.44萬億韓元（約合52億美元），超過預期的6.6萬億韓元。營收同比增長42%，達到17.63萬億韓元。數據顯示，這是SK海力士第二好的季度業績，此前該公司上一季度營收和營業利潤均創歷史新高。作為英偉達HBM(高帶寬存儲器)的重要供應商，SK海力士受益于HBM等AI關鍵組件的強勁需求增長。2025年Q1，SK海力士在DRAM市場的份額超過三星。報告期內，SK海力士占據了DRAM市場36%的份額，而三星是34%。
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- 三大原廠紛紛縮減舊制程產能，除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產，美光亦通知客戶停產服務器用舊制程DDR4模組，SK海力士據傳也將DDR4產出比重降至20%。法人認為，市場景氣低迷，上游存儲器廠加速產品迭代，降低單位成本以提升獲利，同時將資源轉向高帶寬記憶體（HBM）及DDR5等高階產品。短期內內存價格受到關稅備貨與供給控制支撐，但整體環境不確定性高，未來基本面仍存隱憂。三星已通知供應鏈，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4內存將于2025年4月停止生產（EOL）
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- 2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節）產品的客戶驗證，是基于CXL* 2.0標準的DRAM解決方案產品。SK海力士表示：“將此產品應用于服務器系統，相較于現有的DDR5模組，其容量增長了50%，寬帶擴展了30%，可處理每秒最多36GB的數據。該產品有望顯著降低客戶在構建并運營數據中心時所需的總體擁有成本*。”繼96GB產品驗證，公司正在與其他客戶開展128GB產品的驗證流程。該產品搭載第五代10納米級（1b）32Gb
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- 4月9日消息，根據Counterpoint Research的2025年第一季度內存追蹤報告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領導者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營收市占率達到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計占據剩余的5%。SK海力士預期，營收與市占率的增長至少會持續到下一季度，其還表示，公司在關鍵的HBM市場占有率高達70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
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- 4月7日消息，據國外媒體報道稱，三星公司領導層將對主要全球客戶提高內存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產品組合的價格上漲，預計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業內人士表示：去年全年供應過剩，但隨著主要公司開始減產，供應量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現，由于工業自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構DRAMeXchange給出的統計顯示，
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- 據韓媒報道，根據SK海力士向韓國金融監管機構FSS披露的文件，該企業已完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業務案的第二階段，交易正式完成。據了解，第一階段完成于2021年12月30日，SK海力士當時支付了78422億韓元，從英特爾接管SSD業務及其位于中國大連NAND閃存制造廠的資產。而在第二階段中，SK海力士以32783億韓元（約合人民幣163億元）的對價取得了包括NAND閃存晶圓的生產及設計相關的知識產權、研發人員以及大連工廠的員工在內的其余相關有形/無形資產。
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- 自SK海力士官網獲悉，3月19日，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新產品12層HBM4，并且全球首次向主要客戶提供了其樣品。據悉，此次提供的12層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲器必備的世界最高水平速率，其容量也是12層堆疊產品的最高水平。該產品首次實現了最高每秒可以處理2TB（太字節）以上數據的帶寬，相當于在1秒內可處理400部以上全高清（Full-HD，FHD）級電影（5GB=5千兆字節）的數據，運行速度與前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。同時，公司通過在該產品上采用已在前一代產
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