IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國經濟日報》（Hankyung）與 Blocks & Files 報道，SK 海力士考慮推動 NAND 閃存與固態硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業務，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨立美國子公司。▲ Solidigm D5-P5336，E1.L 規格，61.44TB由于內外部因素的共同影響，Sol
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SK海力士 內存 NAND
AI應用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內存廠，積極投入高帶寬內存（HBM）產能擴充計劃，市場人士估計，2025年新增投片量約27.6萬片，總產能拉高至54萬片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據外媒拆解，英偉達H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過生產封裝。HBM經歷多次迭代發展，進入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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SK海力士 三星 美光 HBM
韓國SK集團30日宣布，旗下內存制造商SK海力士將在2028年前投資103兆韓元（約750億美元）強化芯片事業，尤其將著重AI發展。SK集團日前剛結束為期兩天的策略會議，并于會后宣布全力發展AI價值鏈，將SK海力士的技術應用在高帶寬內存芯片（HBM）、AI數據中心及AI語音助理等領域。SK集團指出，上述103兆韓元當中將有80％，也就是大約82兆韓元（約600億美元）投入發展HBM。 HBM廣泛應用在生成式AI芯片組，且SK海力士目前是輝達的HBM3獨家芯片供貨商。今年第一季SK海力士營收年增超過1倍至1
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- SK海力士28日宣布，公司開發出用于端側（On-Device）AI* PC的業界最高性能固態硬盤（SSD，Solid State Drive）產品‘PCB01’。* 端側（On-Device）AI：在設備本身上實現AI運行，而非依賴物理分離的服務器進行計算。由于智能手機或PC等終端設備自行收集信息并進行計算，可提升AI功能的反應速度、加強用戶定制性AI服務功能。SK海力士表示：“公司業界率先將PCB01適用了‘PCIe* 5.0 x8接口**’技術，以顯著提升數據處理速度等性能。繼HBM等超高性能DR
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6月25日消息，據媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發布了關于3D DRAM技術的最新研究成果，展示了其在該領域的深厚實力與持續創新。據最新消息，SK海力士在3D DRAM技術的研發上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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6月25日消息，據國外媒體報道稱，自從美國對中國實施半導體領域制裁以來，韓國最難受，因為其半導體舊設備庫存積壓嚴重。韓國半導體舊設備庫存積壓嚴重，倉儲成本讓三星電子、SK海力士非常難受，所以可能會進行一次全面清理，售賣來自美國和歐洲的舊設備，以換取數億美元現金。自2022年10月起美國開始限制對華半導體設備出口（包括二手設備）以來，韓國半導體制造商已將大部分舊設備放在倉庫中。在美國的壓力下，三星僅向中國出售較舊的、更容易制造的后段工藝設備，但不出售前段工藝設備；SK海力士同樣不出售來自美國、歐洲的舊的前段
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IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士計劃在 HBM4E 內存中集成更多功能，從而將 HBM 產業推向一個新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內存，嘗試推出可以整合計算、高速緩存和網絡存儲器等多種功能的 HBM 類型，進一步提高能效和信號傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報道，該方案目前依然停留在概念階段，不過 SK 海力士已經著手設計相關 IP 朝著這個目標邁進。SK 海力士計劃在 HBM 上集成內存控制器，內存控制器置于其 HBM 結構的基礎芯片上，賦予第
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IT之家 5 月 22 日消息，在北京時間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會上，SK 海力士帶來了多款存儲領域新品，涵蓋內存、固態硬盤品類。在消費級固態硬盤領域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態硬盤。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規格，支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規格，可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率，IT之家無法確認 PVC10 的具體讀寫性能，預計將強于此前推出的 BC901。而在企業級固態硬盤方面，SK 海力
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近兩年，DRAM市場已經開始從DDR4內存向DDR5內存過渡，此外在存儲器市場經歷低迷后，供應商普遍減少了DDR3內存的生產并降低了庫存水平。DDR3內存的市場需求量進一步減少，更多地被DDR4和DDR5內存所取代。據市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內存，全力沖刺高帶寬內存（HBM）與主流DDR5規格內存。隨著三星和SK海力士停產DDR3內存，很可能帶動DDR3內存的價格上漲，預計漲幅最高可達20%。三星已經通知客戶將在本季度末停產DDR3；而SK海力士則在去年
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IT之家 5 月 16 日消息，韓國每日經濟新聞報道稱，SK 海力士代工部門啟方半導體（SK Key Foundry）將于今年下半年開始為特斯拉生產電源管理（PMIC）芯片。▲ 圖源：SK Key Foundry業內人士表示，SK 啟方半導體計劃最早于 7 月在忠清北道清州工廠的 8 英寸晶圓廠生產電源管理芯片，并安裝在特斯拉電動汽車上。除了特斯拉之外，SK 啟方半導體還在汽車功率半導體領域與多個全球車企展開合作，近期還通過了博世、大陸集團等全球領先汽車零部件公司的生產質量審查。半導體
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5月15日消息，據市場消息稱，三星、SK海力士將在下半年停止生產、供應DDR3內存，轉向利潤更豐厚的DDR5內存、HBM系列高帶寬內存。DDR3雖然在技術、性能上已經落伍，PC、服務器都不再使用，但因為非常成熟，功耗和價格都很低，在嵌入式領域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網絡交換機等。但對于芯片廠商來說，DDR3利潤微薄，無利可圖，形同雞肋。而在AI的驅動下，HBM高帶寬內存需求飆升，產能遠遠無法滿足，2024年和2025年的大部分產能都已經被訂滿，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價格預計明年
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據韓媒報道，SK海力士子公司SK海力士系統集成電路（SK Hynix System IC）計劃將其持有的無錫晶圓廠（SK Hynix System IC (Wuxi) Limited）49.9%的股權，轉讓給中國無錫產業發展集團有限公司（以下簡稱“無錫產業發展集團”）。報道稱，交易將在今年10月份完成。這一戰略舉措旨在進一步加強無錫晶圓廠與中國市場的聯系，并擴大其在中國市場的業務布局。據悉，本次股權轉讓計劃分為兩個階段。第一階段，SK海力士系統集成電路將以約2054億韓元（約合10.87億元人民幣）的價格
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SK海力士 無錫晶圓廠
· 作為業界最高性能產品，將于今年第3季度開始量產并搭載于端側AI手機· 與前一代產品相比，長期使用所導致的性能下降方面實現大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領域引領面向AI的存儲器市場”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開發出用于端側（On-Device）AI*的移動端NAND閃存解決方案產品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動端NAND閃存解決方案產品，其產品實現業界最高
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5月6日消息，供應鏈爆料稱，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產品提價，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產品價格從去年第四季度開始逐月上調，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩。靠著存儲漲價，三星電子2024年第一季營業利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業務營收17.49萬億韓元，環比增長11%，同比暴漲96%，在整體的半導體業務營收當中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場總體需求強勁，特別是生
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