6月25日消息，據國外媒體報道稱，自從美國對中國實施半導體領域制裁以來，韓國最難受，因為其半導體舊設備庫存積壓嚴重。韓國半導體舊設備庫存積壓嚴重，倉儲成本讓三星電子、SK海力士非常難受，所以可能會進行一次全面清理，售賣來自美國和歐洲的舊設備，以換取數億美元現金。自2022年10月起美國開始限制對華半導體設備出口（包括二手設備）以來，韓國半導體制造商已將大部分舊設備放在倉庫中。在美國的壓力下，三星僅向中國出售較舊的、更容易制造的后段工藝設備，但不出售前段工藝設備；SK海力士同樣不出售來自美國、歐洲的舊的前段
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韓國半導體 半導體設備 三星 SK海力士
IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士計劃在 HBM4E 內存中集成更多功能，從而將 HBM 產業推向一個新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內存，嘗試推出可以整合計算、高速緩存和網絡存儲器等多種功能的 HBM 類型，進一步提高能效和信號傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報道，該方案目前依然停留在概念階段，不過 SK 海力士已經著手設計相關 IP 朝著這個目標邁進。SK 海力士計劃在 HBM 上集成內存控制器，內存控制器置于其 HBM 結構的基礎芯片上，賦予第
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SK海力士 內存 HBM4E
IT之家 5 月 22 日消息，在北京時間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會上，SK 海力士帶來了多款存儲領域新品，涵蓋內存、固態硬盤品類。在消費級固態硬盤領域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態硬盤。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規格，支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規格，可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率，IT之家無法確認 PVC10 的具體讀寫性能，預計將強于此前推出的 BC901。而在企業級固態硬盤方面，SK 海力
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SK海力士 固態硬盤 內存
近兩年，DRAM市場已經開始從DDR4內存向DDR5內存過渡，此外在存儲器市場經歷低迷后，供應商普遍減少了DDR3內存的生產并降低了庫存水平。DDR3內存的市場需求量進一步減少，更多地被DDR4和DDR5內存所取代。據市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內存，全力沖刺高帶寬內存（HBM）與主流DDR5規格內存。隨著三星和SK海力士停產DDR3內存，很可能帶動DDR3內存的價格上漲，預計漲幅最高可達20%。三星已經通知客戶將在本季度末停產DDR3；而SK海力士則在去年
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三星 SK海力士 內存 DRAM HBM
IT之家 5 月 16 日消息，韓國每日經濟新聞報道稱，SK 海力士代工部門啟方半導體（SK Key Foundry）將于今年下半年開始為特斯拉生產電源管理（PMIC）芯片?！?圖源：SK Key Foundry業內人士表示，SK 啟方半導體計劃最早于 7 月在忠清北道清州工廠的 8 英寸晶圓廠生產電源管理芯片，并安裝在特斯拉電動汽車上。除了特斯拉之外，SK 啟方半導體還在汽車功率半導體領域與多個全球車企展開合作，近期還通過了博世、大陸集團等全球領先汽車零部件公司的生產質量審查。半導體
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SK海力士
5月15日消息，據市場消息稱，三星、SK海力士將在下半年停止生產、供應DDR3內存，轉向利潤更豐厚的DDR5內存、HBM系列高帶寬內存。DDR3雖然在技術、性能上已經落伍，PC、服務器都不再使用，但因為非常成熟，功耗和價格都很低，在嵌入式領域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網絡交換機等。但對于芯片廠商來說，DDR3利潤微薄，無利可圖，形同雞肋。而在AI的驅動下，HBM高帶寬內存需求飆升，產能遠遠無法滿足，2024年和2025年的大部分產能都已經被訂滿，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價格預計明年
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存儲 DDR3 三星 SK海力士
據韓媒報道，SK海力士子公司SK海力士系統集成電路（SK Hynix System IC）計劃將其持有的無錫晶圓廠（SK Hynix System IC (Wuxi) Limited）49.9%的股權，轉讓給中國無錫產業發展集團有限公司（以下簡稱“無錫產業發展集團”）。報道稱，交易將在今年10月份完成。這一戰略舉措旨在進一步加強無錫晶圓廠與中國市場的聯系，并擴大其在中國市場的業務布局。據悉，本次股權轉讓計劃分為兩個階段。第一階段，SK海力士系統集成電路將以約2054億韓元（約合10.87億元人民幣）的價格
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SK海力士 無錫晶圓廠
· 作為業界最高性能產品，將于今年第3季度開始量產并搭載于端側AI手機· 與前一代產品相比，長期使用所導致的性能下降方面實現大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領域引領面向AI的存儲器市場”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開發出用于端側（On-Device）AI*的移動端NAND閃存解決方案產品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動端NAND閃存解決方案產品，其產品實現業界最高
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SK海力士 AI 存儲 NAND
5月6日消息，供應鏈爆料稱，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產品提價，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產品價格從去年第四季度開始逐月上調，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩。靠著存儲漲價，三星電子2024年第一季營業利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業務營收17.49萬億韓元，環比增長11%，同比暴漲96%，在整體的半導體業務營收當中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場總體需求強勁，特別是生
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SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上漲
自SK海力士官網獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應對AI半導體需求的急劇增長，計劃擴大AI基礎設施核心組件HBM等下一代DRAM的生產能力。SK海力士表示，若理事會批準該計劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產基地，并投資5.3萬億韓元用于建設新工廠。該工廠計劃于4月底開始建設，目標是在2025年11月完工，并進行早期批量生產。隨著設備投資的逐步增加，新生產基地的長期總投資將超過20萬億韓元。（圖源：SK海力士官網）SK海力士總經理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱，M15X將成
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SK海力士 AI DRAM
2024年4月4日，SK海力士宣布，在美國印第安納州西拉斐特（West Lafayette）建造適于AI的存儲器先進封裝生產基地，同時與美國普渡（Purdue）大學等當地研究機構進行半導體研究和開發合作。公司計劃向該項目投資38.7億美元。當地時間4月3日，公司與印第安納州、普渡大學、美國政府有關人士在位于西拉斐特的普渡大學舉辦了投資簽約儀式活動，并在此發表了上述計劃。印第安納州州長埃里克·霍爾科姆（Eric Holcomb）、美國參議員（印第安納州）托德·楊（Todd
Young）、白宮科技政策辦公
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SK海力士 后端工藝
由于上海公司的銷售額持續下降，SK海力士的中國業務中心已轉移到無錫，因此決定清算上海銷售公司。據韓媒報道，韓國半導體公司SK海力士正在重組其在中國的業務。報道稱，該公司計劃關閉成立于2006年的上海公司，并將重點轉移到其半導體制造工廠所在地無錫，作為其在中國的新業務中心。據悉，SK海力士在中國有三家工廠，分別是無錫DRAM廠、大連NAND閃存廠和重慶封裝廠。由于上海公司的銷售額持續下降，且與無錫的地理位置相近，SK海力士的中國業務中心已轉移到無錫，因此公司決定清算上海銷售公司，提高效率降低風險。
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SK海力士
近期，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經售罄，已開始為2025年做準備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產能預計已全部售罄。生成式AI火熱發展，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內存（HBM）的旺盛需求，存儲大廠積極瞄準HBM擴產。其中，三星電子從2023年四季度開始擴大HBM3的供應。此前2023年四季度三星內部消息顯示，已經向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計劃在今年上半年開始量產。到下半年，其占比預計將
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存儲 HBM SK海力士 美光科技
最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度財報，2023 年第四季度實現扭虧為盈，當季營業利潤 3460 億韓元（約合 2.6 億美元），而上年同期營業虧損 1.91 萬億韓元。這意味著，SK 海力士成功擺脫了從 2022 年第四季度以來一直持續的營業虧損情況。相比之下，同為韓國半導體巨頭的三星，業績卻不盡如人意。數據顯示，三星電子去年銷售額為 258.16 萬億韓元（1.4 萬億元人民幣），同比下滑 14.58%。受半導體部門業績不佳影響，三星電子全年營業利潤時隔 15 年再次跌至 10 萬億韓元（544
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