近日，在第70屆IEEE國際固態電路會議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市，有望打破紀錄。外媒報導，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND
Flash開發，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
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300層 NAND Flash SK海力士
由于存儲芯片價格暴跌，韓國芯片制造巨頭、蘋果供應商SK海力士（SK Hynix Inc.）周三公布了有史以來最大的季度虧損。該公司仍堅持將今年資本支出減半的計劃。財聯社2月1日訊（編輯 卞純）由于存儲芯片價格暴跌，韓國芯片制造巨頭、蘋果供應商SK海力士（SK Hynix Inc.）周三公布了有史以來最大的季度虧損。該公司仍堅持將今年資本支出減半的計劃。海力士公布，在截至去年12月的三個月，營收下降38%，運營虧損1.7萬億韓元（合14億美元）。分析師的平均預期是虧損1.1萬億韓元。存儲芯片價格已經較202
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SK海力士 存儲芯片 虧損 價格
· 副會長樸正浩會見高通公司高層，廣泛探討合作機會· SK海力士將繼續尋求與全球科技企業跨地域、跨行業展開合作 韓國首爾，2023年1月6日 – SK海力士今日宣布，SK海力士副會長兼聯合CEO樸正浩在美國拉斯維加斯CES 2023開幕前一天與高通公司舉行會談探討加強合作。1月4日（美國時間），樸正浩副會長與SK海力士社長兼聯合CEO郭魯正及其他高層領導，與高通公司總裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon)在拉斯維加斯舉行了會談。雙方高層就眾多話題展開討
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SK海力士 高通 CES 2023
2022年內存及閃存兩種存儲芯片的價格一直在下滑，以致于SSD硬盤跌成白菜價了，2TB不到700元，但是這樣的價格也讓閃存廠商很難受，三星已經開始出手逆轉價格，12月份閃存漲價10%。據電子時報援引供應鏈消息，雖然市場需求低迷，但三星12月上半月依舊選擇上調NAND閃存價格，其中3D NAND閃存價格漲幅高達10%。三星是全球第一大閃存供應商，Q2季度的銷售額59.8億美元，環比下滑5.4%，所占的份額也由上一季度的35.3%降至33%，依然遙遙領先其他廠商。a收購Intel閃存業務之后，SK海力士成立了
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SSD 閃存 三星 SK海力士 美光
SK海力士宣布，已經研發出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內存， 起步速率就可以達到8Gbps，相比于標準的DDR5-4800快了多達80％ ，也追平了DDR5內存條的最高紀錄—— 芝奇剛剛發售DDR5-8000。這種新內存由SK海力士聯合Intel、瑞薩共同研發，面向服務器領域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路復用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術，通過在DRAM內存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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SK海力士 DDR5 DIMM 內存
IT之家 12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官網宣布，成功開發出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內存模組樣品，這是目前業界最快的服務器 DRAM 產品。該產品的最低數據傳輸速率也高達 8Gbps，較之目前 DDR5 產品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方稱，該 MCR DIMM 產品采用了全新的方法來以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認為 DDR5 的運行速度取決于單個 DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程師在開發該產品時另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個 DRAM 芯
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SK海力士 DRAM
很顯然內存市場的需求依然很淡，不少消費者依然沒有出手，當然還是覺得廠商能繼續降價。調研機構TrendForce現發布了最新的研究報告，表明目前DRAM現貨報價仍在保持下跌的趨勢，主要買家對未來皆抱持跌價心態，整體市況仍因大環境因素影響價格難以止跌。具體來說：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE報價下調至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
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內存 DRAM，三星 SK海力士
高帶寬存儲器（HBM, High Bandwidth
Memory）是一種可以實現高帶寬的高附加值DRAM產品，適用于超級計算機、AI加速器等對性能要求較高的計算系統。隨著計算技術的發展，機器學習的應用日漸廣泛，而機器學習的基礎是自20世紀80年代以來一直作為研究熱點的神經網絡模型。作為速度最快的DRAM產品，HBM在克服計算技術的局限性方面發揮著關鍵的作用。HBM的高帶寬離不開各種基礎技術和先進設計工藝的支持。由于HBM是在3D結構中將一個邏輯die與4-16個DRAM die堆疊在一起，因此開發過
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速度 HBM SK海力士
作為韓國的重要支柱，芯片出口的多少，直接關系著幾大財團的營收，比如三星、SK海力士等等。據國外媒體報道，消費電子產品需求下滑，導致對芯片的需求下滑，尤其是存儲芯片，需求與價格雙雙下滑。韓國關稅廳最新公布的數據顯示，在11月份的前20天，韓國芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國重要的出口產品還有智能手機等移動設備，但這一類產品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標志性的一個現象是，全球智能手機老大已經在不停的砍單了，至少在3000萬部，這也
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三星 SK海力士 DRAM NAND
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Warning: file_get_contents(https://img.dramx.co
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SK海力士 移動端 DRAM HKMG
Intel把閃存業務賣給SK海力士后，后者孵化出名為Solidigm的消費級/企業級品牌，關系類似于美光和英睿達。日前在Tech Field Day 2022技術峰會上，Solidigm預覽了旗下第4代192層3D閃存芯片，不過是QLC顆粒（4bits/cell）。看來Intel此前的QLC技術積累被SK海力士完全保留，后者還指出，雖然當前出貨的閃存芯片80%都是TLC，但QLC遲早會取代它。顯然最重要的原因還是成本效應，QLC顆粒存儲密度更高，也更容易做到大容量。
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英特爾 SK海力士 閃存
由于傳統微縮(scaling)技術系統的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal
Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM,
即便在低功率設置下也實現了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰: 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數據的單元晶體管(Cell
Transistor)、恢復數據的核心晶體管(Core
Tr
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SK海力士 High-k Metal Gate
據SK海力士最新公告，公司為加強事業競爭力以及提高企業價值，正在研究多種戰略方案，但就共同收購Arm的事宜，目前尚未推進。此前，SK海力士曾表示，正在審查各種策略選擇，其中包括聯合收購Arm，以提高業務競爭力和企業價值。而根據最新消息，據媒體報道，SK海力士在10月底公開披露中表示，不會聯合收購Arm。對此，韓國媒體引述專家觀點表示，由于軟銀董事長孫正義開出的價格遠高于實際價值，Arm正在失去其作為收購目標的吸引力。2020年，英偉達曾以400億美元的高價向軟銀求購Arm，但經歷一波三折后英偉達選擇了放棄
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SK海力士 Arm
俄羅斯和烏克蘭是氖、氬、氪、氙等半導體原料氣體供應大國，其中氖氣由烏克蘭供應全球近七成產量，而俄羅斯惰性氣體供應量占全球供應總量的30%。隨著俄烏沖突爆發后，全球氖氣、氙氣等產量大減，全球芯片市場的供應短缺問題加劇。為降低對進口產品的依賴，韓國存儲器大廠三星和SK海力士都表示將大幅增加韓國本土生產的氣體。據韓國經濟新聞報道，近日，三星表示，公司將與浦項鋼鐵（POSCO）一起推進半導體核心材料氙氣的本土生產，目前該材料全部依賴進口。目前，大多數韓國芯片制造商和微電子設備制造商依賴進口氣體，這些氣體是生產3D
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三星 SK海力士 大半導體原材料
近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠設備”等消息引發業界高度關注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業績發表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠的設備轉移”等相關發言是針對可能性極低的極端情況作出的現場回復，SK海力士澄清并未研究過與此相關的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
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SK海力士 DRAM NAND
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