SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E

2024年9月26日，SK海力士宣布，公司全球率先開始量產(chǎn)12層HBM3E新品，實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM*產(chǎn)品中最大**的36GB（千兆字節(jié)）容量。

公司將在年內(nèi)向客戶提供產(chǎn)品，繼今年3月全球率先向客戶供應(yīng)8層HBM3E后，僅時隔6個月再次展現(xiàn)出其壓倒性的技術(shù)實力。

SK海力士強(qiáng)調(diào):“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E)，  公司是唯一一家開發(fā)并向市場供應(yīng)全系列HBM產(chǎn)品的企業(yè)。公司業(yè)界率先成功量產(chǎn)12層堆疊產(chǎn)品，不僅滿足了人工智能企業(yè)日益發(fā)展的需求，同時也進(jìn)一步鞏固了SK海力士在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。”

公司又表示，12層HBM3E在面向AI的存儲器所需要的速度、容量、穩(wěn)定性等所有方面都已達(dá)到全球最高水平。

SK海力士將此新產(chǎn)品的運(yùn)行速度提高至現(xiàn)有內(nèi)存的最高速度9.6Gbps，其是在以搭載四個HBM的單個GPU運(yùn)行大型語言模型（LLM）‘Llama 3 70B*’時，每秒可讀取35次700億個整體參數(shù)的水平。

公司還堆疊12顆3GB DRAM芯片，實現(xiàn)與現(xiàn)有的8層產(chǎn)品相同的厚度，同時容量提升50%。為此，公司將單個DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技術(shù)*（TSV）技術(shù)垂直堆疊。

此外，SK海力士也解決了在將變薄的芯片堆疊至更高時產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)性問題。公司將其核心技術(shù)先進(jìn)MR-MUF**工藝應(yīng)用到此次產(chǎn)品中，放熱性能較上前一代提升了10%，并增強(qiáng)了控制翹曲問題，從而確保了穩(wěn)定性和可靠性。

SK海力士AI Infra擔(dān)當(dāng)金柱善社長表示：“我們再次突破了技術(shù)壁壘，證明了我們在面向AI的存儲器市場中獨(dú)一無二的主導(dǎo)地位。為了迎接AI時代的挑戰(zhàn)，我們將穩(wěn)步準(zhǔn)備下一代存儲器產(chǎn)品，以鞏固‘全球頂級面向AI的存儲器供應(yīng)商’的地位。”

*高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory): 一種高附加值、高性能存儲器。與現(xiàn)有的DRAM產(chǎn)品相比，通過垂直互聯(lián)多個DRAM芯片，使數(shù)據(jù)處理速度顯著提高。該產(chǎn)品按照HBM第1代（HBM）-第2代（HBM2）-第3代（HBM2E）-第4代（HBM3）-第5代（HBM3E）的順序開發(fā)，HBM3E是HBM3的擴(kuò)展版

**現(xiàn)有的HBM3E最大容量為24GB，由8顆3GB DRAM芯片垂直堆疊而成

*Llama 3：Meta于2024年4月推出的開源大型語言模型，其提供8B（十億）、70B、400B的三種規(guī)模

*硅通孔技術(shù)（TSV，Through Silicon Via）：一種在DRAM芯片上打數(shù)千個微孔使其垂直互連至電極的先進(jìn)封裝（Advanced Packaging）技術(shù)。

**批量回流底部模制填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）： 在堆疊半導(dǎo)體芯片后，為了保護(hù)芯片間的電路，在其中填充液體保護(hù)材料，使其固化。有評價稱，與每堆一個芯片就鋪設(shè)薄膜型材料的方式相比，該技術(shù)提高了效率和散熱效果。特別是SK海力士的先進(jìn)MR-MUF技術(shù)，較現(xiàn)有技術(shù)減少了芯片堆疊時所施加的壓力，提高了芯片的翹曲控制力(Warpage Control)，這是確保HBM穩(wěn)定量產(chǎn)的關(guān)鍵。