SK海力士開始量產全球最高的321層NAND閃存

2024年11月21日，SK海力士宣布，開始量產全球最高的321層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）^* 4D NAND閃存。

SK海力士表示：“公司從2023年6月量產當前最高的上一代238層NAND閃存產品，并供應于市場，此次又率先推出了超過300層的NAND閃存，突破了技術界限。計劃從明年上半年起向客戶提供321層產品，由此應對市場需求?！?/p>

公司在此次產品開發過程中采用了高生產效率的“3-Plug^*”工藝技術，克服了堆疊局限。該技術分三次進行通孔工藝流程，隨后經過優化的后續工藝將3個通孔進行電氣連接。在其過程中開發出了低變形^*材料，引進了通孔間自動排列（alignment）矯正技術。公司技術團隊也將上一代238層NAND閃存的開發平臺應用于321層，由此最大限度地減少了工藝變化，與上一代相比，其生產效率提升了59%。

此次321層產品與上一代相比，數據傳輸速度和讀取性能分別提高了12%、13%，并且數據讀取能效也提高10%以上。SK海力士將以321層NAND閃存積極應對面向AI的低功耗、高性能新市場，并逐漸擴大其應用范圍。

SK海力士NAND閃存開發擔當副社長崔正達表示：“公司率先投入300層以上的NAND閃存量產，在攻占用于AI數據中心的固態硬盤、端側AI等面向AI的存儲(Storage，存儲裝置)市場方面占據了有利地位。由此公司不僅在HBM為代表的DRAM，在NAND閃存領域也具備超高性能存儲器產品組合，將躍升為‘全方位面向AI的存儲器供應商’。”

^* NAND閃存芯片根據每個單元(Cell)可以存儲的信息量（比特,bit），分為SLC(Single level Cell,1位)、MLC（Muti Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）、PLC（Penta Level Cell,5位）等不同規格。單元信息存儲容量越大，意味著單位面積可以儲存的數據越多。

^* 通孔（Plug）：堆疊多層基板之后，為一次性形成單元的垂直孔。

^* 低變形（Low Stress）：通過改變plug內填充的物質，減少變形。