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美光開始向客戶提供HBM4內(nèi)存樣品 —36 GB容量和2 TB/s帶寬
- 美光本周宣布，該公司已開始向主要客戶運送其下一代 HBM4 內(nèi)存的樣品。適用于下一代 AI 和 HPC 處理器的新內(nèi)存組件具有 36 GB 的容量和 2 TB/s 的帶寬。美光的首批樣品是 12 層高器件，具有 36 GB 內(nèi)存，具有 2048 位寬接口以及約 7.85 GT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率。這些樣品依賴于采用該公司 1? （1-beta） DRAM 工藝技術(shù)制造的 24GB DRAM 器件，以及臺積電使用其 12FFC+（2nm 級）或 N5（5nm 級）邏輯工藝技術(shù)生產(chǎn)的邏輯基礎(chǔ)芯片。美光最新一代
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HBM4爭霸戰(zhàn)開打 美光領(lǐng)跑
- 生成式AI持續(xù)爆發(fā)，推升高帶寬記憶體（HBM）需求急遽攀升。 全球三大內(nèi)存廠—美光、SK海力士與三星電子全面投入HBM4戰(zhàn)局，爭搶AI加速器內(nèi)存主導(dǎo)權(quán)。 其中，美光搶先宣布送樣，技術(shù)領(lǐng)先態(tài)勢明顯。美光12日宣布，已將最新12層堆疊、容量達(dá)36GB的HBM4，送樣給多家全球客戶。 該產(chǎn)品采用先進的1β DRAM制程，搭配2048位寬高速接口，單堆疊傳輸速率突破2.0 TB/s，效能較前一代HBM3E提升超過60%，能源效率亦提升逾20%，預(yù)計2026年正式量產(chǎn)。美光指出，HBM4具備內(nèi)存內(nèi)建自我測試（MBI
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三星將采用HBM4內(nèi)存的混合鍵合
- 三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術(shù)，以減少熱量并實現(xiàn)超寬內(nèi)存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導(dǎo)體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術(shù)，EBN 報道。高帶寬內(nèi)存 （HBM） 將多個存儲器件堆疊在基礎(chǔ)芯片上。目前，HBM 堆棧中的內(nèi)存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數(shù)據(jù)、電源和控制信號）連接在一起，并使用模塑底部填充質(zhì)量回流 （MR-MUF） 或使用非導(dǎo)電膜 （TC-NCF） 的熱壓縮等技術(shù)進行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個晶粒內(nèi)的硅通孔
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HBM4標(biāo)準(zhǔn)，正式發(fā)布
- 4月16日，微電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定者JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會正式發(fā)布了備受業(yè)界期待的HBM4標(biāo)準(zhǔn)。HBM4標(biāo)準(zhǔn)作為先前HBM3標(biāo)準(zhǔn)的升級版，將進一步提升數(shù)據(jù)處理速率，同時保持更高帶寬、更高能效及每顆芯片/堆疊的容量等基本特征。HBM4帶來的改進對于需要高效處理大型數(shù)據(jù)集和復(fù)雜計算的應(yīng)用至關(guān)重要，例如生成式人工智能(AI)、高性能計算、高端顯卡和服務(wù)器。據(jù)介紹，與此前的版本相比，HBM4標(biāo)準(zhǔn)在帶寬、通道數(shù)、功耗、容量等多方面進行了改進。具體來看：●增加帶寬：通過2048位接口，傳輸速度高達(dá)8Gb/s，HBM4可將
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HBM4標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布
- 據(jù)報道，當(dāng)?shù)貢r間4月16日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣布，正式推出HBM4內(nèi)存規(guī)范JESD270-4，該規(guī)范為HBM的最新版本設(shè)定了更高的帶寬性能標(biāo)準(zhǔn)。據(jù)介紹，與此前的版本相比，HBM4標(biāo)準(zhǔn)在帶寬、通道數(shù)、功耗、容量等多方面進行了改進。其中，HBM4采用2048位接口，傳輸速度高達(dá)8Gb/s，HBM4可將總帶寬提高至2TB/s。 還支持 4 / 8 / 12 / 18 層 DRAM 堆棧和 24Gb / 32Gb 的芯片密度，單堆棧容量可達(dá) 64GB。此外，HBM4將每個堆疊的獨立通道數(shù)加倍，從16個通道（
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創(chuàng)意推全球首款HBM4 IP 于臺積電N3P制程成功投片
- 創(chuàng)意2日宣布，自主研發(fā)的HBM4控制器與PHY IP完成投片，采用臺積電最先進N3P制程技術(shù)，并結(jié)合CoWoS-R先進封裝，成為業(yè)界首個實現(xiàn)12 Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率之HBM4解決方案，為AI與高效能運算（HPC）應(yīng)用樹立全新里程碑。HBM4 IP以創(chuàng)新中間層（Interposer）布局設(shè)計優(yōu)化信號完整性（SI）與電源完整性（PI），確保在CoWoS系列封裝技術(shù)下穩(wěn)定運行于高速模式。 創(chuàng)意指出，相較前代HBM3，HBM4 PHY（實體層）效能顯著提升，帶寬提升2.5倍，滿足巨量數(shù)據(jù)傳輸需求、功耗效率提升1
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HBM新技術(shù)，橫空出世
- AI 的火熱，令 HBM 也成了緊俏貨。業(yè)界各處都在喊：HBM 缺貨！HBM 增產(chǎn)！把 DDR4/DDR3 產(chǎn)線轉(zhuǎn)向生產(chǎn) DDR5/HBM 等先進產(chǎn)品。數(shù)據(jù)顯示，未來 HBM 市場將以每年 42% 的速度增長，將從 2023 年的 40 億美元增長到 2033 年的 1300 億美元，這主要受工作負(fù)載擴大的 AI 計算推動。到 2033 年，HBM 將占據(jù)整個 DRAM 市場的一半以上。可即便行業(yè)全力增產(chǎn)，HBM 供應(yīng)缺口仍然很大，芯片巨頭也急的「抓耳撓腮」。當(dāng)下，
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臺積電2027年推出超大版CoWoS封裝，可放置12個HBM4堆棧
- 據(jù)媒體報道，日前，臺積電11月歐洲開放創(chuàng)新平臺（OIP）論壇上宣布，其有望在2027年認(rèn)證超大版本的CoWoS（晶圓上芯片）封裝技術(shù)，該技術(shù)將提供高達(dá)9個掩模尺寸的中介層尺寸和12個HBM4內(nèi)存堆棧，推測它將在2027年至2028年被超高端AI處理器采用。據(jù)悉，這一全新封裝方法將解決性能要求最高的應(yīng)用，并讓AI（人工智能）和HPC（高性能計算）芯片設(shè)計人員能夠構(gòu)建手掌大小的處理器。報道稱，完全希望采用臺積電先進封裝方法的公司也能使用其系統(tǒng)級集成芯片（SoIC）先進封裝技術(shù)垂直堆疊其邏輯，以進一步提高晶體管
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英偉達(dá)、臺積電和 SK 海力士深化三角聯(lián)盟：HBM4 內(nèi)存2026年量產(chǎn)
- 7 月 13 日消息，韓媒 businesskorea 報道，英偉達(dá)、臺積電和 SK 海力士將組建“三角聯(lián)盟”，為迎接 AI 時代共同推進 HBM4 等下一代技術(shù)。SEMI 計劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動（其影響力可以認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的 CES 大展），包括臺積電在內(nèi)的 1000 多家公司將展示最新的半導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù)，促進了合作與創(chuàng)新。預(yù)計這次會議的主要焦點是下一代 HBM，特別是革命性的 HBM4 內(nèi)存，它將開啟市場的新紀(jì)元。IT之家援引該媒體報道，SK 海力士總裁 Kim Joo-
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傳ASMPT與美光聯(lián)合開發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備
- 據(jù)韓媒報道，韓國后端設(shè)備制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高帶寬內(nèi)存 (HBM) 生產(chǎn)的演示熱壓 (TC) 鍵合機。雙方已開始聯(lián)合開發(fā)下一代鍵合機，用于HBM4生產(chǎn)。根據(jù)報道，美光還從日本新川半導(dǎo)體和韓美半導(dǎo)體采購TC鍵合機，用于生產(chǎn)HBM3E，于今年4月向韓美半導(dǎo)體提供了價值226億韓元的TC Bonder采購訂單。據(jù)透露，美光正在使用熱壓非導(dǎo)電薄膜 (TC-NCF) 工藝制造 HBM3E，該種工藝很可能會在下一代產(chǎn)品 HBM4 中采用。HBM4 16H產(chǎn)品正在考慮使用混合鍵合。此外，目前美光最大的
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HBM4技術(shù)競賽，進入白熱化
- HBM（HighBandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）是一款新型的 CPU/GPU 內(nèi)存芯片，其實就是將很多個 DDR 芯片堆疊在一起后和 GPU 封裝在一起，實現(xiàn)大容量，高位寬的 DDR 組合陣列。該內(nèi)存技術(shù)突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，被視為新一代 DRAM 解決方案，也契合了半導(dǎo)體技術(shù)小型化、集成化的發(fā)展趨勢。過去 10 年里，HBM 技術(shù)性能不斷升級迭代，已經(jīng)成為高性能計算領(lǐng)域重要的技術(shù)基石之一。2023 年初以來，以 ChatGPT 為代表的 AI 大模型催生了巨量的算力需求，使 HBM 成
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NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU：3nm工藝配下代HBM4內(nèi)存
- 6月2日消息，臺北電腦展2024的展前主題演講上，NVIDIA CEO黃仁勛宣布了下一代全新GPU、CPU架構(gòu)，以及全新CPU+GPU二合一超級芯片，一直規(guī)劃到了2027年。黃仁勛表示，NVIDIA將堅持?jǐn)?shù)據(jù)中心規(guī)模、一年節(jié)奏、技術(shù)限制、一個架構(gòu)的路線，也就是使用統(tǒng)一架構(gòu)覆蓋整個數(shù)據(jù)中心GPU產(chǎn)品線，并最新最強的制造工藝，每年更新迭代一次。NVIDIA現(xiàn)有的高性能GPU架構(gòu)代號"Blackwell"，已經(jīng)投產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)品今年陸續(xù)上市，包括用于HPC/AI領(lǐng)域的B200/GB200、用于游
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這一次，三星被臺積電卡脖子了
- 在晶圓代工領(lǐng)域，三星與臺積電是純粹的競爭關(guān)系，但在存儲芯片市場，作為行業(yè)霸主，三星卻不得不尋求與臺積電深入合作，這都是英偉達(dá)惹的禍。據(jù) DigiTimes 報道，三星 HBM3E 內(nèi)存尚未通過英偉達(dá)的測試，仍需要進一步驗證，這是因為卡在了臺積電的審批環(huán)節(jié)。作為英偉達(dá) AI GPU 芯片的制造和封裝廠，臺積電是英偉達(dá)驗證環(huán)節(jié)的重要參與者。據(jù)悉，臺積電采用的是基于 SK 海力士 HBM3E 產(chǎn)品設(shè)定的檢測標(biāo)準(zhǔn)，而三星的 HBM3E 產(chǎn)品在制造工藝上有些差異，例如，SK 海力士芯片封裝環(huán)節(jié)采用了 MR-MUF
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臺積電準(zhǔn)備推出基于12和5nm工藝節(jié)點的下一代HBM4基礎(chǔ)芯片
- 在 HBM4 內(nèi)存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內(nèi)存接口的寬度。隨著第四代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從已經(jīng)很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內(nèi)存堆棧將不會像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現(xiàn)在更先進的封裝方法，以適應(yīng)更寬的內(nèi)存。作為 2024 年歐洲技術(shù)研討會演講的一部分，臺積電提供了一些有關(guān)其將為 HBM4 制造的基礎(chǔ)模具的新細(xì)節(jié)，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項任務(wù)，該公司有望在 HBM4 制造工藝中占據(jù)有
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