美光開(kāi)始向客戶提供HBM4內(nèi)存樣品 —36 GB容量和2 TB/s帶寬

美光本周宣布，該公司已開(kāi)始向主要客戶運(yùn)送其下一代 HBM4 內(nèi)存的樣品。適用于下一代 AI 和 HPC 處理器的新內(nèi)存組件具有 36 GB 的容量和 2 TB/s 的帶寬。

美光的首批樣品是 12 層高器件，具有 36 GB 內(nèi)存，具有 2048 位寬接口以及約 7.85 GT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率。這些樣品依賴于采用該公司 1? （1-beta） DRAM 工藝技術(shù)制造的 24GB DRAM 器件，以及臺(tái)積電使用其 12FFC+（2nm 級(jí)）或 N5（5nm 級(jí)）邏輯工藝技術(shù)生產(chǎn)的邏輯基礎(chǔ)芯片。

美光最新一代 HBM3E 內(nèi)存還提供高達(dá) 36 GB 的容量，但它具有 1024 位接口和高達(dá) 9.2 GT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率，因此可提供高達(dá) 1.2 TB/s 的峰值帶寬。也就是說(shuō)，Micron 的新型 HBM4 可以擁有超過(guò) 60% 的帶寬以及高達(dá) 20% 的能源效率。此外，Micron 的 HBM4 還包括內(nèi)置的內(nèi)存測(cè)試功能，以簡(jiǎn)化合作伙伴的集成。

美光是業(yè)內(nèi)第一家正式開(kāi)始與合作伙伴一起提供 HBM4 內(nèi)存模塊樣品的 DRAM 制造商，但預(yù)計(jì)三星和 SK 海力士等其他制造商將很快迎頭趕上。美光和其他內(nèi)存制造商打算在 2026 年的某個(gè)時(shí)候開(kāi)始量產(chǎn) HBM4，屆時(shí)領(lǐng)先的 AI 處理器開(kāi)發(fā)商將開(kāi)始量產(chǎn)其下一代處理器。

預(yù)計(jì) Nvidia 代號(hào)為 Vera Rubin 的數(shù)據(jù)中心 GPU 將在 2026 年底成為首批采用 HBM4 的產(chǎn)品之一，盡管它們肯定不會(huì)是唯一使用 HBM4 的 AI 和 HPC 處理器。

“美光 HBM4 的性能、更高的帶寬和行業(yè)領(lǐng)先的能效證明了我們的內(nèi)存技術(shù)和產(chǎn)品領(lǐng)先地位，”美光高級(jí)副總裁兼云內(nèi)存業(yè)務(wù)部總經(jīng)理 Raj Narasimhan 說(shuō)。“在 HBM3E 部署取得的非凡里程碑的基礎(chǔ)上，我們將繼續(xù)通過(guò) HBM4 和我們強(qiáng)大的 AI 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案產(chǎn)品組合推動(dòng)創(chuàng)新。我們的 HBM4 生產(chǎn)里程碑與客戶的下一代 AI 平臺(tái)就緒情況保持一致，以確保無(wú)縫集成和量產(chǎn)。