5nm 文章 最新資訊
臺積電公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好
- 4月26日消息，在近日舉辦的北美技術論壇上，臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。臺積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規(guī)模量產還有2個季度，也就是要等到年底。N2試產近2個月來，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點，同時顯著優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產到量產半年的時間周期內，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產開始就低得多了，
- 關鍵字： 臺積電 N2 2nm 缺陷率 3nm 5nm 7nm
臺積電準備推出基于12和5nm工藝節(jié)點的下一代HBM4基礎芯片
- 在 HBM4 內存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內存接口的寬度。隨著第四代內存標準從已經(jīng)很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內存堆棧將不會像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現(xiàn)在更先進的封裝方法，以適應更寬的內存。作為 2024 年歐洲技術研討會演講的一部分，臺積電提供了一些有關其將為 HBM4 制造的基礎模具的新細節(jié)，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項任務，該公司有望在 HBM4 制造工藝中占據(jù)有
- 關鍵字： 臺積電 12nm 5nm 工藝 HBM4 基礎芯片
Meta 展示新款 MTIA 芯片：5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz
- 4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日發(fā)布新聞稿，介紹了新款 MTIA 芯片的細節(jié)。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝，采用更大的物理設計（擁有更多的處理核心），功耗也從 25W 提升到了 90W，時鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個數(shù)據(jù)中心使用新款 MTIA 芯片，與 MTIA v1 相比，整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動表示
- 關鍵字： Meta MTIA 芯片 5nm 工藝 90W 功耗 1.35GHz
使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝
- ●? ?介紹隨著技術推進到1.5nm及更先進節(jié)點，后段器件集成將會遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實現(xiàn)具有挑戰(zhàn)性的制造工藝，需要進行工藝調整。為應對這些挑戰(zhàn)，我們嘗試在1.5nm節(jié)點后段自對準圖形化中使用半大馬士革方法。我們在imec生產了一組新的后段器件集成掩膜版，以對單大馬士革和雙大馬士革進行電性評估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前兩類是1.5nm節(jié)點后段的最小目標金屬間距
- 關鍵字： 半大馬士革 后段器件集成 1.5nm SEMulator3D
4~5nm良率逐漸穩(wěn)定，客戶訂單增加？三星回應
- 據(jù)《科創(chuàng)板日報》報道，針對“因4~5納米先進制程良率逐漸穩(wěn)定，客戶訂單正逐漸增加，稼動率也相應反彈，12英寸稼動率回升至九成。”這一市場消息，三星半導體對其進行了回應。報道指出，三星半導體相關負責人回應表示，“暫無法透露最新良率或者客戶情況。正如我們在2022年4月的財務電話會議上所提及，5nm制程良率自去年年初以來已穩(wěn)定下來，而4nm制程良率也已得到了提升，自2022年第一季度以來一直在預期的軌道上。自此4~5nm制程良率已經(jīng)穩(wěn)定了。”據(jù)韓國媒體BusinessKorea報道，三星4納米制程良率相較之前
- 關鍵字： 5nm 良率 晶圓代工 三星
AMD 推出首款 5nm 基于 ASIC 的媒體加速器卡，開啟大規(guī)模交互式流媒體服務新時代
- 2023 年 4 月 6 日，加利福尼亞州圣克拉拉 — AMD （超威，納斯達克股票代碼：AMD）今日宣布推出 AMD Alveo? MA35D 媒體加速器，該卡具備兩個 5 納米基于 ASIC 的、支持 AV1 壓縮標準的視頻處理單元（ VPU ），專為推動大規(guī)模直播互動流媒體服務新時代而打造。隨著全球視頻市場超 70% 的份額由直播內容主導1，一類新型的低時延、大容量交互式流媒體應用正在涌現(xiàn)，例如連線觀賞、直播購物、在線拍賣和社交流媒體。?AMD Alveo MA35D 媒體加速器Alveo
- 關鍵字： AMD 5nm ASIC 媒體加速器卡 大規(guī)模交互式流媒體服務
第三大CPU架構RISC-V沖向5nm 192核 國產版也要來了：單核性能有驚喜
- 作為僅次于x86、ARM的第三大CPU架構，RISC-V憑借開源、免費的優(yōu)勢迅速發(fā)展，之前主要用于低功耗市場，但是現(xiàn)在也開始沖擊高性能領域，Ventana公司日前已經(jīng)做出了5nm 192核的芯片。Ventana公司日前發(fā)布了第一款產品Veyron V1，該公司研發(fā)了一種高性能RISC-V架構，每個CPU模塊中有16個RISC-V內核，頻率3.6GHz，整合48MB緩存，整個處理器可以集成12個CPU模塊，做到192核，臺積電5nm工藝生產制造，還有自己開發(fā)的高性能IO核心，延遲低至7ns，接近原生核心性能
- 關鍵字： RISC-V 5nm 192核
持續(xù)突破，概倫電子NanoSpice?通過三星代工廠5nm工藝技術認證
- 概倫電子宣布其高性能并行SPICE仿真器NanoSpice?通過三星代工廠5nm工藝技術認證，滿足雙方共同客戶對高精度、大容量和高性能的高端電路仿真需求。三星5nm工藝可以提高良率、降低功耗并改善性能，這就需要更高精度的電路仿真和驗證工具來實現(xiàn)更優(yōu)化的先進IC設計。NanoSpice?的認證屬于三星代工廠的EDA認證項目，該仿真器可支持最新版的OMI接口（開放模型接口），在模擬IP的大規(guī)模后仿網(wǎng)表仿真中表現(xiàn)出良好的仿真收斂性和準確性，幫助雙方共同客戶充滿信心地設計，縮短設計周期的同時確保更高精度。作為新一
- 關鍵字： 概倫電子 NanoSpice? 5nm
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